在这项研究中，通过金属有机化学气相沉积法在6H-SiC衬底上制备了具有AlN缓冲层的1.5微米厚的GaN膜。 为了确定AlN缓冲液的生长条件对GaN薄膜的晶体质量和应力状态的影响，进行了两个系列的实验。 通过优化AlN缓冲液的生长条件，GaN薄膜的（0002）半峰全宽和摇摆曲线分别提高到136和225 arcsec。 获得具有0.332nm的小均方根粗糙度的光滑表面，并且观察到优异的光学性质。 同时，在一定程度上通过增加AlN缓冲层的生长温度和厚度来降低GaN膜中的位错密度和拉伸应力。 此外，通

研究了宝石(γ-Al2O3)衬底上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统生长的不同厚度的c面氮化镓(GaN)薄膜的光学性质。研究发现不同厚度GaN薄膜的吸收截止边均在3.38 eV附近，在它们的光致发光(PL)光谱中也观察到了相同位置带边峰。利用透射谱和光致发光光谱中的干涉条纹估算了薄膜的厚度，一致地反映了它们产生的机制相似。正面照射下光致发光光谱中未能观察到明显的黄光带，却观察到了明显的蓝光带，并且随着厚度的增加蓝光带的峰位发生蓝移，发光强度增加，认为这一现象产生的原因是厚度增加的同时杂质