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  1. 显示/光电技术中的光电噪声和探测度

  2. 光电探测器的主要噪声源有暗电流噪声、散粒噪声和热噪声。对理想的光电探测器，在无光照的时候应该没有电流，然而实际上仍然存在有较小的电流。它主要是由耗尽层中载流子的产生－复合电流和耗尽层边界的少子扩散电流，以及表面漏电流构成的。这种暗电流等效于一个噪声源，对于一个光接收器来说，暗电流的大小决定了其可探测信号的噪声底限。散粒噪声指的是当光信号进入二极管时，光子产生－复合的统计特性就会引发散粒噪声。光电效应使光生载流子的数量起伏变化，其统计特性服从泊松过程，所以这种噪声总是存在的。热噪声主要是来自光电二

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：122kb
    • 提供者：weixin_38502639

  1. 显示/光电技术中的光生载流子的扩散

  2. 在远离本征区所产生的光生载流子由于没有外电场作用，要通过扩散才能到达外电极，而扩散时间通常比漂移时间长得多，因此严重限制了光电探测器工作速率，所以有必要详细讨论载流子扩散过程。如图1所示的pn结二极管，存在区域1和区域2两个扩散区域。第一个扩散区域位于重掺杂表面通常很薄。而第二个扩散区域则位于空间电荷区SCR（Space－Charge Region）的下面，这个扩散区域较厚，载流子需要较长时间扩散才能到达空间电荷区，因此这个扩散区域会对光电探测器产生不利影响。 　　图1  PN光电二极管中

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：96kb
    • 提供者：weixin_38725450

  1. 显示/光电技术中的双极工艺光电二极管

  2. 图1中给出了一种基于标准双极工艺的N+-p型光电二极管[36]，其中的N+区是由N+埋层以及插入的N+集电极注入形成，P区则是直接利用轻掺杂的P型衬底。图中N＋区与P＋区的间距为5 gm，N＋区的面积被定义为光电探测器的面积。 　　图1  双极工艺N+-P型光电二极管 　　这种结构能够高效地进行光电转换，在外加偏压为双极电路工作电压（4.2 V）时的量子效率η=30%°但是由于受前面叙述的耗尽区外光生载流子缓慢扩散的影响，其响应速度较慢。该探测器与一跨阻抗为1.8 kΩ的双极型前置放大器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：62kb
    • 提供者：weixin_38746387

  1. 显示/光电技术中的雪崩光电探测器结构和能带

  2. 在波长为1.55 gm的长波长区域，由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题，人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP，通过调整化合物组分含量使它能在1.2～1.6 gm波长范围内工作。图1所示是最早出现的InGaAsP/InP雪崩光电探测器结构和能带示意图LZII。在p＋-InP上生长n-InGaAsP，再通过衬底注入锌形成InGaAsP的pn结，最后覆盖一层n-InP。这种衬底和表面层都是宽禁带低阻层结构减小了串联电阻，阻止了光生载流子向表面扩散引起的复合。 　　图1 

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：55kb
    • 提供者：weixin_38548507

  1. 显示/光电技术中的二维器件模拟光电探测器的结构

  2. 图1给出了在器件模拟软件Atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和耗尽区位置［56］，从图可见，N阱与P＋区构成一个二极管，称为工作二极管D。；N阱与衬底构成一个二极管，称为屏蔽二极管Ds；在衬底深处的光生载流子被屏蔽二极管的耗尽区所吸收，不能扩散到工作二级管内；工作二极管内没有长距离扩散的光生载流子，只有N阱内短途扩散的载流子，从而提高了工作二极管的速度。从图中可以看出N阱上的耗尽区即P＋和N阱形成的耗尽区越大，工作二极管D。光生载流子中扩散成分越小，速度越高，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：85kb
    • 提供者：weixin_38640168

  1. 显示/光电技术中的光电P型叉指结构二极管

  2. CMOS光电探测器的响应时间较慢是高速光电接收器单片集成的主要障碍。由于硅对波长肛638 nm吸收深度较深（约10 gm），同时CMOS工艺中源漏注入形成的pn结结深较浅（＜1 gm），因此大量的光生载流子是在pn结外的体硅内产生，这些载流子缓慢的扩散运动是影响探测器速率的主要因素，如果能将这些载流子屏蔽掉，就能获得较高的速率。然而，获得高速率的同时，大部分产生在空间电荷区外的载流子对光信号电流没起作用，无疑降低了探测器的量子效率，导致响应度不高。 　　图1给出了一种基于标准CMOS工艺的叉指

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：60kb
    • 提供者：weixin_38620959

  1. 显示/光电技术中的双光电二极管（DPD）

  2. N+-P衬底结构中的P型掺杂浓度一般大于1016 cm-3，造成pn结空间电荷区，也就是光生载流子漂移区的宽度太小，大部分的光生载流子产生在这个区域之外。这部分载流子的运动形式主要是缓慢的扩散运动，这就大大限制了光电二极管的工作速度。为了避免耗尽区外光生载流子扩散运动对器件性能的影响，并且不增加工艺的复杂度，一种如图1所示的基于标准CMOS工艺的双光电二极管（DPD）结构被提了出来[53]。 　　图1  CMOS双光电二极管结构 　　现代的CMOS工艺和BiCMOS工艺都会采用自调整技术

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：71kb
    • 提供者：weixin_38643307