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搜索资源 - 在氧化层生长过程中模拟Al1060在800-910K时的正常光谱发射率
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在氧化层生长过程中模拟Al1060在800-910 K时的正常光谱发射率
这项工作旨在模拟在空气中氧化物层在800到910 K的温度范围内生长过程中铝1060的正常光谱发射率。因此,已在6小时的加热条件下测量了铝1060的正常光谱发射率。在一定温度下的周期。 在我们的实验中,来自样品的辐射被InGaAs光电二极管检测器接收, 作品 在 1.5 微米 和 这 带宽 的 20 纳米 这 温度 的 样品 表面 是 通过平均对称焊接在前表面的两个铂铑热电偶来测量 的 样品 靠近 这 测量 区域 由检测器查看。 强 振荡 正常的 光谱发射率 有 是 观测到的 和 讨论过 确认已
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-17
文件大小:598kb
提供者:
weixin_38712416