第1部分 　　增强型氮化镓（eGaN）FET与硅功率MOSFET相比有许多优势，而且就像MOSFET一样，许多设计人员想通过并联器件来提高其转换器的功率性能。因为eGaN FET的开关速度要比商用MOSFET快十倍，所以并联会带来许多新挑战。这篇文章分成两部分，讨论了这些挑战并提出了如何获得优异性能的建议。 　　本文介绍了5种采用半桥配置的基本设计，其中每个开关使用了4个EPC2001并联器件（100V、25A）。还讨论了每个参量因子的优缺点。最后展示了一种使用并联eGaN FET设计的1M

第1部分 　　增强型氮化镓（eGaN）FET与硅功率MOSFET相比有许多优势，而且就像MOSFET一样，许多设计人员想通过并联器件来提高其转换器的功率性能。因为eGaN FET的开关速度要比商用MOSFET快十倍，所以并联会带来许多新挑战。这篇文章分成两部分，讨论了这些挑战并提出了如何获得优异性能的建议。 　　本文介绍了5种采用半桥配置的基本设计，其中每个开关使用了4个EPC2001并联器件（100V、25A）。还讨论了每个参量因子的优缺点。展示了一种使用并联eGaN FET设计的1MHz