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  1. LED灯具热量管理(祥细分析LED的散热途径与技巧)

  2. LED的输入功率是元件热效应的唯一来源，能量的一部分变成了辐射光能，其余部分最终均变成了热，从而抬升了元件的温度。显然，减小LED温升效应的主要方法，一是设法提高元件的电光转换效率（又称外量子效率），使尽可能多的输入功率转变成光能，另一个重要的途径是设法提高元件的热散失能力，使结温产生的热，通过各种途径散发到周围环境中去

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2011-01-17
    • 文件大小：457kb
    • 提供者：zaifengjiang

  1. 显示/光电技术中的大功率白光LED路灯发光板设计与驱动技术

  2. 摘要： 为最大可能提高大功率LED路灯发光板的电光转化率与散热效率，在不影响外量子效率前提下对LED芯片设计采用扩大LED芯片面积，以及电极优化技术增加LED芯片的出光量，使芯片表面热流均匀分布，芯片工作更稳定。分析了大功率白光LED的封装过程对提高芯片取光率、保障白光质量、器件散热技术的综合应用。综合上述技术及有限元分析软件对大功率LED器件封装的热阻分析结果，确定了COB（chip onboard）LED芯片的阵列组装技术，为制造LED路灯发光板的最佳技术方案。LED芯片结温很容易控制在12

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：495kb
    • 提供者：weixin_38620839

  1. 显示/光电技术中的浅析两种可提高LED光效的芯片发光层结构设计

  2. LDE的芯片结构设计是一项非常复杂的系统工程，其内容涉及以提高注入效率和光效为目的电致发光结构设计、以提高学出光效率为目的的光引出结构设计和与光效密相关的电极设计等。 　　随着MOCVD外延生长技术和多量子阱结构的发展，人们在精确控制外延、掺杂浓度和减少位错等方面都取得了突破，处延片的内量子效率已有很大提高。像波长为625nm的A1InGap基LED，内量子效率已接近极限，可达100%.A1InGap基LED的内量子效率虽远比A1InGap基LED的低，但也达40%～50%。 　　大家知道，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：100kb
    • 提供者：weixin_38682790

  1. 显示/光电技术中的基于光的回归反射技术提高LED 外量子效率

  2. 摘要: LED 芯片的外量子效率受到芯片结构、荧光粉材料等多种因素的影响，其中主要原因之一就是背部金属反射层的反射率限制了出光效率。本论文提出了一种多层介质光的回归反射层结构，就是在芯片背部衬底采用这种高反射多层介质膜作为回归反射层，代替金属反射层，由于这种高反射多层介质膜比金属反射层可将LED 芯片的背部蓝光的反射率提高8% ～ 9% ，可以有效地提高LED 的外量子效率。 　　1 引言 　　LED 属于注入式电致发光器件，其外量子效率ηext定义为发射的光子数和通过LED 的电子数之比。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38527978

  1. 提高LED外量子效率

  2. 提高发光二极管的发光效率是当前的一个研究热点。简要介绍了从芯片技术角度提高发光二极管(LED)外量子效率的几种途径,生长分布布拉格反射层结构、制作透明衬底、衬底剥离技术、倒装芯片技术、表面粗化技术、异形芯片技术、采用光子晶体结构等。此外还介绍了发光材料、能带结构以及工艺对外量子效率的影响。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-12
    • 文件大小：736kb
    • 提供者：weixin_38687928

  1. 晶片键合在AlGaInP发光二极管中的应用

  2. (AlaGa1-x)0.5In0.5P高亮度发光二极管是在GaAs衬底上匹配外延的,它的外量子效率受限于吸收光线的GaAs衬底.LED晶片键合技术可以把LED外延片和GaP透明衬底、金属镜面衬底或蓝宝石衬底结合以提高出光效率.本文对上述三种晶片键合的器件制备过程和器件特点进行了描述.

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  1. 浅析两种可提高LED光效的芯片发光层结构设计

  2. LDE的芯片结构设计是一项非常复杂的系统工程，其内容涉及以提高注入效率和光效为目的电致发光结构设计、以提高学出光效率为目的的光引出结构设计和与光效密相关的电极设计等。 　　随着MOCVD外延生长技术和多量子阱结构的发展，人们在控制外延、掺杂浓度和减少位错等方面都取得了突破，处延片的内量子效率已有很大提高。像波长为625nm的A1InGap基LED，内量子效率已接近极限，可达100%.A1InGap基LED的内量子效率虽远比A1InGap基LED的低，但也达40%～50%。 　　大家知道，LE

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：122kb
    • 提供者：weixin_38645669

  1. 基于光的回归反射技术提高LED 外量子效率

  2. 摘要: LED 芯片的外量子效率受到芯片结构、荧光粉材料等多种因素的影响，其中主要原因之一就是背部金属反射层的反射率限制了出光效率。本论文提出了一种多层介质光的回归反射层结构，就是在芯片背部衬底采用这种高反射多层介质膜作为回归反射层，代替金属反射层，由于这种高反射多层介质膜比金属反射层可将LED 芯片的背部蓝光的反射率提高8% ～ 9% ，可以有效地提高LED 的外量子效率。 　　1 引言 　　LED 属于注入式电致发光器件，其外量子效率ηext定义为发射的光子数和通过LED 的电子数之比。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38701312

  1. 大功率白光LED路灯发光板设计与驱动技术

  2. 摘要： 为可能提高大功率LED路灯发光板的电光转化率与散热效率，在不影响外量子效率前提下对LED芯片设计采用扩大LED芯片面积，以及电极优化技术增加LED芯片的出光量，使芯片表面热流均匀分布，芯片工作更稳定。分析了大功率白光LED的封装过程对提高芯片取光率、保障白光质量、器件散热技术的综合应用。综合上述技术及有限元分析软件对大功率LED器件封装的热阻分析结果，确定了COB（chip onboard）LED芯片的阵列组装技术，为制造LED路灯发光板的技术方案。LED芯片结温很容易控制在120 ℃以

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：637kb
    • 提供者：weixin_38703968

  1. 带有方形圆阳极的AlGaInP micro-LED阵列的理论和实验分析

  2. 设计并制造了基于AlGaInP外延晶片的320×240微发光二极管（micro-LED）阵列，其单位尺寸为100μm×100μm。基于每个LED的完全隔离与发光面积的最大化之间的折衷来确定相邻发光单元之间的隔离凹槽的最佳宽度，并且发现为20μm。凹槽填充有混合的Si颗粒-聚氨酯复合介质，因为这种类型的绝缘材料可以将每个发光单元中从侧壁发射的光的一部分反射到窗口层，从而可以提高光输出效率。宽10μm的方形阳极设计用于在增加发光面积的同时，又易于制造。使用的器件电流在0.42–1.06 mA范围内，

  3. 所属分类：其它