通过射频磁控溅射在硅（1 0 0）衬底上沉积多晶Zn（1-x）Eu（x）O（x = 0，0.02，0.05）薄膜。 研究了薄膜的结构，光学和磁性。 X射线衍射和光致发光光谱的结果都表明Eu（3+）离子成功替代了ZnO晶格中的Zn（2+）离子。 磁场和磁化曲线的温度依赖性表明，Zn（0.95）Eu（0.05）O薄膜在室温下是铁磁性的。 通过X射线衍射，拉曼光谱和零场冷测量，在Eu掺杂的薄膜中未发现杂质相。 铁磁性归因于Eu掺杂的ZnO薄膜的固有性质，并且可以通过束缚磁极化子模型来解释。

本文报道了通过射频磁溅射成功将（掺杂的ZnO薄膜成功沉积在硅（100）上。 X射线衍射图表明，Eu替代了晶格中的Zn。 通过使用超导量子干涉装置在10 K和室温下获得铁磁环。 在零场冷却曲线和场冷却曲线中均未发现不连续的变化。 Eu掺杂的ZnO中观察到的铁磁性可归因于单个磁相。 通过在溅射气体中引入5％的氧气或在O（2）中进行后退火制备的Eu掺杂ZnO的饱和磁化强度显着降低，这表明缺陷在Eu掺杂ZnO的铁磁性发展中起关键作用电影。