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  1. 模拟技术中的提供低损耗大功率的MOSFET

  2. 硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量，从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板，一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失，或相当于受控能量的5%。此外，为二极管散热而开发一个冷却系统的成本也可能产生问题。 　　本例给出了一个更经济的方案，它用一个工作在开关模式的MOSFET晶体管，代替了传统的功率二极管。图1显示了采用一只MOSFET晶体管Q1的整流电路，MOSFET管在on状态下有低的漏-源电阻。电路中，V2代

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：118kb
    • 提供者：weixin_38551205

  1. 提供低损耗大功率的MOSFET

  2. 硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量，从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板，一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失，或相当于受控能量的5%。此外，为二极管散热而开发一个冷却系统的成本也可能产生问题。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：137kb
    • 提供者：weixin_38693589

  1. IR推出大罐式DirectFET MOSFET系列

  2. 导读：全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 推出大罐式DirectFET MOSFET系列。 　　该系列适用于要求极低导通电阻 （RDS（on）） 的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变器，以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。 　　全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封装器件提供卓越的导通电阻性能，从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：135kb
    • 提供者：weixin_38553275

  1. 电源技术中的凌力尔特公司推出单片高电压理想控制器LTC4357

  2. 2007年8月27 日，凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357，该器件在多重 N+1 冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案。         LTC4357 控制一个外部 N 沟道MOSFET 以执行低正向电压二极管功能。与肖特基二极管相比，这提供了一个较低损耗的通路，因此在大功率应用中，不仅实现了效率更高的解决方案，而且由于无需散热器，所以节省了宝贵的电路板面积。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：79kb
    • 提供者：weixin_38667581

  1. 单片机与DSP中的凌力尔特“或”控制器可实现无振荡平滑电压切换

  2. 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357，该器件在多重N+1冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案。LTC4357控制一个外部N沟道MOSFET以执行低正向电压二极管功能。与肖特基二极管相比，这提供了一个较低损耗的通路，因此在大功率应用中，不仅实现了效率更高的解决方案，而且由于无需散热器，所以节省了宝贵的电路板面积。LTC4357控制MOSFET两端的正向压降，确保以无振荡

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：72kb
    • 提供者：weixin_38637983

  1. 工业电子中的Linear推出高电压理想二极管“或”控制器LTC4357

  2. 凌力尔特公司推出单片高电压理想二极管“或”控制器 LTC4357，该器件在多重 N+1 冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案。LTC4357 控制一个外部 N 沟道 MOSFET 以执行低正向电压二极管功能。与肖特基二极管相比，这提供了一个较低损耗的通路，因此在大功率应用中，不仅实现了效率更高的解决方案，而且由于无需散热器，所以节省了宝贵的电路板面积。LTC4357 控制 MOSFET 两端的正向压降，确保以无振荡或无反向 DC 电流的方式从一个通路平滑

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38695159

  1. 元器件应用中的Linear推出单片高电压理想二极管“或”控制器 LTC4357

  2. Linear推出单片高电压理想二极管"或"控制器 LTC4357，该器件在多重 N+1 冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基"或"二极管提供了一个简单的低损耗替代方案。LTC4357 控制一个外部 N 沟道 MOSFET 以执行低正向电压二极管功能。与肖特基二极管相比，这提供了一个较低损耗的通路，因此在大功率应用中，不仅实现了效率更高的解决方案，而且由于无需散热器，所以节省了宝贵的电路板面积。LTC4357 控制 MOSFET 两端的正向压降，确保以无振荡或无反向 DC 电流的方式从一个通路平滑

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：59kb
    • 提供者：weixin_38695293

  1. 元器件应用中的凌力尔特推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357

  2. 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357，该器件在多重N+1冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案。LTC4357控制一个外部N沟道MOSFET以执行低正向电压二极管功能。与肖特基二极管相比，这提供了一个较低损耗的通路，因此在大功率应用中，不仅实现了效率更高的解决方案，而且由于无需散热器，所以节省了宝贵的电路板面积。LTC4357控制MOSFET两端的正向压降，确保以无振荡

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：59kb
    • 提供者：weixin_38683930

  1. IR推出大罐式DirectFET MOSFET系列

  2. 导读：功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 推出大罐式DirectFET MOSFET系列。 　　该系列适用于要求极低导通电阻 （RDS（on）） 的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变器，以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。 　　全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封装器件提供卓越的导通电阻性能，从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器件相似，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：141kb
    • 提供者：weixin_38637764

  1. 提供低损耗大功率的MOSFET

  2. 硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量，从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板，一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失，或相当于受控能量的5%。此外，为二极管散热而开发一个冷却系统的成本也可能产生问题。 　　本例给出了一个更经济的方案，它用一个工作在开关模式的MOSFET晶体管，代替了传统的功率二极管。图1显示了采用一只MOSFET晶体管Q1的整流电路，MOSFET管在on状态下有低的漏-源电阻。电路中，V2代

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：141kb
    • 提供者：weixin_38557068