硅器件弥补性能差距　　尽管砷化镓有上述公认的缺点，但与硅器件相比其卓越的噪声系数和三阶截取（IP3）线性度会胜过这些不足。然而，随着当今新技术发展的优势逐渐克服传统的局限，硅器件已经是GaAs较强的竞争对手，可以提供更经济和更可靠的解决方案。　　IDT公司的F2912等新一代RF开关采用SOI技术，可以在或靠近PA装配线的非常高的温度环境下可靠地工作。这些新的硅基开关在温度高达+120℃时仍具有卓越的性能（0.4dB插入损耗，+65dBm IP3，60dB隔离度）。 　　类似于IDT F1