注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. EDA 双结型晶体管特性和电路分析

  2. 双极结型晶体管是模拟电路中一种重要的有源器件，多用于对微弱模拟小信号进行放大。本文详细介绍双极结型晶体管的工作原理、输入和输出特性、电路模型、密勒定理，并在此基础上说明双极结型晶体管的直流偏置办法。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2018-04-22
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：qq_41910074

  1. 晶体管或稳压器并联后可以取消散热器

  2. 双极结型晶体管(BJT)看起来像老式的电子元件，但由于具有低成本和卓越参数的优点，它们可以解决许多问题。我们可以发现过去由于这些元件太高成本而不可能实现的新应用，比如我们可以在某些情况下用多个并联的小功率晶体管替代更大功率的晶体管(带或不带散热器)，并从中收获诸多好处。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-12
    • 文件大小：163kb
    • 提供者：weixin_38592758

  1. 双极性结型晶体管（三极管）原理概述

  2. 双极型结型晶体管（BJT或者双极性晶体管、俗称三极管）是一种晶体管，它的原理是依靠于两种半导体间的接触。BJTs可以用于放大器电路、开关电路或者振荡电路中。BJTs也可以被用于单独的独立元件或者集成电路中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-27
    • 文件大小：68kb
    • 提供者：weixin_38707356

  1. 电源技术中的简述低VCEsat双极晶体管

  2. 简介 　　双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。双极型晶体管比电子管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高、已逐步取代电子管。双极型晶体管已广泛用于广播、电视、通信

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：85kb
    • 提供者：weixin_38682254

  1. 电源技术中的晶体管或稳压器并联后可以取消散热器

  2. 引言     双极结型晶体管(BJT)看起来像老式的电子元件，但由于具有低成本和卓越参数的优点，它们可以解决许多问题。我们可以发现过去由于这些元件太高成本而不可能实现的新应用，比如我们可以在某些情况下用多个并联的小功率晶体管替代更大功率的晶体管(带或不带散热器)，并从中收获诸多好处。     一般来说，与更大功率特别是带大块散热器的晶体管相比，小功率晶体管速度更快，具有更高的工作频率、更低的噪声、更小的总谐波失真，并且它们的封装更方便人工和自动焊接。     功耗最高1W左右的许多晶体管采

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：178kb
    • 提供者：weixin_38673694

  1. 晶体管或稳压器并联后可以取消散热器

  2. 双极结型晶体管(BJT)看起来像老式的电子元件，但由于具有低成本和卓越参数的优点，它们可以解决许多问题。我们可以发现过去由于这些元件太高成本而不可能实现的新应用，比如我们可以在某些情况下用多个并联的小功率晶体管替代更大功率的晶体管(带或不带散热器)，并从中收获诸多好处。　　一般来说，与更大功率特别是带大块散热器的晶体管相比，小功率晶体管速度更快，具有更高的工作频率、更低的噪声、更小的总谐波失真，并且它们的封装更方便人工和自动焊接。　　功耗最高1W左右的许多晶体管采用类似于TO-92的封装。这些晶

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：143kb
    • 提供者：weixin_38716563

  1. 基础电子中的绝缘栅型场效应管

  2. 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109W功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 　　场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：36kb
    • 提供者：weixin_38706294

  1. 显示/光电技术中的寄生双极型晶体管闩锁效应的影响

  2. 闩锁效应（Latch-Up Effect）。在N阱与P阱接触的地方存在着发生闩锁效应的危险。如图1中所示，存在于MOS晶体管结构中的两个寄生双极晶体管各自的基极分别与对方的集电极相连，形成了四层的晶闸管的结构。当其中一个晶体管的基－射结电压超过约0.6V时，晶问管将开启，从而导致yDD与yss短路，电路将失去功能。器件甚至可能被大电流所产生的热量所损坏。由于外延层掺杂浓度的减小，PNP晶体管基区Gummel值变小，相应的提高了PNP晶体管的电流增益。同时NPN晶体管的集电极的串联电阻Rev也会随

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：88kb
    • 提供者：weixin_38517113

  1. 元器件应用中的什么叫双极结型晶体管（BJT）

  2. 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）　　BJT有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：31kb
    • 提供者：weixin_38542148

  1. 模拟技术中的场效应晶体管介绍

  2. 场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMO

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：30kb
    • 提供者：weixin_38608866

  1. 高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

  2. 报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP/GaAs HBT.采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz,最大振荡频率达到140GHz的频率特性.这种新结构的HBT的击穿电压达到25V,有利于在大功率领域应用.而残余电压只有105mV,拐点电压只有0.50V,使其更适用于低功耗应用.同时,还对比了由于不同结构产生的器件性能的差异. 　 关键词： 异质结双极型晶体管 U形发射极 自对准发射极 热处理能力 参考文献：

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：44kb
    • 提供者：weixin_38526823

  1. 元器件应用中的双极型晶体管原理

  2. 虽然二极管是很有用的器件，但它不能放大信号，几乎所有的电路都以某种方式要求放大信号。一种能放大信号的器件就是双极型晶体管（BJT）。 图1.18是两种双极型晶体管的结构图。每个晶体管有3个半导体区，他们分别是发射极，基极和集电极。基极总是夹在发射极和集电极之间。NPN管由N型的发射极，P型的基极和N型的集电极组成。类似的，PNP管由P型的发射极，N型的基极和P型的集电极组成。在这些简图中，晶体管的每个区都是均匀掺杂的矩形硅。现代的双极型晶体管稍微有点不同，但工作原理还是一样的。 图1.18中也画

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：48kb
    • 提供者：weixin_38500444

  1. 双极型晶体管I-V特性

  2. 双极型晶体管的性能能用一幅基极电流，集电极电流和集电极－发射极电压曲线图来说明。图1.21就是一幅典型的集成NPN管的曲线图。纵坐标表示集电极电流Ic，而横坐标是集电极－发射极电压Vce。在这同一个坐标中有很多曲线，每一条都代表了一个不同的基极电流IB。这一系列曲线就表明了双极型晶体管的许多有趣的特性。 在饱和区，集电极－发射极电压太低而使集电极－基极结稍微有点正向偏置。帮助少数载流子穿越集电极－基极结的电场仍旧存在，所以晶体管还处于导通状态。由于集电极－发射极电压太低所以晶体管中的Ohmic电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：weixin_38562130

  1. 元器件应用中的集成电路中的双极晶体管模型

  2. p-n结二极管的分析和模拟是双极结型晶体管（BJT）原理和模拟的基础。BJT是由两个背靠背的p-n结，并由一个半导体簿区串联而成的。虽然分立的二极管没有放大作用，但是当它们由一个纯的单晶，结构完整的半导体簿区耦合起来时，这种器件就变成了有源器件，并具有好的功率增益。在发射结处于正向偏压（低阻抗），而集电极处于反向偏压（高阻抗）下，由发射结注入的少子电流几乎全部输运到集电结，使器件具有放大作用。当器件状态处于有源区时，就有功率增益。 NPN BJT是两个半导体晶体的n型区由中

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：41kb
    • 提供者：weixin_38595850

  1. 具有高电压和高电流增益的新型4H-SiC横向双极结型晶体管结构

  2. 本文提出了一种新型的4H-SiC横向双极结型晶体管（LBJT）的结构，该晶体管在漂移区内具有基极场板和双RESURF。 基极区的集电极-基极结耗尽区扩展受到基极场板的限制。 因此，在雪崩击穿的条件下，可以实现LBJT的薄基极掺杂和低基极掺杂。 仿真结果表明，获得了0.32μm的薄基极和3 x 10（17）cm（-3）的基极掺杂，并且当漂移区长度为3309 V时，雪崩击穿电压为3309 V，对应的电流增益高达247。 30亩此外，对击穿电压（3357 V）可比的4H-SiC垂直BJT（VBJT）进

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：643kb
    • 提供者：weixin_38740827

  1. 低栅极电压操作的多发射点H +离子敏感门控横向双极结型晶体管

  2. 提出了一种低栅极电压操作的多发射极点栅横向双极结型晶体管（BJT）离子传感器。 所提出的器件由一个阵列的横向栅极BJT组成，该栅极以金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）-BJT混合工作模式驱动。 此外，它具有多个彼此并联连接的发射器点，以提高离子敏感性。 使用氢离子溶液作为参考溶液，我们进行了实验，比较了多发射极点栅横向BJT与单发射极点栅横向BJT的灵敏度和阈值电压。 多发射极点栅横向BJT不仅显示出更高的灵敏度，而且更重要的是，所提出的器件可以在非常低的栅电压下工作，而传统的离子敏感

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-06
    • 文件大小：677kb
    • 提供者：weixin_38670949

  1. 晶体管或稳压器并联后可以取消散热器

  2. 双极结型晶体管(BJT)看起来像老式的电子元件，但由于具有低成本和卓越参数的优点，它们可以解决许多问题。我们可以发现过去由于这些元件太高成本而不可能实现的新应用，比如我们可以在某些情况下用多个并联的小功率晶体管替代更大功率的晶体管(带或不带散热器)，并从中收获诸多好处。　　一般来说，与更大功率特别是带大块散热器的晶体管相比，小功率晶体管速度更快，具有更高的工作频率、更低的噪声、更小的总谐波失真，并且它们的封装更方便人工和自动焊接。　　功耗1W左右的许多晶体管采用类似于TO-92的封装。这些晶体管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：264kb
    • 提供者：weixin_38548589

  1. 晶体管的饱和状态和饱和压降

  2. 众所周知，一个普通的双极型晶体管有二个PN结、三种工作状态（截止、饱和、放大）和四种运用接法（共基、共发、共集和倒置）。对这两个PN结所施 加不同的电位，就会使晶体管工作于不同的状态：两个PN结都反偏——晶体管截止；两个PN结都导通——晶体管饱和：一个PN结正偏，一个PN结反偏——晶 体管放大电路（注意：如果晶体管的发射结反偏、集电结正偏，就是晶体管的倒置放大应用）。要理解晶体管的饱和，就必须先要理解晶体管的放大原理。 　　从 晶体管电路方面来理解放大原理，比较简单：晶体管的放大能力

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：105kb
    • 提供者：weixin_38673909

  1. 双极型晶体管的结构_工作原理及特性曲线

  2. 双极型晶体管　　双极型晶体管一般有三个电极（即三个引出脚），按工作性质可以分为高、低频晶体三极管；大功率、中功率和小功率晶体三极管；用作信号放大用的三极管和用作开关的三极管。按材料分为锗三极管和硅三极管，由于硅三极管稳定性较好，所以大部分的三极管都是用硅材料做的。　　双极型晶体管的结构　　双极型晶体管是由两个靠的很近的背靠背的PN结构成。一般分为PNP和NPN型两种，具体结构如下图所示。无论是NPN型或是PNP型的三极管，它们均包含三个区：发射区、基区和集电区，并相应地引出三个电极：发射极（e）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：130kb
    • 提供者：weixin_38695773

  1. 浅析晶体管偏置电路设计实现方案

  2. 双极结型晶体管（BJT）操作为在应用如放大器，振荡器等，或者在转换器的数字装置和开关电路或者模拟设备。晶体管的这种双重作用是通过晶体管偏置实现的。　　施加到晶体管的两个PN结的偏置会影响多数载流子的运动，从而影响晶体管的性能。晶体管在放大器中工作的偏置与基于晶体管的转换器中的偏置完全不同。表1给出了有关当晶体管用作模拟和数字设备时发射极和集电极结处的工作范围和偏置条件的详细信息。　　表1晶体管的工作区域和偏置条件　　晶体管开关的偏置电路通常称为基极驱动电路。我们正在讨论晶体管放大器中的晶体管偏置

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：113kb
    • 提供者：weixin_38704565
« 12 3 4 5 »