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  1. 本科毕业论文-带隙基准.pdf

  2. 本文阐述了 Banba 和 Leung 两种基本带隙基准电压源电路的工作原理，分析了 Leung结构对于 Banba 结构改进的方法，分别对两个电路的参数进行了设计，并仿真其性能，由此来比较了它们各自的特点。 得到的结论是 Banba 结构的输出电压温度系数更小， 而 Leung结构的最低电源电压可以降到 1V 左右，有益于向低电压设计的发展。仿真采用 SMIC0.18um 标准 CMOS Spice 工艺模型在 Hspice 中进行，两者的输出电压都在 0.5V 左右，温度系数在 10e-5

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-05-02
    • 文件大小：549kb
    • 提供者：gsjthxy

  1. 带隙基准源电路的基本原理及仿真分析

  2. 模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与绝对温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：196kb
    • 提供者：weixin_38732924

  1. 一种二阶补偿带隙基准设计

  2. 基于分段补偿原理和MOS管的漏极电流是过驱动电压的平方关系函数，提出了一种新颖的二阶补偿结构，仅引入一股与温度成平方关系的电流，既补偿了低温阶段的基准电压，又补偿了高温阶段的基准电压，大大提高了基准电压源随温度变化的稳定性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-20
    • 文件大小：74kb
    • 提供者：weixin_38500572

  1. 0．5μm CMOS带隙基准电路设计

  2. 现以带隙基准电压源的产生原理为基础，提出了一种具有良好自启动和低功耗特性的CMOS带隙基准电压源。该带隙基准电压源用于BLVDS总线收发器电路，主要为BLVDS总线驱动器、接收器提供所需的1．25 V偏置电压。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：53kb
    • 提供者：weixin_38629303

  1. 一种采用二次曲率补偿的带隙基准源

  2. 基于二次曲率补偿的基本原理,提出一种高精度的采用二次曲率补偿的新型带隙基准源电路,产生二次温度补偿量对传统的带隙基准源进行校正,获得更小的温度系数。该电路采用0.6μm的CMOS工艺实现。经过Spectre仿真,结果表明在-50~+125℃的温度范围内,基准电压源的平均温度系数为4.47 ppm/℃。该基准源可以被应用于各种高精度的模拟和混合集成电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：62kb
    • 提供者：weixin_38707862

  1. 高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 本文所采用的基准源电路利用传统带隙基准源的核心电路原理，通过饱和状态MOS等效电阻对PTAT电流动态反馈补偿，基本实现了基准源的稳定要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-11
    • 文件大小：304kb
    • 提供者：weixin_38680957

  1. 一种用于高精度DAC的实用型CMOS带隙基准源

  2. 为了满足一种高速、高精度DAC的设计要求。通过带隙基准电压源的基本设计原理，设计了一种实用型的基准电压源，获得了一个快速启动、高稳定性的电压基准电路。基于40 nm的CMOS标准工艺并用cadence软件进行了后仿真，仿真结果表明在室温下，电源电压为2.5 V时输出基准电压为1.184 V；启动时间为0.5 μs；消耗功耗为0.185 5 mW；在-15 ℃～75 ℃的温度范围内温度漂移系数为8.7×10-5/℃；在低频时电源电压抑制比为-85 dB；绘制版图的面积大小仅为154.799 μm×

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：393kb
    • 提供者：weixin_38502239

  1. 电源技术中的介绍一种运用曲率补偿的带隙基准源电路

  2. 1 引 言 　　带隙是半导体量子物理的名词，带是能量带，隙是两带之间的电势差。晶体管的PN结压降与这有关。带隙基准源是利用三极管的Vbe的特性做出来的低温度系数的电压基准。　 　带隙基准源广泛应用于各类集成电路之中。本文介绍带曲率补偿的带隙基准源的原理，并将其与传统带隙基准源进行比较，突出其在温度特性上的优点，并介绍一种运用曲率补偿的带隙基准源电路。 2 传统带隙基准源原理 　　带隙基准的原理是产生分别带正温度系数和负温度系数的电压，然后通过电路让其相加得到温度系数很小，甚至没有温度系数的电压。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：169kb
    • 提供者：weixin_38666300

  1. 低压CM0S带隙基准电压源设计

  2. 本文首先对传统的带隙电压源原理进行分析，然后提出了一种比较廉价且性能较高的低压带隙基准电压源，采用电流反馈、一级温度补偿技术设计了低压CMOS带隙基准源电路，使其电路能工作在较低的电压下。本文介绍这种带隙电压基准源的设计原理，给出了电路的仿真结果，并对结果进行了分析。并基于CSMC 0．5μm Double Poly Mix Process对电路进行了仿真，得到理想的结果。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：342kb
    • 提供者：weixin_38673924

  1. 一种用于D/A转换电路的带隙基准电压源的设计

  2. 本文介绍了带隙基准电压源的原理，实现了一个高精度的带隙基准电压源电路。此电路在-20℃~100℃的温度范围内，有效温度系数为6.1ppm/℃；电源电压在1.6V~2.0V 变化时，其电源抑制比为103.7dB。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-18
    • 文件大小：141kb
    • 提供者：weixin_38590456

  1. 一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 本文通过对传统带隙基准源的基本原理分析，设计的基准电路工作电压为5～10 V，通过饱和状态MOS等效电阻对PTAT电流反馈补偿，得到了82 dB的电源电压抑制比和低于7．427 ppm／℃的温度系数，版图面积0．022 mm2。该电路产生的基准源电压基本满足普通应用要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：293kb
    • 提供者：weixin_38551749

  1. 一种采用二次曲率补偿的带隙基准源

  2. 本文介绍带曲率补偿的带隙基准源的原理，并将其与传统带隙基准源进行比较，突出其在温度特性上的优点，并介绍一种运用曲率补偿的带隙基准源电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：212kb
    • 提供者：weixin_38650629

  1. 模拟技术中的一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 引言 　　模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与绝对温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。 　　近年来有研究指出，当漏电流保持不变时，工作在弱反型区晶体管的栅源电压随着温度升高而在一定范围内近似线性降低。基于该特性，带隙基准源所采

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：246kb
    • 提供者：weixin_38631182

  1. 电源技术中的一种高精度低电源电压带隙基准源的设计

  2. 摘 要： 设计了一种可在低电源电压下工作，具有较高电源电压抑制比、低温度系数和低功耗的带隙基准电压源。电路基于对具有正负温度系数的两路电流加权求和的原理，对传统电路做出了改进。采用UMC 0.25 umCMOS工艺模型，使用Hspice 进行模拟，设计的基准源输出电压为900 mV，电源电压可降低到1.1 V，温度系数为8.1*10-6/°C。 　　输出不随温度、电源电压变化的基准电压源，在模拟和混合集成电路中应用广泛，特别是在高精度的场合，基准电压源是整个系统设计的前提。 　　由于带隙基准

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：324kb
    • 提供者：weixin_38694023

  1. 一种带有软启动的精密CMOS带隙基准设计

  2. 引 言 　　带隙基准是所有基准电压中最受欢迎的一种，由于其具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点，所以被广泛地应用于高精度的比较器、A/D或D/A转换器、LDO稳压器以及其他许多模拟集成电路中。带隙基准的主要作用是在集成电路中提供稳定的参考电压或参考电流，这就要求基准对电源电压的变化和温度的变化不敏感。 　　本文结合工程实际的要求设计了一款具有低噪声、高精度且可快速启动的CMOS带隙基准源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M标准CMOS工艺模型库进行仿真，HSPICE的仿真结果

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：140kb
    • 提供者：weixin_38629801

  1. 模拟技术中的CMOS带隙基准电压源的设计

  2. 0 引言 　　随着系统集成技术(SOC)的飞速发展，基准电压源已成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。基准电压源是超大规模集成电路和电子系统的重要组成部分，可广泛应用于高精度比较器、A/D和D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。事实上，高性能基准电压源直接影响着电子系统的性能和精度。由于带隙基准电压源能实现高电源抑制比(PSRR)和低温度系数，为此，本文提出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺的高性能带隙基准电压源的设计方法。 1 带隙

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：83kb
    • 提供者：weixin_38703468

  1. 模拟技术中的一种用于D/A转换电路的带隙基准电压源的设计

  2. 摘要：本文介绍了带隙基准电压源的原理，实现了一个高精度的带隙基准电压源电路。此电路在-20℃~100℃的温度范围内，有效温度系数为6.1ppm/℃；电源电压在1.6V~2.0V 变化时，其电源抑制比为103.7dB。     基准电压源在DAC电路中占有举足轻重的地位，其设计的好坏直接影响着DAC输出的精度和稳定性。而温度的变化、电源电压的波动和制造工艺的偏差都会影响基准电压的特性。本文针对如何设计一个低温度系数和高电源电压抑制比的基准电压源作了详细分析。    从DAC电路的实际工作环境考虑

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：157kb
    • 提供者：weixin_38602563

  1. 电源技术中的一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计

  2. 在A／D和D／A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中，都需要高精度、高稳定性的基准电压源，并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式，其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点，因而得到了广泛的应用。 本文在基于传统带隙电压基准源原理的基础上，采用电流反馈、一级温度补偿等技术，同时在电路中加入启动电路，设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源，并在S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：195kb
    • 提供者：weixin_38714653

  1. 0.5 μm CMOS带隙基准电路设计

  2. 依据带隙基准原理，采用华润上华（CSMC）0.5 μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺，设计了一种用于总线低电压差分信号（Bus Low Voltage Differential Signal，简称BLVDS）的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比。Hspice仿真结果表明，在电源电压VDD=3.3 V，温度T=25℃时，输出基准电压Vref=1.25 V。在温度范围为-45℃～+85℃时，输出电压的温度系数为20 pm/℃，电源电压的抑制比δ（PSRR）=-58

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-01
    • 文件大小：702kb
    • 提供者：weixin_38674115

  1. 一种新型高CMOS带隙基准源的设计

  2. 引言 　　模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。 　　近年来有研究指出，当漏电流保持不变时，工作在弱反型区晶体管的栅源电压随着温度升高而在一定范围内近似线性降低。基于该特性，带隙基准源所采用的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：336kb
    • 提供者：weixin_38596267
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