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  1. 半导体教程.rar

  2. 第一章 外延及CAD－－ －－－－4学时第二章 氧化、扩散及离子注入－8学时第三章 光刻－－－－－－－－－4学时第四章 刻蚀－－－－－－－－－2学时第五章 金属化、封装与可靠性－2学时第六章 N阱CMOS工艺流程－－2学时第七章 硅器件制造的关键工艺－4学时

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2008-04-10
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：g22261846

  1. 半导体蚀刻技术.zip

  2. 半导体蚀刻技术学习资料，新手了解半导体蚀刻工艺、材料、制程的ppt学习资料，值得推荐的好文档，介绍蚀刻、光刻原理等。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-12-29
    • 文件大小：408kb
    • 提供者：shouqian_com

  1. 光刻与刻蚀工艺.ppt

  2. “光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。 “刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2019-08-21
    • 文件大小：10mb
    • 提供者：ranee_

  1. 工业电子中的半导体电镀工艺解析

  2. 金镀层具有接触电阻低、导电性能好、可焊性好、耐腐蚀性强，因而电镀金在集成电路制造中有着广泛的应用，例如：在驱动IC封装中普遍使用电镀金凸块；在CMOS/MEMS中应用电镀金来制作开关触点和各种结构等；在雷达上金镀层作为气桥被应用；电镀还被用于UBM阻挡层的保护层，以及用于各种引线键合的键合面等等。     1  电镀金工艺1.1 电镀金工艺流程集成电路中的金电镀工艺流程：     ①在硅片上溅射钛、钛钨等金属作为黏附层，再溅射很薄的一层金作为电镀的导电层；②涂布光刻胶，光刻显影出电镀所需的图

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：97kb
    • 提供者：weixin_38743391

  1. 电子测量中的B2900A在半导体激光器测试中的应用

  2. 半导体激光器是光纤通讯，激光显示，气体探测等领域中的核心部件，受到全世界科技人员的广泛关注。在半导体激光器的生产、研发过程中，对激光器的光电特性的测量尤为重要，是控制激光器制备工艺的稳定性，激光器性能可靠性的关键环节。 　　半导体激光器是半导体光电转换器件。如图1所示，半导体激光器由多层材料构成。自下而上包括背电极，衬底，下光限制层，下波导层，有源层，上波导层，上限制层，上电极。不同层由不同的外延材料组成。如此层状结构是为了达到1）载流子（电子，空穴）的注入复合发光，2）光子横向限制，形成光波

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：138kb
    • 提供者：weixin_38581992

  1. 元器件应用中的在半导体激光器测试中B2900A的应用

  2. 半导体激光器是半导体光电转换器件。如图1所示，半导体激光器由多层材料构成。自下而上包括背电极，衬底，下光限制层，下波导层，有源层，上波导层，上限制层，上电极。不同层由不同的外延材料组成。 　　如此层状结构是为了达到 　　1）载流子（电子，空穴）的注入复合发光， 　　2）光子横向限制，形成光波导的目的。外延完成的层状结构要经过刻蚀工艺，形成脊波导，在脊波导上制备接触电极。 　　如此脊波导的目的是 　　1）限制电流侧向扩散， 　　2）形成光子的侧向波导。制备完的圆片经过解理，镀膜，烧焊，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：68kb
    • 提供者：weixin_38706100

  1. 电子测量中的数字源表B2900A在半导体激光器测试中的应用

  2. 半导体激光器是光纤通讯，激光显示，气体探测等领域中的核心部件，受到全世界科技人员的广泛关注。在半导体激光器的生产、研发过程中，对激光器的光电特性的测量尤为重要，是控制激光器制备工艺的稳定性，激光器性能可靠性的关键环节。 　　半导体激光器是半导体光电转换器件。如图1所示，半导体激光器由多层材料构成。自下而上包括背电极，衬底，下光限制层，下波导层，有源层，上波导层，上限制层，上电极。不同层由不同的外延材料组成。如此层状结构是为了达到1）载流子（电子，空穴）的注入复合发光，2）光子横向限制，形成光波

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：155kb
    • 提供者：weixin_38666300

  1. 基础电子中的半导体VCSEL再生长型

  2. 制作折射率导引型结构的VCSEL，需要改变光腔周围的折射率。这可以通过刻蚀／再生长工艺来实现，其基本原理就是在光腔周围生成一个新的半导体材料（折射率也随之变化），起到光场的横向限制作用，如图所示。具体步骤为先制作刻蚀掩模（SiO2，SiNx），将光腔刻蚀成柱型，然后在刻蚀掉的地方通过再次外延工艺生长出新的材料。 　　刻蚀／再生长结构除了对出射光有着良好的限制作用外，还可以对注入电流进行有效的横向限制，并且钝化有源区的侧面及有着良好的热沉特性。然而，由于构成DBR的AlGaAs非常容易受到诸

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：112kb
    • 提供者：weixin_38693173

  1. 下一代光刻技术突破传统的光刻技术障碍

  2. EUV蚀刻技术使最小线宽达30nm 全球第一款利用远紫外线(extreme ultra vio-let EUV)蚀刻技术制造计算机芯片的完整设备原型机近日在美国问世。这个命名为：“工程试验支架”(ETS)的原型机是由美国能源部下属的3个实验室和EUV LLC的半导体企业联盟共同开发的。 目前芯片制造商普遍使用深紫外线光刻技术，而且已有很多芯片制造商转向0．131xm的芯片制造工艺，但这种深度紫外线蚀刻工艺在理论上仅能使印刷电路的最小尺寸为0．11xm，当印刷电路的最小线宽达到0．1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38556668

  1. 未来的光刻工艺挑战

  2. 光刻技术是开发新型 CMOS 制造工艺中的闸控功能 (gating function)。所有半导体制造商都采用相同的光刻工具，但使用工具的方法则根据制造商的专业技术及相关要求而有所差异。在德州仪器 (TI)，我们在光刻技术方面长期开展创新工作。我们的专业技能帮助我们开发了领先的工艺，为客户实现了性能、成本和功耗的最佳平衡。随着晶体管的临界尺寸越来越小，在芯片光阻材料 (photoresist) 暴露的区域上聚光也越来越难。目前的氩氟 (ArFl) 光刻工具可提供 193 nm 的波长，我们用它来

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：56kb
    • 提供者：weixin_38747566

  1. 电介质刻蚀面临材料和工艺的选择

  2. 半导体加工中，在晶片表面形成光刻胶图形，然后通过刻蚀在衬底或者衬底上面的薄膜层中选择性地除去相关材料就可以将电路图形转移到光刻胶下面的材料层上。这一工艺过程要求非常精确。但是，各种因素例如不断缩小的线宽、材料毒性以及不断变大的晶片尺寸等都会使实际过程困难得多（图1）。 　Applied Materials公司电介质刻蚀部总经理Brian Shieh说：“前段（FEOL）和后段（BEOL）电介质刻蚀的要求各不相同，因此要求反应器基本功能具有很大的弹性，对于不同的要求都能够表现出很好的性能。” 　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：123kb
    • 提供者：weixin_38691194

  1. 半导体微碟激光器设计原理与工艺制作

  2. 用经典量子电动力学理论初步研究了半导体碟型微腔激光器的设计原理,采用光刻、反应离子刻蚀和选择化学腐蚀等现代微加工技术制备出抽运阈值功率很低且品质因数很高的低温光抽运InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器.这种激光器制作工艺简单,对有效光子状态密度调制较大,是比较理想的半导体微腔激光器.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：160kb
    • 提供者：weixin_38582506

  1. 高功率、高效率线阵半导体激光器的阳极氧化制备方法

  2. 在分子束外延(MBE)生长的基础上,采用脉冲阳极氧化工艺制作了非对称、宽波导InGaAlAs/AlGaAs/GaAs应变双量子阱(DQW)结构准连续(QCW)线阵半导体激光器,实现了808 nm波段线阵激光器的高效率、高功率运转。脉冲阳极氧化工艺主要用于器件工艺中的蚀刻与绝缘膜制备,电解液采用乙二醇∶去离子水∶磷酸∶2%盐酸的体积比为40∶20∶1∶1的混合溶液。研制的准连续线阵半导体激光器的填充因子约为72.7%,100 Hz,200 μs准连续工作条件下的阈值电流约为24 A,斜率效率达到1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：433kb
    • 提供者：weixin_38735782

  1. 半导体光刻蚀工艺

  2. 半导体光刻蚀工艺

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：48mb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 980 nm高功率DBR半导体激光器的设计及工艺

  2. 设计并制作了非对称大光腔波导结构,利用分布布拉格反射技术,实现了980 nm 波段高功率半导体激光器的稳定输出。在实验过程中,采用电子束光刻技术,结合感应耦合等离子刻蚀工艺,利用SiO

  3. 所属分类：其它

  1. B2900A在半导体激光器测试中的应用

  2. 半导体激光器是光纤通讯，激光显示，气体探测等领域中的部件，受到全世界科技人员的广泛关注。在半导体激光器的生产、研发过程中，对激光器的光电特性的测量尤为重要，是控制激光器制备工艺的稳定性，激光器性能可靠性的关键环节。 　　半导体激光器是半导体光电转换器件。如图1所示，半导体激光器由多层材料构成。自下而上包括背电极，衬底，下光限制层，下波导层，有源层，上波导层，上限制层，上电极。不同层由不同的外延材料组成。如此层状结构是为了达到1）载流子（电子，空穴）的注入复合发光，2）光子横向限制，形成光波导的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：136kb
    • 提供者：weixin_38643407

  1. 数字源表B2900A在半导体激光器测试中的应用

  2. 半导体激光器是光纤通讯，激光显示，气体探测等领域中的部件，受到全世界科技人员的广泛关注。在半导体激光器的生产、研发过程中，对激光器的光电特性的测量尤为重要，是控制激光器制备工艺的稳定性，激光器性能可靠性的关键环节。 　　半导体激光器是半导体光电转换器件。如图1所示，半导体激光器由多层材料构成。自下而上包括背电极，衬底，下光限制层，下波导层，有源层，上波导层，上限制层，上电极。不同层由不同的外延材料组成。如此层状结构是为了达到1）载流子（电子，空穴）的注入复合发光，2）光子横向限制，形成光波导的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：166kb
    • 提供者：weixin_38600253

  1. 半导体电镀工艺解析

  2. 金镀层具有接触电阻低、导电性能好、可焊性好、耐腐蚀性强，因而电镀金在集成电路制造中有着广泛的应用，例如：在驱动IC封装中普遍使用电镀金凸块；在CMOS/MEMS中应用电镀金来制作开关触点和各种结构等；在雷达上金镀层作为气桥被应用；电镀还被用于UBM阻挡层的保护层，以及用于各种引线键合的键合面等等。     1  电镀金工艺1.1 电镀金工艺流程集成电路中的金电镀工艺流程：     ①在硅片上溅射钛、钛钨等金属作为黏附层，再溅射很薄的一层金作为电镀的导电层；②涂布光刻胶，光刻显影出电镀所需的图

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：92kb
    • 提供者：weixin_38512781

  1. 半导体系列之十步图形化工艺流程

  2. 同刻蚀一样，干法等离子体工艺也可用于光刻胶去除。将晶圆放置于反应室中．并通入氧气。等离子体场把氧气激发到高能状态，因而将光刻跤成分氧化为气体由真空泵从反应室吸走。术语灰化（ashlng〕用来说明那些设计成用来只去除有机残留物的等离子体工艺。等离子去除需要去除有机和无机两种残留物的工艺。在干法去除机中，等离子体由微波，射频和UV臭氧源共同作用产生。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-01-14
    • 文件大小：116kb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 半导体光刻工艺及光刻机全解析

  2. 光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-01-12
    • 文件大小：303kb
    • 提供者：jfkj2021
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