低压低功耗全摆幅CMOS运算放大器设计与仿真pdf,ABSTRACT In recent years, more and more electronic products with battery supply are widely used, which cries for adopting low voltage analog circuits to reduce power consumption, therefore low voltage, low power analog circu

微电子工艺之所以会有今天的发展，二氧化硅做为一种优质的绝缘材料起着至关重要的作用。对于光波导器件来说，最合适生长上包层二氧化硅的做法也是采用氧化工艺。热氧化分为干氧氧化和湿氧氧化两种。干氧氧化的化学反应式为： 　　 　　氧化一般是将硅片放在石英炉内，调节反应气体的流量和温度，温度一般为750～1200℃。热氧化工艺一般用Deal和Grove模型描述 　　这里砒是二氧化硅的厚度，莎是氧化时间，A、B、τ分别是跟氧气在硅表面反应速率、氧气分子在氧化物中的扩散、说明初始氧化存在的表示时间