注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 模拟电子技术基础电子教案

  2. 《 模 拟 电 子 技 术 基 础 》 教学计划 2005.2.21～2005.6.10 周次 学时 内 容 作 业 思 考 题 复 习 备 注 1 2 绪论； 2.1 单管共射放大电路的组成和工作原理； （01） 1.〖2.1.1〗 2.〖2.1.2〗3.〖2.1.3〗 4.〖2.1.4〗 P118~P132 第2章15学时习题课2学时 2 4 2.2 放大电路的分析方法；2.3 频率 响应的基本概念及单管共射放大电路的频率响应特性 （02~03） 1.〖2.2.2〗 2.〖2.2.5〗3.

  3. 所属分类：Java

    • 发布日期：2009-05-23
    • 文件大小：4mb
    • 提供者：qswsl

  1. 模拟电子线路（课件转Word版）

  2. 01单元 半导体器件基础 半导体的导电特性 导体、绝缘体和半导体 本征半导体的导电特性 杂质半导体的导电特性 PN结 晶体二极管 二极管的结构与伏安特性 半导体二极管的主要参数 半导体二极管的等效电路 与开关特性 稳压二极管 晶体三极管 三极管的结构与分类 三极管内部载流子的运动规律、电流分配关系和放大作用 三极管的特性曲线 三极管的主要参数 三极管的开关特性 场效应管 结型场效应管 绝缘栅型场效应管 特殊半导体器件 发光二极管 光敏二极管和光敏三极管

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-01
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：pengyi92

  1. protues元件库中英文对照表

  2. protues元件库中英文对照表 默认分类 2010-07-06 20:43:18 阅读897 评论0 字号：大中小 订阅 protues元件库中英文对照表2008-01-10 13:22元件名称:protues元件库中英文对照表2008-01-10 13:22元件名称 中文名 说明 54分钟前 7407 驱动门 1N914 二极管 74Ls00 与非门 74LS04 非门 74LS08 与门 74LS390 TTL 双十进制计数器 7SEG 4针BCD-LED 输出从0-9 对应于4根线的

  3. 所属分类：数据库

    • 发布日期：2011-06-03
    • 文件大小：5kb
    • 提供者：lu330274924

  1. 三极管,场效应管参数大全

  2. 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2008-09-15
    • 文件大小：206kb
    • 提供者：noraml

  1. 从零开始学模拟电子技术 刘建清版全

  2. 从零开始学模拟电子技术 第一章　二极管基本电路 　第一节　半导体基础知识 　第二节　普通二级管及其应用 　第三节　稳压二极管及其应用 第二章　半导体三检管放大电路 　第一节　半导体三极管 　第二节　共发射极放大电路 　第三节　共集电极和共基极放大电路 第三章　多级放大电路 　第一节　多级放大电路概述 　第二节　阻容耦合多极放大电路 　第三节　变压器耦合多极放大电路 　第四节　直接耦合多级放大电路 第四章　放大电路的频率响应 　第一节　频率响应基本概念 　第二节　放大电路的频率响应 第五章　放大

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2017-10-14
    • 文件大小：41mb
    • 提供者：u011251940

  1. 场效应管的原理及分类

  2. 　各类场效应管根据其沟道所采用的半导体材料，可分为N型沟道和P型沟道两种。所谓沟道，就是电流通道。 　　半导体的场效应，是在半导体表面的垂直方向上加一电场时，电子和空穴在表面电场作用下发生运动，半导体表面载流子的重新分布，因而半导体表面的导电能力受到电场的作用而改变，即改变为加电压的大小和方向，可以控制半导体表面层中多数载流子的浓度和类型，或控制PN结空间电荷区的宽度，这种现象称半导体的场效应。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-04-20
    • 文件大小：100kb
    • 提供者：zmq5411

  1. 嵌入式硬件基础.pdf

  2. 嵌入式硬件基础.pdf,基础中的基础目求 目录 第一章常用硬件 1.1半导体器件分类 1.2分立器件… 二极管 1.二极管的基本特性 2.二极管的分类 1)整流二极管 2)稳压二极管 3)开关二极管 4)发光二极管 :····· 三极管 1.三极管的基本特性 2.三极管的分类 3.三极管的三种工作状态 1)截止状态 2)放大状态 .····.···;·· 3)饱和导通状态 电阻 55566 1.电阻的主要参数 1)标称阻值..6 2)允许误差 3)额定功率 2.电阻的分类… 垂着垂垂着D看看 3

  3. 所属分类：嵌入式

  1. 常见元器件的识别——场效应晶体管放大器

  2. 场效应晶体管的特点、分类及场效应管与晶体管的比较。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：32kb
    • 提供者：weixin_38725734

  1. 场效应管的分类

  2. 述场效应管的几种分类方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：15kb
    • 提供者：weixin_38744526

  1. 场效应管的识别与检测

  2. 场效应管是场效应晶体管的简称，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、安全工作区域宽、受温度影响小等优点，特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路。场效应管和三极管都能实现信号的控制和放大，但由于它们的结构和工作原理截然不同，所以二者的差别很大。三极管是一种电流控制元件，而场效应管是一种电压控制器件。 1 场效应管的分类 场效应管可分结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）两大类。结型场效应管因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管则因栅极与其他电极完全绝缘而得名。结型场效应管又分为N沟

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：148kb
    • 提供者：weixin_38714370

  1. 简析场效应管如何分类

  2. 场效应管的分类 场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。 结型场效应管（JFET） 1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：71kb
    • 提供者：weixin_38548421

  1. 场效应管符号和分类

  2. 场效应管简称为场效应管，是一种高输入阻抗的电压控制型半导体。下面就一起来学习一下

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-20
    • 文件大小：25kb
    • 提供者：weixin_38550605

  1. 场效应管分类作用参数和管脚识别

  2. 文章主要讲解场效应管分类作用参数和管脚识别的方法。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-26
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38694674

  1. 模拟技术中的模拟运放的分类及特点和运放的主要参数

  2. 1． 模拟运放的分类及特点     模拟运算放大器从诞生至今，已有40多年的历史了。最早的工艺是采用硅NPN工艺，后来改进为硅NPN-PNP工艺（后面称为标准硅工艺）。在结型场效应管技术成熟后，又进一步的加入了结型场效应管工艺。当MOS管技术成熟后，特别是CMOS技术成熟后，模拟运算放大器有了质的飞跃，一方面解决了低功耗的问题，另一方面通过混合模拟与数字电路技术，解决了直流小信号直接处理的难题。     经过多年的发展，模拟运算放大器技术已经很成熟，性能曰臻完善，品种极多。这使得初学者选用时

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：104kb
    • 提供者：weixin_38736652

  1. 模拟技术中的运算放大器种类_集成运算放大器的分类

  2. 目前广泛应用的电压型集成运算放大器是一种高放大倍数的直接耦合放大器。 　　集成运算放大器的分类 : 按照集成运算放大器的参数来分，集成运算放大器可分为如下几种类型。 　　1.通用型运算放大器 　　通用型运算放大器就是以通用为目的而设计的。这类器件的主要特点是价格低廉、产品量大面广，其性能指标能适合于一般性使用。例uA741（单运放）、LM358（双运放）、LM324（四运放）及以场效应管为输入级的LF356都属于此种。它们是目前应用最为广泛的集成运算放大器。 　　2.高阻型运算放大器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：53kb
    • 提供者：weixin_38500607

  1. 显示/光电技术中的硅基电光调制器分类

  2. 从电学结构分，可分为 　　（1）PIN结构：通过PIN［15］结构的正偏或反偏来实现载流子的注入或耗尽。其特点是制作工艺较简单，集成度差，响应频率较低，从几百kHz到几MHz。如果截面做得小，则调制频率可达几十兆赫兹甚至更高。其结构如图1所示。 　　图1   PIN结构调制臂截面 　　（2）双极场效应管结构［16］（BMFET）：通过对端电压的控制来实现载流子的注入或耗尽。工艺较PIN复杂，响应频率较高，从几MHz到几十MHz。其截面示意如图2所示。 图2  BMFET结构调制器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：113kb
    • 提供者：weixin_38662122

  1. 维库小知识：场效应管的识别与检测

  2. 场效应管是场效应晶体管的简称，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、安全工作区域宽、受温度影响小等优点，特别适用于要求高灵敏度和低噪声的电路。场效应管和三极管都能实现信号的控制和放大，但由于它们的结构和工作原理截然不同，所以二者的差别很大。三极管是一种电流控制元件，而场效应管是一种电压控制器件。 　　1  场效应管的分类 　　场效应管可分结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）两大类。结型场效应管因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管则因栅极与其他电极完全绝缘而得名。结型场效应管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：213kb
    • 提供者：weixin_38560797

  1. 模拟运放的分类及特点和运放的主要参数

  2. 1． 模拟运放的分类及特点     模拟运算放大器从诞生至今，已有40多年的历史了。早的工艺是采用硅NPN工艺，后来改进为硅NPN-PNP工艺（后面称为标准硅工艺）。在结型场效应管技术成熟后，又进一步的加入了结型场效应管工艺。当MOS管技术成熟后，特别是CMOS技术成熟后，模拟运算放大器有了质的飞跃，一方面解决了低功耗的问题，另一方面通过混合模拟与数字电路技术，解决了直流小信号直接处理的难题。     经过多年的发展，模拟运算放大器技术已经很成熟，性能曰臻完善，品种极多。这使得初学者选用时不

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：100kb
    • 提供者：weixin_38639747

  1. 场效应管——分类、结构以及原理

  2. 是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应管的结构来划分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。 　　1.结型场效应管 　　(1) 结型场效应管结构 　　N沟道结型场效应管的结构如下图所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 　 　　结型场效应管的结构示意图 　　(2) 结型场

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：133kb
    • 提供者：weixin_38717169

  1. 硅基电光调制器分类

  2. 从电学结构分，可分为 　　（1）PIN结构：通过PIN［15］结构的正偏或反偏来实现载流子的注入或耗尽。其特点是制作工艺较简单，集成度差，响应频率较低，从几百kHz到几MHz。如果截面做得小，则调制频率可达几十兆赫兹甚至更高。其结构如图1所示。 　　图1   PIN结构调制臂截面 　　（2）双极场效应管结构［16］（BMFET）：通过对端电压的控制来实现载流子的注入或耗尽。工艺较PIN复杂，响应频率较高，从几MHz到几十MHz。其截面示意如图2所示。 图2  BMFET结构调制器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：151kb
    • 提供者：weixin_38723699
« 12 »