在不对工艺做任何修改的情况下，N＋埋层集电极可以被用做光电二极管的阴极，N型外延集电区可用做PIN光电二极管中的I层，而基极注入区则可以被用做阳极，如图1所示。这样就使得在标准的双极工艺中能够集成带有薄本征层的光电二极管［37～38］。 　　图1  基极－集电极形成的PIN光电二极管 　　高速双极工艺中N型外延层厚度大约在1 gm左右，这样小的厚度会使得探测器在黄色到红外光谱范围（580～1100 nm）内量子效率较低。而光脉冲信号引起的光生电流的上升时间和下降时间同样会由于薄外延层的原

集成的探测器BiCMOS工艺仅仅是为了制作集成性能更好的光电探测器；其中电路部分则不是决定性的因素。 　　图1  基于标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电二极管 　　图1中介绍了—种基于0.6 gm标准SBC BiCMOS工艺的PIN光电二极管结构［71］。N＋埋层集电极用来做探测器的阴极，阳极由P＋源/漏注入形成，工艺中的N阱则用来形成PIN光电二极管的I层，其厚度仅有0.7 gm，因此，该探测器的量子效率不会太高。入射光波长为850 nm时，响应度只有0.07 A/W。对于波长较