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24C04存储器芯片中文资料
24C04存储器芯片中文资料 有详细的中文解释,有读和写的波形看!
所属分类:
C
发布日期:2010-05-05
文件大小:529kb
提供者:
cooklxq
常用存储芯片设计指南
主要有FLASH、SSRAM、SDRAM、串行PROM等,由此延伸出去还有在接口电路中经常应用的FIFO、双口RAM等,下面的内容就是这些常用存储器芯片的原理介绍和在产品中的设计指南。
所属分类:
嵌入式
发布日期:2010-07-25
文件大小:243kb
提供者:
zhenping1cdut
存储器芯片PDF资料
一些电路设计中用到的存储器芯片PDF资料,有利于设计人员更好地选用存储器件
所属分类:
嵌入式
发布日期:2008-10-23
文件大小:1mb
提供者:
sunny7126
常用的30个芯片的PDF文档
有常用的74芯片 AD芯片 UL2003驱动芯片 存储器芯片 电机驱动芯片的PDF
所属分类:
硬件开发
发布日期:2018-01-12
文件大小:6mb
提供者:
nhwdb
常用存储器芯片设计指南
常用存储器芯片设计指南,很不错的学习资料,要的速下载。
所属分类:
硬件开发
发布日期:2018-07-05
文件大小:199kb
提供者:
xzh198401
半导体存储器的工作原理.pdf
半导体存储器的工作原理pdf,本文介绍了ROM存储器,RAM的结构及工作原理,TMS4116的刷新,4116芯片的读、写周期时序等内容。存储器芯片 A n-1~0 D m-1~0 R/ 电源 CS 地线 内部存储结构:字片式、位片式 字片式结构的存储器(64字×8位) wo 存佬单元 A0 0.0 037 Al WI 42 址 A3-> 地址寄存器 线 存佬 盘4 63 阵列 鸟5 630 53 63.7 时序挖制 读写电路 读写电路 读写电踣 Rr CS D DI D? 挖制线 嫩据线
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-14
文件大小:1mb
提供者:
weixin_38744207
基于当代DRAM结构的存储器控制器设计
当代计算机系统越来越受存储性能的限制。处理器性能每年以60%的速率增长,存储器芯片每年仅仅增加10%的带宽,本文就如何设计一种符合当代DRAM结构的高效存储器控制器进行研究。 本文第二部分介绍当代DRAM结构特点;第三部分介绍存储器控制器结构以及调度算法;第四部分介绍模拟环境以及性能表现。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-22
文件大小:176kb
提供者:
weixin_38740130
基于CPLD的容错存储器的设计实现
存储器是电路系统中最常用的器件之一,采用大规模集成电路存储芯片构成。实际统计表明,存储器在太空应用中的主要错误是由瞬态错误(也叫单个事件扰动,SEU)所引起的一位错[1]或者相关多位错,而随机独立的多位错误极少。半导体存储器的错误大体上分为硬错误和软错误,其中主要为软错误。硬错误所表现的现象是在某个或某些位置上,存取数据重复地出现错误。出现这种现象的原因是一个或几个存储单元出现故障。软错误主要是由α粒子引起的。存储器芯片的材料中含有微量放射性元素,他们会间断地释放α粒子。这些粒子以相当大的能量冲
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-21
文件大小:224kb
提供者:
weixin_38632624
E2ROM存储器读写器的制作和使用
对于存储器损坏或数据丢失引发一些奇怪的故障已成为维修中一个棘手的问题。特别是存储器的更换,大家知道,市面上出售的存储器芯片都是空白的,需要使用专门的读写器来写入数据。不过串行存储器的接口电路简单,大家可利用电脑的打印机并行接口制作一个读写器,下面介绍其制作和使用方法。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-21
文件大小:76kb
提供者:
weixin_38576045
富士通首推出两款新型消费类FCRAM存储器芯
富士通(Fujitsu)微电子(上海)有限公司日前宣布推出两款新型消费类FCRAM存储器芯片-512 Mb(MB81EDS51*5)和256 Mb(MB81EDS25*5)。这两款芯片支持DDR SDRAM接口,是业界首推的将工作温度范围扩大至125℃的芯片。富士通微电子已开始提供这两款新型FCRAM产品。这两款低功耗存储器适用于数字电视、数字视频摄像机等消费类电子产品的系统级封装(SiP)。 如果SiP架构上的片上系统(SoC)整合了新型FCRAM芯片,当SiP工作速度提高导致工作温度上
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-12
文件大小:50kb
提供者:
weixin_38750721
恒忆(NUMONYX)推出新系列相变存储器
Numonyx Omneo 相变存储器大幅提升写入性能和耐写次数 嵌入式应用系统的最佳选择 日前,恒忆(Numonyx)宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术,具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性,适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产,并向市场供货。 这种新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的优点于一身,一颗存储器芯片即可实现很多新功能。今天,新产品发布采用了新品牌
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-07
文件大小:80kb
提供者:
weixin_38675232
恒忆推出新相变存储器大幅提升写入性能和耐写次数
恒忆(Numonyx)作为相变存储技术(PCM)的创新者,宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术,具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性,适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产,并向市场供货。 这种新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的优点于一身,一颗存储器芯片即可实现很多新功能。今天,新产品发布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM,其写入速度有望达到现有闪存的300倍,
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-07
文件大小:99kb
提供者:
weixin_38628429
意法半导体发表1MHz双线串行总线EEPROM存储器芯片
意法半导体(ST)推出1MHz双线串行总线EEPROM存储器芯片,存储密度分别为256-Kbit、512-Kbit和1-Mbit,兼容I2C Fast-Mode-Puls模式,数据速率可达I2C Fast-Mode 的2.5倍。工作频率为1MHz,M24M01-HR完成1-Mbit的数据处理只需1秒钟;256-Kbit的M24256-BHR只需四分之一秒;512-Kbit的M24512-HR完成数据处理只需半秒钟。 这些新的双线串行总线EEPROM支持多种访存模式,包括按
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-19
文件大小:48kb
提供者:
weixin_38606656
ST推出1MHz双线串行总线EEPROM存储器芯片
意法半导体(ST)推出1MHz双线串行总线EEPROM存储器芯片,存储密度分别为256-Kbit、512-Kbit和1-Mbit,兼容I2C Fast-Mode-Puls模式,数据速率可达I2C Fast-Mode 的2.5倍。工作频率为1MHz,M24M01-HR完成1-Mbit的数据处理只需1秒钟;256-Kbit的M24256-BHR只需四分之一秒;512-Kbit的M24512-HR完成数据处理只需半秒钟。 这些新的双线串行总线EEPROM支持多种访存模式,包括按字节写入模式以及按
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-19
文件大小:48kb
提供者:
weixin_38621272
采用SO8窄封装的SPI串口EEPROM存储器芯片
意法半导体今天推出一款采用外壳宽度仅为150-mil (3.8mm)的微型SO8N封装、支持SPI(串行外设接口)总线的1兆位串口EEPROM存储器芯片— 目前市场上唯一的在如此小的封装内放进如此高密度的SPI串口EEPROM存储器。除窄封装外,新产品M95M01还有一个SO8W宽封装版。该产品是为参数快速变化的存储应用专门设计的,例如:数字电视、DVD影碟机、游戏机以及医疗设备、工控机、汽车信息娱乐和计算机外设等。存储密度从1千位一直到1兆位,ST的SPI EEPROM系列产品是目前市场上的最
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-26
文件大小:53kb
提供者:
weixin_38528463
ST推出兼容EPC的UHF存储器芯片 适用于RFID标签
意法半导体(ST)日前推出一个兼容最新的Electronic Product Code(EPC)规范的甚高频(UHF)非接触式存储器芯片,这款代号为XRAG2的芯片能够满足下一代供应链管理及物流应用的主要需求:全球互操作性、增强型安全性和优化的性能。 作为EPCglobal工业联盟的一个积极的成员公司,意法半导体致力于倡导开放的全球标准,实时自动识别供应链管理中的产品。新的XRAG2构建于上一代产品(XRA00)的成功基础之上,加强了ST对支持标准化超长射程RFID系统解决方案的承诺。
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-29
文件大小:68kb
提供者:
weixin_38704830
RFID厂商推出甚高频非接触式存储器芯片
这个兼容EPC第二代标准的UHF器件具有全球兼容性、稳健的性能和更高的安全性 世界射频识别(RFID)技术的领导厂商意法半导体(纽约证券交易所:STM)日前推出一个兼容最新的Electronic Product Code? (EPC)规范的甚高频(UHF)非接触式存储器芯片,这款代号为XRAG2的芯片能够满足下一代供应链管理及物流应用的主要需求:全球互操作性、增强型安全性和优化的性能。 作为EPCglobal工业联盟的一个积极的成员公司,意法半导体致力于倡导开放的
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-29
文件大小:69kb
提供者:
weixin_38664532
闪速存储器芯片K9F6408系列的典型应用
作者Email: cat_yuan163.com 摘要:K9F6408系列是8M×8bit的NAND型闪速存储器。它以其快速读写循环,数据硬件保护,可擦除,I/O口命令/地址/数据线复用和接口便利等特点,正成为大型数据如语音、数字图像、文件等系统数据的载体。本文给出了K9F640800A与单片机P87C52的硬件连接电路及闪速存储器操作的软件应用程序。 关键词:flash 存储器;扇区;操作;应用程序 1、概述 存储器是计算机外围产品的重要组成部分,在经历了ROM, P
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-10
文件大小:86kb
提供者:
weixin_38716081
ST发布采用SO8窄封装的SPI串口EEPROM存储器芯片
非易失性存储器IC厂商意法半导体(ST)日前推出一款采用外壳宽度仅为150-mil(3.8mm)的微型SO8N封装、支持SPI(串行外设接口)总线的1兆位串口EEPROM存储器芯片——目前市场上唯一的在如此小的封装内放进如此高密度的SPI串口EEPROM存储器。除窄封装外,新产品M95M01还有一个SO8W宽封装版。该产品是为参数快速变化的存储应用专门设计的,例如:数字电视、DVD影碟机、游戏机以及医疗设备、工控机、汽车信息娱乐和计算机外设等。 M95M01采用128-Kbits×8
所属分类:
其它
发布日期:2020-12-04
文件大小:52kb
提供者:
weixin_38526780
AT45DB161(FLASH存储器芯片).pdf
AT45DB161D是一款2.5V或2.7V,串行接口的FLASH存储器,是各种数字语音,图像,程序代码和数据存储应用的理想选择。AT45DB161D支持RapidS串行接口,适用于要求高速操作的应用
所属分类:
电信
发布日期:2021-01-05
文件大小:2mb
提供者:
ZLI18772823800
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