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  1. 电力电子笔记（开关损耗）.pdf

  2. 电力电子笔记（开关损耗） 开关损耗与吸收电路 做开关电源的朋友 和电机控制的朋友可以看看

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-07-08
    • 文件大小：426kb
    • 提供者：shlocky

  1. 低开关损耗SVPWM整流器的实现

  2. SVPWM实现的一篇论文，供参考：提出二种将两相调制技术应用于SVPWM 整流器从而获得低开关损耗的控制算法，基于TMS320F240 DSP进行数字实现，并验证了可行性

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2009-09-24
    • 文件大小：136kb
    • 提供者：xingzoumm

  1. MOS 管开关损耗测试.docx

  2. MOS 管开关损耗测试docx,开关管作为开关电源产品中最贵的元器件之一，也是最容易损坏的元器件。一般开关管的损坏有两种原因：一个是温度，一个是Vds电压超标。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：77kb
    • 提供者：weixin_38744375

  1. ( 开关损耗及软开关技术.pdf )

  2. ( 开关损耗及软开关技术.pdf )( 开关损耗及软开关技术.pdf )

  3. 所属分类：微软认证

    • 发布日期：2012-06-29
    • 文件大小：132kb
    • 提供者：q123456789098

  1. 理解功率MOSFET的开关损耗

  2. 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：75kb
    • 提供者：weixin_38702931

  1. 新型MOSFET在升压变换器中减少开关损耗的解决方案

  2. 在开关电源设计中，效率是一个关键性的参数。输入和输出滤波电容器、变压器磁芯的几何图形与特性及开关器件等，都会影响系统的效率。为减小滤波电容和磁性元件的尺寸，开关电源的频率在不断提高。因此，功率器件的开关损耗在整个系统损耗中占有更大的比重。本文回顾了升压型变换器的基本工作原理，作为QFET的一个应用实例，介绍了FQP10N20型QFET在70W彩色监视器升压变换器电源中作为开关使用的优点。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：55kb
    • 提供者：weixin_38594252

  1. 理解MOSFET开关损耗和主导参数

  2. 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-25
    • 文件大小：75kb
    • 提供者：weixin_38716460

  1. FPGA平台实现最小开关损耗的SVPWM算法

  2. 详细分析了SVPWM的原理，介绍一种根据负载的功率因子来决定电压空间零矢量的分配与作用时间的SVPWM算法，使得桥臂开关在通过其电流最大时的一段连续时间内没有开关动作。这样在提高开关频率的同时减小了开关电流，以此得到具有最小开关损耗的SVPWM算法。Si-mulink仿真结果验证了理论的正确性，ModelSim的仿真结果表明该算法在FPGA平台上实现的可行性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：317kb
    • 提供者：weixin_38656364

  1. 理解功率MOSFET的开关损耗

  2. 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：176kb
    • 提供者：weixin_38629920

  1. 新型MOSFET在升压变换器中减少开关损耗的解决方案

  2. 升压变换器通常应用在彩色监视器中。为提高开关电源的效率，设计者必须选择低开关损耗的MOSFET。在升压变换器中，利用QFET新型MOSFET能够有效地减少系统损耗。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：188kb
    • 提供者：weixin_38518722

  1. 元器件应用中的Vishay推出新款超快二极管，优化系统开关损耗

  2. 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布11款新型Gen2 650V FRED Pt?超快二极管。“H”系列裸片器件适用于频率在40kHz以上的应用，具有极快的和软恢复的时间，以及低正向压降和反向峰值电流，可减少太阳能逆变器、UPS、电动汽车和混合动力汽车、电焊机、服务器和连续导通模式功率因数校正（CCM PFC）中的开关损耗。根据用户需求设计的“U”系列可用于频率最高为40kHz的应用，具有低得多的正向压降，可优化导通损耗。 　　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：113kb
    • 提供者：weixin_38685521

  1. 谐振电路升压转换器可降低超便携式应用开关损耗

  2. 最近，为了降低无源元件的尺寸并获得快速动态响应，驱动频率已被提高至MHz的数量级。但驱动频率越高，开关损耗就越大。随着开关频率不断增加，MOSFET的开关损耗将超过导通损耗。特别是由于功率器件是在最高电压电流条件下关断的，因此，升压转换器的关断开关损耗要大于导通开关损耗。本文将介绍一种简单的能够降低或消除升压转换器开关损耗的LC谐振网络，并详细分析其工作模式。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-18
    • 文件大小：375kb
    • 提供者：weixin_38711778

  1. 功率MOSFET的开关损耗之探讨

  2. 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：181kb
    • 提供者：weixin_38622983

  1. 在升压变换器中利用新型MOSFET减少开关损耗

  2. 升压变换器通常应用在彩色监视器中。为提高开关电源的效率，设计者必须选择低开关损耗的MOSFET。在升压变换器中，利用QFET新型MOSFET能够有效地减少系统损耗。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：148kb
    • 提供者：weixin_38659248

  1. 模拟技术中的功率MOSFET的开关损耗之探讨

  2. 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。 　　MOSFET开关损耗 　　1 开通过程中MOSFET开关损耗 　　功率MOSFET的栅极电荷特性如图1所示。值得注意的是：下面的开通过程对应着BUCK变换器上管的开通状态，对于下管是0电压开通，因此开关损耗很小，可以忽略不计。 图1 MOSFET开关过程中栅极电荷特性 　　开通过程中，从t0时刻起，栅源极间电容开始充电，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：168kb
    • 提供者：weixin_38717870

  1. 模拟技术中的利用MOSFET降低传导和开关损耗

  2. 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。 　　监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高，也要求更低的导通阻抗，同时不能影响非钳位电感性开关（UIS）能力或者不增加开关损耗。屏蔽栅极MOSFET可为30～200V范围的DC/DC电源设计人员提供相关解决方

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：141kb
    • 提供者：weixin_38630697

  1. 电源技术中的开关调节器的效率（考虑交叠开关损耗）

  2. 交叠开关损耗（或称为电压电流重叠损耗），可以根据某时段内电压电流的动态曲线按照上升电流和下降电压的斜率进行计算。图（a）示出了最 理想的曲线，但实际上它很难达到。 　　如图 开关管的电压电流重叠曲线 　　对于图（a）所示的最理想状态，在V导通时，电压电流变化同时开始，同时结束。开关管V的电流从零上升到Io的同时，V上的电压从最大值Udo下降到零。导通期间平均功率为，而整个周期的平均功率为（IoUdc/6）（Ton/Ts）。 　　若考虑同样的理想状态，在V关断时电流下降和电压上升同时开始

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：177kb
    • 提供者：weixin_38737213

  1. 电源技术中的开关调节器的效率（忽略交叠开关损耗）

  2. 了解了开关管V和续流二极管D的电流D（见图d、e）就可以计算电路的损耗和效率。若电流流过开关管V和二极管D时导通压降为零，则总的损耗就为零，效率为100％，V关断时，其承受最大电压为Udc，但电流为零，因此损耗为零；V导通时，D的反向电压为Udc，但电流极小，损耗同样为零。 如图  开关调节器的效率 　　这样，电路的所有损耗只是V和D的导通损耗加上V的交叠开关损耗。在V导通瞬间，V的上升电流和下降的电压有交叠，会造成导通损耗。而在 V关断瞬间、下降的电流和上升的电压有交叠，会造成关断损耗

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：94kb
    • 提供者：weixin_38728464

  1. 准确测量开关损耗

  2. 一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢？ 　　开关损耗 　　由于开关管是非理想型器件，其工作过程可划分为四种状态，如图1所示。“导通状态”表示开关管处于导通状态；“关闭状态”表示开关管处于关闭状态；“导通过程”是指开关管从关闭转换成导通状态；“关闭过程”指开关管从导通转换成关闭状态。一般来说，主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”，小部分能量

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：229kb
    • 提供者：weixin_38599545

  1. 功率MOSFET的开关损耗之探讨

  2. 本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。 　　MOSFET开关损耗 　　1 开通过程中MOSFET开关损耗 　　功率MOSFET的栅极电荷特性如图1所示。值得注意的是：下面的开通过程对应着BUCK变换器上管的开通状态，对于下管是0电压开通，因此开关损耗很小，可以忽略不计。 图1 MOSFET开关过程中栅极电荷特性 　　开通过程中，从t0时刻起，栅源极间电容开始充电，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：209kb
    • 提供者：weixin_38601215
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