JEDEC在1月为宽I/O移动DRAM发布的标准使用穿透硅通孔（TSV）在三维（3D）集成电路上连接DRAM和逻辑。凭借其512位宽的数据接口，在不增加功耗的前提下，JESD229宽I/O单倍数据速率（SDR）的带宽是低功耗双倍数据速率2（LPDDR2）规范的两倍。 　　在同构裸片间使用TSV连接的器件已经上市。宽I/O领先以TSV方式连接异构裸片的技术。 　　提供同构TSV连接器件的公司有Xilinx（其Virtex-7 2000T现场可编程门阵列，使用TSV连接逻辑和逻辑）、三星（其32

JEDEC在1月为宽I/O移动DRAM发布的标准使用穿透硅通孔（TSV）在三维（3D）集成电路上连接DRAM和逻辑。凭借其512位宽的数据接口，在不增加功耗的前提下，JESD229宽I/O单倍数据速率（SDR）的带宽是低功耗双倍数据速率2（LPDDR2）规范的两倍。 　　在同构裸片间使用TSV连接的器件已经上市。宽I/O以TSV方式连接异构裸片的技术。 　　提供同构TSV连接器件的公司有Xilinx（其Virtex-7 2000T现场可编程门阵列，使用TSV连接逻辑和逻辑）、三星（其32GB