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搜索资源列表

  1. 高性能低维半导体材料_硅异质结光电探测器_刘雪梅.caj

  2. 二维材料石墨烯、低维化合物材料硒化铟等光电性能良好的半导体材料，可 以与硅衬底结合制备高响应度高探测率等高性能的光电探测器。由于石墨烯与硅 接触时易被调控，本论文主要研究了将氟化石墨烯、掺硼硅量子点等材料与石墨 烯／硅光电探测器结合，对石墨烯进行调控，提升器件的响应特性。

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-02-26
    • 文件大小：8mb
    • 提供者：SparkQiang

  1. X射线双晶衍射在半导体材料及结构分析中的应用

  2. X射线双晶衍射在半导体材料及结构分析中的应用，关志强，唐吉龙，X射线双晶衍射是半导体材料及结构的重要分析手段，广泛应用于半导体薄膜，超晶格及量子阱等材料和器件的性能表征方面。文章综述�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-17
    • 文件大小：836kb
    • 提供者：weixin_38673235

  1. 光学薄膜--半导体材料

  2. 一些关于半导体光学薄膜的PPT，属于半导体材料，包括基础光学薄膜和国防光电材料

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-06-25
    • 文件大小：837kb
    • 提供者：pz_optical

  1. 新型半导体材料有哪些及应用

  2. 本文主要讲了一下关于新型半导体材料分类及应用，希望对你的学习有所帮助。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：53kb
    • 提供者：weixin_38689477

  1. 由某些半导体材料做成的二极管

  2. 绍了由某些半导体材料做成的二极管的方式方法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-07
    • 文件大小：56kb
    • 提供者：weixin_38661100

  1. [PCB电路] 半导体材料基础知识

  2. 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感。它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-02
    • 文件大小：69kb
    • 提供者：weixin_38684743

  1. 半导体材料与工艺之单晶半导体材料制备技术方案.ppt

  2. 半导体材料与工艺之单晶半导体材料制备技术方案文档，可以作为学习资料，半导体材料与工艺之单晶半导体材料制备技术方案

  3. 所属分类：嵌入式

  1. 基础电子中的半导体材料种类及制备介绍

  2. 种类 　　常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、Ⅳ-Ⅵ族（如硫化铅、硒化铅等）、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等，还处于研究阶段。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38744902

  1. 显示/光电技术中的半导体材料的吸收损耗

  2. 半导体材料的吸收主要来源于带边吸收、带间吸收和自由载流子吸收。当光子能量大于禁带宽度时，价带中的电子就会被激发到导带。所以传输光的波长要大于光波导材料吸收边的波长，即导波的波长要大于1.1 gm。自由载流子吸收在半导体材料中很明显。自由载流子将会同时影响折射率的实部和虚部，用Drude方程描述吸收系数随载流子浓度的变化为 　　式中，e是电子电荷；c是真空中的光速；uc是电子迁移率；uh是空穴迁移率；mce是电子的有效质量；mch助是空穴的有效质量；Ne是自由电子的浓度；凡Nc自由空穴的浓度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：37kb
    • 提供者：weixin_38672807

  1. 用于半导体材料晶片的快速退火处理工艺

  2. 所有人 S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 本发明涉及一种用于选自于半导体材料的晶片的表面处理工艺，通过转移技术获得该晶片，以及该工艺包括依次包含下述步骤的快速退火阶段：a)温度上升的第一个斜坡，是为了开始加热，b)第一次稳定停止，是为了稳定温度，c)温度上升的第二个斜坡，其特征在于在第二个斜坡期间，在称为低的第一温度范围之内温度上升的平均斜率具有第一值，然后在称为高的温度范围之内增加。 　 下载：图片1 图片2 图片3 图片4 图片5 图片6 图片7 图片8 图片9 图片10 备

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：30kb
    • 提供者：weixin_38729399

  1. 碳化硅宽带隙半导体材料生长技术及应用

  2. 王强，李玉国，石礼伟，孙海波（山东师范大学半导体研究所，山东 济南 250014）摘要：概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法，介绍了其在微电子及光电子领域的应用，并对其发展动态及存在问题进行了简要评述。 关键词：宽带隙半导体；碳化硅；光电子学1 IntroductionＡｓ ｉｔ ｉｓ ｗｅｌｌ ｋｎｏｗｎ，ｔｈｅ ｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌ Ｓｉ ａｎｄ ＧａＡｓ ｄｅｖｉｃｅｓ ａｒｅ ｉｎａｐｐｌｉｃａｂｌｅ ａｔ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｂｏｖｅ ２５０ ℃，ａｎｄ ｔ

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：63kb
    • 提供者：weixin_38617602

  1. 半导体材料概述

  2. 半导体材料是电子工业的重要基础材料。从五十年代后期开始半导体材料及其工艺设备的研制，是我国半导体和红外材料的主要研究、开发、生产基地，为国家电子信息工业和国防建设做出了重大贡献。　　主要研究领域有：　　　　※ 用于超大规模集成电路的优质直拉大直径硅单晶及抛光片　　※ 用于外延衬底的重掺杂直拉硅单晶及抛光片　　※ 功率器件用大直径区熔硅单晶及晶片　　※ 用于超高速电路的半绝缘砷化镓单晶及晶片　　※ 多种用途的水平砷化镓单晶及晶片　　※ 应用于光电子等领域的磷化镓、磷化铟、锑化镓、砷化铟单晶及晶片　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：34kb
    • 提供者：weixin_38518885

  1. 半导体材料

  2. （semiconductor material） 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半 导体。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9） 欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感，在半导体材料中掺 入少量杂质可以控制这类材料的电导率。正是利用半导体材料的这些性质，才制造出功能多样的半导体器件。 半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料按化学成分和

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：45kb
    • 提供者：weixin_38749268

  1. Excimontec:Excimontec是一个开源KMC仿真软件包，用于对有机半导体材料和设备（例如OPV，OLED等）中的光电过程进行建模。-Source material

  2. Excimontec 动力学蒙特卡洛模拟是一种功能强大的计算工具，已与实验和更详细的理论方法结合使用，以了解和优化有机半导体材料和器件。 但是，尽管将KMC工具应用于有机半导体已有30多年的历史，但尚未有广泛的或标准化的软件工具在社区中占有一席之地。 取而代之的是，世界各地的许多研究小组都维护着具有不同复杂性，效率和可靠性的私有代码库。 结果，对于新的研究人员来说，存在很大的进入壁垒，并且在整个社区中有很多重复的努力，如果将其用于推动该技术的功能以及进一步完善物理模型，将会有更好的选择。 E

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-24
    • 文件大小：11mb
    • 提供者：weixin_42098104

  1. 中国半导体材料产业投资手册报告

  2. 中国半导体材料产业投资手册报告

  3. 所属分类：其它

  1. 半导体材料报告：硅片、光刻胶、电子特气、CMP 抛光材料、高纯湿电子化学品、靶材

  2. 中国半导体材料市场稳步增长。根据SEMI数据，2009-2019年，中国半导体材 料市场从32.6亿美元提升至86.9亿美元，年均复合增长率（CAGR）达到10%。整 体来看，我国半导体材料的国产化率仍处于较低水平，进口替代空间大。此外，随 着国内晶圆厂的投资完成以及本土先进制程推进，国内半导体材料的市场有望持续 增长，给本土材料厂商带来较大的导入机会。政策引导+资金到位成为追赶者获突围的关键因素。半导体产业具有较高的技术 和资本壁垒，龙头公司经过长期的经验和资本积累，能够在研发方面保持长期且大

  3. 所属分类：其它

  1. 半导体材料的激光辐照效应计算和损伤阈值分析

  2. 在激光对抗中,探测器容易受到激光损伤,为此研究了连续强激光对半导体材料的损伤机理,建立了氧碘化学激光器辐照InSb圆板型靶材的二维物理模型。在圆柱坐标系中利用积分变换法,求解热传导和热弹性力学方程组,得到由激光辐照引起的温度场和热应力场的瞬态分布。经过严格的理论分析,计算出InSb材料的激光破坏阈值,讨论了不同的辐照时间和光斑半径对破坏阈值的影响。研究发现其破坏形态为熔融破坏,一般不会出现解理或炸裂现象,这一结果与相关实验报道一致。最后分析了与温度有关的非线性参量对损伤阈值的影响。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：673kb
    • 提供者：weixin_38551059

  1. 激光冷却半导体材料

  2. 激光冷却半导体材料

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：948kb
    • 提供者：weixin_38686658

  1. GaAs半导体材料中双光子吸收光限幅与偏振方向的关系

  2. 理论分析了线偏振光波的偏振方向对GaAs半导体双光子吸收的影响,实现了GaAs半导体材料中不同偏振方向的双光子吸收光限幅,提高了双光子吸收光限幅的性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：829kb
    • 提供者：weixin_38592420

  1. 有机半导体材料制造柔性LED

  2. 有机半导体材料制造柔性LED

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：542kb
    • 提供者：weixin_38704922
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