新工艺减少栅泄漏 作者：Peter Singer, Semiconductor International 肯塔基大学（University of Kentucky）的研究人员展示了一种比较简单的快速热处理（RTP）和退火措施，可以延长常规栅介质的寿命，缓和对高k栅介质的需求。当栅介质变得越来越薄时，栅泄漏成为主要问题，以致于某些晶体管处于关态时的能耗几乎与处于开态时相当。可靠性的退化也是一个问题。 高k材料提供较大的电容和高有效氧化物厚度，使电荷更容易地从栅迁移到源/漏区。遗憾的是