注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 模拟电子技术学习资料

  2. 包含各类题解 及模拟试卷 复习纲要 〈〈模拟电子技术基础〉〉复习纲要 第一章：常用半导体器件 （1） 熟悉下列定义、概念及原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区、PN结、耗尽层，导电沟道，二极管的单向导电性，稳压管的稳压作用，晶体管与场效应管的放大作用及三个工作区域。 （2） 掌握二极管、稳压管、晶体管、场效应管的外特性、主要参数的物理意义。掌握其应用。 （3） 了解选用器件的原则。了解集成电路制造工艺。 第二章：基本放大电路 （1） 掌握以下基本概念和定义：放大、静态工作点、饱和

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2010-01-05
    • 文件大小：5mb
    • 提供者：syaing100

  1. 施敏半导体器件物理与工艺答案

  2. 施敏半导体器件物理与工艺答案 英文版的，

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-06-13
    • 文件大小：638kb
    • 提供者：qinbiao2007

  1. 半导体器件 物理与工艺（答案）

  2. 该资料为施敏半导体器件的答案，英文版的，少数题有错，对想直接抄的同学而言是种考验。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-08-09
    • 文件大小：638kb
    • 提供者：s0628403013

  1. 半导体器件物理与工艺课后习题答案

  2. 半导体器件物理与工艺课后习题答案 作者：施敏 第二版

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-02-23
    • 文件大小：897kb
    • 提供者：psufncel

  1. 半导体器件物理与工艺课后习题答案施敏版

  2. 半导体器件物理与工艺课后习题答案施敏版，这是目前比较好的半导体器件物理教程，写的通俗易懂，欢迎下载。。。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-06-11
    • 文件大小：897kb
    • 提供者：zkyclh870302

  1. 1D-AMPS一维半导体器件模拟软件

  2. AMPS是由美国宾西法尼亚州立大学电子材料工艺研究实验室提供的一维固体器件模拟软件。 AMPS采用牛顿－拉普拉斯方法在一定边界条件下数值求解联立的泊松方程、电子和空穴的连续性方程，可以用来计算光伏电池、光电探测器等器件的结构与输运物理特性

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2008-10-10
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：beimingzy

  1. CMOS有源像素图像传感器的成像原理分析.pdf

  2. 今天，互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器（CIS），又称有源像素传感器（APS），是最流行的成像技术，每年生产数十亿种图像传感器，它们占成像仪市场的90%左右，几年内应该超过95%。。与电荷耦合器件（CCD）的主要替代成像技术相比，CISS具有功耗低、集成度高、速度快和集成芯片（甚至像素内部）先进CMOS功能的能力等主要优点。由于最新的技术创新，CISS目前，在图像质量和灵敏度方面与CCD的性能相匹配，甚至在数字单透镜反射、科学仪器和机器视觉等高端应用中也处于领先地位。由于这些优点，C

  3. 所属分类：其它

  1. comsol Mems模块

  2. COMSOL Multiphysics 是一款大型的高级数值仿真软件，由瑞典的 COMSOL 公司开发，广泛应用于各个领域的科学研究以及工程计算，被当今世界科学家称为“第一款真正的任意多物理场直接耦合分析软件”，适用于模拟科学和工程领域的各种物理过程，COMSOL Multiphysics以高效的计算性能和杰出的多场直接耦合分析能力实现了任意多物理场的高度精确的数值仿真，在全球领先的数值仿真领域里得到广泛的应用。目录 MEMS模块. MEMS器件:物理场和应用 MEMS模块物理场接口指南 根据空

  3. 所属分类：教育

  1. 半导体器件物理与工艺

  2. 半导体器件物理与工艺。。。。。。。。。。。。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-10-05
    • 文件大小：727kb
    • 提供者：duyiqun

  1. PN结工作原理相关知识

  2. pn结 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。 PN结原理 PN结的形成其实就是在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，那么在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。 在形成PN结之后，由于N型半导体区内的电子

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：185kb
    • 提供者：weixin_38704284

  1. 模拟技术中的模拟电路的设计特征之统计方法

  2. 引言 　　半导体器件及电路的性能会因为工艺本身固有的基本统计性变异 (statistical variation)而发生波动。 　　如图1所示，所有的变异形式可划分为好几大类，相应反映出工艺加工期间材料的物理分离。 　　批次变异是最常见的变异，因为它反映出了其它成因里所没有的重要变异源，包括某个工艺步骤中因采用不同工具而可能带来的差异；原始材料在批次之间的差异；以及与工具老化、定期维修、升级和调试有关的基于时间的趋势及周期性差异。 　　晶圆间变异可能源于个别晶圆处理步骤中晶圆之间出现

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：309kb
    • 提供者：weixin_38539018

  1. 模拟技术中的微带Ku波段功率合成电路的设计与应用

  2. 随着半导体材料和工艺的不断发展，微波/毫米波功率半导体器件的输出功率量级越来越大， L 波段功率晶体管的脉冲功率已达千瓦量级; X波段功率砷化镓场效应管连续波达到几十瓦，脉冲功率达到500W。但限于半导体的物理特性，单个固态器件的输出功率仍是有限的。采用芯片合成、电路合成及空间合成等功率合成技术将多路固态器件输出功率进行同相叠加，是获得更高输出功率的有效途径之一。 　　1968年Josenhans最先提出芯片级功率合成的概念。随后， 20世纪70年代末期， Rucker先在X波段实现了多芯片的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：304kb
    • 提供者：weixin_38540782

  1. 纳米电子器件

  2. 纳米电子器件： 利用载流子的各种量子特性，研究纳米（1-1OO纳米）条件下，放大、振荡、信息加工、数字存储等新现象和新规律，以及采用什么新材料、新技术和新工艺，来指导纳米电子器件和纳米电子集成阵列的设计和开发，这就是崭新的纳米电子学。 如果说微电子器件的基本结构是pn结，那么，21世纪的纳米电子器件的基本结构则有待实践解决，而文献［2］认为是：纳米点和隧道结。纳米点系指1-100纳米的金属或半导体粒子，也称量子点或岛。此时器件的物理尺寸与其中的电子自由程可以比拟，将出现介观物理所描述

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：49kb
    • 提供者：weixin_38569569

  1. 传感技术中的基于MEMS技术的微型传感器

  2. 摘要：和传统的传感器相比,微型传感器具有许多新特性,它们能够弥补传统传感器的不足,具有广泛的应用前景,越来越受到重视。文中详细介绍了一些微型传感器件的结构和原理,说明了微型传感器的基本性能特点和微型传感器的发展趋势。   　　关键词：MEMS 技术；微型传感器；智能化；多功能化   微型传感器的特点   传统的传感器件因其制作工艺与半导体IC 工艺不兼容,所以无论在性能、尺寸和成本上都不能与通过IC 技术制作的高速度、高密度、小体积和低成本的信号处理器件相适应,于是制约了整个系统的集

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-07
    • 文件大小：157kb
    • 提供者：weixin_38720256

  1. 电子测量中的集成电路可测性设计中网表的解析与实现

  2. 1．前言 随着微电子制造技术向深亚微米方向发展，数字集成电路的集成度也越来越高，而半导体工艺中可能引入各种失效，另外材料的缺陷以及工艺的偏差都可能会导致芯片中电路连接的短路、断路以及器件结间穿通等问题。这样的物理失效必然导致电路功能或者性能方面的故障。为了保证设计的正确性，在制造和使用芯片时必须要对其进行测试。目前最有效的方法就是采用可测性设计技术(DFT，De-sign For Testability)，即在设计时就保证电路的可测性。 对数字逻辑电路的测试包括功能测试和结构测试。功能测试

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：151kb
    • 提供者：weixin_38675970

  1. 模拟电路的设计特征之统计方法

  2. 引言 　　半导体器件及电路的性能会因为工艺本身固有的基本统计性变异 (statistical variation)而发生波动。 　　如图1所示，所有的变异形式可划分为好几大类，相应反映出工艺加工期间材料的物理分离。 　　批次变异是常见的变异，因为它反映出了其它成因里所没有的重要变异源，包括某个工艺步骤中因采用不同工具而可能带来的差异；原始材料在批次之间的差异；以及与工具老化、定期维修、升级和调试有关的基于时间的趋势及周期性差异。 　　晶圆间变异可能源于个别晶圆处理步骤中晶圆之间出现的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：437kb
    • 提供者：weixin_38581455

  1. 微带Ku波段功率合成电路的设计与应用

  2. 随着半导体材料和工艺的不断发展，微波/毫米波功率半导体器件的输出功率量级越来越大， L 波段功率晶体管的脉冲功率已达千瓦量级; X波段功率砷化镓场效应管连续波达到几十瓦，脉冲功率达到500W。但限于半导体的物理特性，单个固态器件的输出功率仍是有限的。采用芯片合成、电路合成及空间合成等功率合成技术将多路固态器件输出功率进行同相叠加，是获得更高输出功率的有效途径之一。 　　1968年Josenhans提出芯片级功率合成的概念。随后， 20世纪70年代末期， Rucker先在X波段实现了多芯片的电路

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：425kb
    • 提供者：weixin_38741531

  1. 使用肖特基二极管保护射频采样ADC输入

  2. 任何高性能ADC，尤其是射频采样ADC，输入或前端的设计对于实现所需的系统级性能而言很关键。很多情况下，射频采样ADC可以对几百MHz的信号带宽进行数字量化。前端可以是有源（使用放大器）也可以是无源（使用变压器或巴伦），具体取决于系统要求。无论哪种情况，都必须谨慎选择元器件，以便实现在目标频段的ADC性能。简介射频采样ADC采用深亚微米CMOS工艺技术制造，并且半导体器件的物理特性表明较小的晶体管尺寸支持的电压也较低。因此，在数据手册中规定的出于可靠性原因而不应超出的电压，将当前主流的射频采样A

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：162kb
    • 提供者：weixin_38708105

  1. 什么是肖特基势垒

  2. 肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。 　　肖特基势垒指具有大的势垒高度（也就是ΦBn 或者 ΦBp >> kT）,以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触（施敏, 半导体器件物理与工艺, 第二版, 7.1.2）。 　　肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。 　　金属与n型半导体形成的肖特基势垒如图1所示。金

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：56kb
    • 提供者：weixin_38638596

  1. 三分钟你就懂得如何保护射频采样ADC的输入？

  2. 任何高性能ADC，尤其是射频采样ADC，输入或前端的设计对于实现所需的系统级性能而言很关键。很多情况下，射频采样ADC可以对几百MHz的信号带宽进行数字量化。前端可以是有源（使用放大器）也可以是无源（使用变压器或巴伦），具体取决于系统要求。无论哪种情况，都必须谨慎选择元器件，以便实现在目标频段的ADC性能。简介射频采样ADC采用深亚微米CMOS工艺技术制造，并且半导体器件的物理特性表明较小的晶体管尺寸支持的电压也较低。因此，在数据手册中规定的出于可靠性原因而不应超出的电压，将当前主流的射频采样A

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：526kb
    • 提供者：weixin_38654589
« 12 »