在波长为1.55 gm的长波长区域，由于锗光电探测器遇到暗电流较大等问题，人们便转向使用InP基材料。在InP衬底上生长InGaAsP，通过调整化合物组分含量使它能在1.2～1.6 gm波长范围内工作。图1所示是最早出现的InGaAsP/InP雪崩光电探测器结构和能带示意图LZII。在p＋-InP上生长n-InGaAsP，再通过衬底注入锌形成InGaAsP的pn结，最后覆盖一层n-InP。这种衬底和表面层都是宽禁带低阻层结构减小了串联电阻，阻止了光生载流子向表面扩散引起的复合。 　　图1 

四元化合物In1-X，GaXAs1-yPy可以通过在InP衬底上外延生长而获得良好的晶格匹配。通过优化艿和y值既可以保证晶格匹配又可以获得需要的禁带宽度。例如In0.53Ga。47As与InP完全匹配，并且其禁带宽度所对应的光谱吸收波长为1.65 ；tm，因此在1～1.65 gm波长范围内InGaAs是广泛使用的材料。与InGaAs相比，四元化合物InGaAsP的制造工艺更复杂，而且对于大多数外延技术而言在生长磷的过程当中难以获得统一组分的InGaAsP，因此InGaAsP的应用不如InGaAs

图1给出了在器件模拟软件Atlas中输入的器件结构、外加电压示意图和经二维模拟得出的pn结的位置和耗尽区位置［56］，从图可见，N阱与P＋区构成一个二极管，称为工作二极管D。；N阱与衬底构成一个二极管，称为屏蔽二极管Ds；在衬底深处的光生载流子被屏蔽二极管的耗尽区所吸收，不能扩散到工作二级管内；工作二极管内没有长距离扩散的光生载流子，只有N阱内短途扩散的载流子，从而提高了工作二极管的速度。从图中可以看出N阱上的耗尽区即P＋和N阱形成的耗尽区越大，工作二极管D。光生载流子中扩散成分越小，速度越高，