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搜索资源列表

  1. 芯源微-688037.SH-涂胶显影打破垄断，湿法清洗国产先锋

  2. 国内涂胶显影设备稀缺供应商，横跨晶圆制造前后道工艺：芯源微是国内半导体设备稀缺供应商，自 2002 年年成立以来深耕涂胶显影设备，已经在 LED 芯片制造及集成电路后道先进封装等环节实现进口替代，目前正向前道扩展。

  3. 所属分类：制造

  1. 基础电子中的一文带你了解半导体硅晶片

  2. 硅片是生产集成电路的主要原材料。硅片尺寸越大则每片硅片上可以制造的芯片数量就越多，从而制造成本就越低。硅片尺寸的扩大和芯片线宽的减小是集成电路行业技术进步的两条主线。目前12寸硅片的出货量占比超过60％，是目前主流的硅片尺寸。 　　半导体硅片通常由高纯度的多晶硅锭釆用查克洛斯法（CZ Method）为主拉成不同电阻率的硅单晶锭，然而经过晶体定向→外圆滚磨→加工主、副参考面→切片→倒角→热处理→研磨→化学腐蚀→抛光→清洗→检测→包装等工序。 　　根据硅纯度的不同要求，可分为太阳能等级99，99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：211kb
    • 提供者：weixin_38588394

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的DScreen研制出晶圆端面的高精度蚀刻清洗技术

  2. 据报道，日本DAINIPPON SCREEN MFG的半导体设备公司开发出了高精度清除附着于晶圆斜面（端面及其邻接倾斜部分）的金属膜的蚀刻清洗技术“Bevel Etching Chamber（BEC）”。通过采用新的晶圆夹紧装置和处理方法等，改进了斜面部分的蚀刻工艺。       通过提高晶圆定位的精确度，可以在距离端面1～3mm的范围内以0.1mm单位控制蚀刻宽度。由于蚀刻的宽度便于更改，因此还能够灵活应对规格所容许的晶圆直径偏差。同时，通过进一步追求晶圆处理的均匀性，可提高每片晶圆的生产效率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：53kb
    • 提供者：weixin_38683895

  1. 显示/光电技术中的LED芯片的制造工艺流程简介

  2. LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test andFinal Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 　　1、晶圆处理工序 　　本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：124kb
    • 提供者：weixin_38703866

  1. FSI推出ORION单晶圆清洗系统

  2. FSI国际有限公司日前宣布推出全新的ORION单晶圆清洗系统。该系统特有的闭室设计可实现对晶圆环境的完全控制和维护，满足32nm和22nm技术的关键步骤上多项清洗需要。其中包括减少在超浅层注入后的光刻胶去除的材料损失，避免在高介电系数金属栅和与包含包覆层金属连接的铜的电偶腐蚀和材料损失。 　　“ORION系统特有的闭室设计允许使用可挥发的高活性化学材料，亦如我们的ViPR技术在32nm器件制造中的单步、全湿法去除高度注入的光刻胶，”FSI产品管理兼市场副总裁Scott Becker博士解释。“

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-15
    • 文件大小：49kb
    • 提供者：weixin_38628310

  1. 显示/光电技术中的LED生产工艺及封装技术

  2. 一、生产工艺 　　1.工艺： 　　a)清洗：采用超声波清洗pcb或led支架，并烘干。 　　b)装架：在LED管芯（大圆片）底部电极备上银胶后进行扩张，将扩张后的管芯（大圆片）安置在刺晶台上，在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCB或LED支架相应的焊盘上，随后进行烧结使银胶固化。 　　c)压焊：用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上，以作电流注入的引线。LED直接安装在PCB上的，一般采用铝丝焊机。（制作白光TOP-LED需要金线焊机） 　　d)封装：通过点胶，用环氧

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：96kb
    • 提供者：weixin_38642349

  1. 工艺用水

  2. 在晶圆制造的整个过程中，晶圆要经过多次的化学刻蚀与清洗，每步刻蚀与清洗后都要经过清水冲刷 。在整个的制造过程中，晶圆总共要在冲洗的系统中待上好几个小时，一个现代的晶圆制造厂每天要使用多达几百万加仑的水，这样实际上产生了一个投资项目，包括水的加工处理、向各个加工工艺区的水的传输、废水的处理与排放17。由于半导体器件容易受到污染，所以所有工艺用水，必须经过处理，达到非常严格的洁净度要求。 城市系统中的水包含大量的洁净室不能接受的污染物： 1. 溶解的矿物 2. 颗粒 3. 细菌 4. 有机物 5.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：60kb
    • 提供者：weixin_38654855

  1. 工艺化学品污染

  2. 在制造工厂中，用于刻蚀和清洗晶圆和设备的酸、碱、溶剂必需是最高纯度的。涉及的污染物有金属离子微粒和其它化学品。与水不同的是，工艺化学品是采购来的，直接运输到工厂后使用。工业化学品分不同级别，他们分一般溶剂、化学试剂、电子级和半导体级。前两种对于半导体使用来说过脏，电子级与半导体级相对洁净些，但不同制造商所生产化学品的洁净度也是不同的。 图 5.21 典型去离子水系统 Purity Water纯水 Particle Prefilter 颗粒前过滤器 Reverse Osmosis Deminera

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：61kb
    • 提供者：weixin_38706743

  1. 工艺化学品

  2. 很明显，需要很多工艺来将原始半导体材料转变为有用的器件，大部份的工艺使用化学品。芯片制造首要是一种化学工艺，或者更准确地说是一系列化学工艺，高达20%工艺步骤是清洗和晶圆表面的准备。６ 半导体工厂消耗大量的酸，碱，溶剂和水。为达到精确和洁净的工艺，部分成本是由于化学品需要非常高的纯度和特殊的反应机理。晶圆越大，洁净度要求越高，相应就需要更多的自动清洗位置，清洗所用化学品的成本也就跟着升高。当把芯片的制造成本加在一起，其中化学品占总制造成本可达40%。 对半导体工艺化学品洁净度的要求在第四章介绍。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38710127

  1. 酸，碱和溶剂

  2. 酸和碱 半导体工艺需要大量化学液体来刻蚀、清洗和冲洗晶圆和其它部件。化学家们把这些化学品分为三大类：7 **酸 **碱 **溶剂 酸和碱的不同之处在于液体中离子的不同。酸中含有氢离子（hydrogen ions），而碱含有氢氧离子（hydroxide ions）。对水分子的研究解释了不同之处。 水的化学式一般写成H2O，它也可写成HOH。将其分解，我们发现水是由带正电的氢离子（H+）和带负电的氢氧离子（OH-）。 当水与其它元素混合，要么是氢离子，要么就氢氧离子与其它物质结合（图2.19）。含有

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：48kb
    • 提供者：weixin_38732315

  1. 温度, 湿度及烟雾污染

  2. 除了控制颗粒，空气中温度，湿度和烟雾的含量也需要规定与控制。温度控制对操作员的舒适性与工艺控制是很重要的。许多利用化学溶剂来做刻蚀与清洗的工艺都在没有温度控制的设备箱内完成，只依赖于洁净室温度的控制。这种控制非常重要，因为化学反应会随温度的变化而不同，例如，每升高十摄氏度，刻蚀速率参数加二。通常的室温为72华氏度，上下幅度两度。 　　相对湿度也是一个非常重要的工艺参数，尤其在光刻工艺中。 在这个工艺中，要在晶片表面镀上一层聚合物作为刻蚀膜版。如果湿度过大，晶圆表面太潮湿，会影响聚合物的结合，就象

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：40kb
    • 提供者：weixin_38729607

  1. 制造半导体器件和电路

  2. 当今的芯片结构含有多层薄膜和掺杂，很多层的薄膜生长或淀积在晶圆表面，包括多层的导体配合以绝缘体（图4.10四层截面）。完成如此复杂的结构需要很多生产工艺。并且每种工艺按照特定顺序进行包含一些工步和和子工步。64G CMOS 器件的特殊制程需要180个重要工艺步骤，52次清洗，和多达28层膜版。1尽管如此，所有这些工艺步骤都是四大基础工艺之一。图4.11列出了基础工艺和每一个工艺方案的原理。在图中的是一个简单器件-MOS栅极硅晶体管的构成，插图说明了制造的顺序。这类晶体管各部分的功能和晶体管的工作

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：weixin_38709312

  1. 晶圆清洗

  2. 摘要：介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和各种污染物的去除方法,并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-12-23
    • 文件大小：18kb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 8英寸全自动硅片清洗腐蚀设备成功上市了！！

  2. 近日，由国内半导体清洗设备制造企业---北京华林伟业公司自主研发的"8英寸全自动硅片清洗腐蚀设备"，已成功上市，并应用于国内江苏某8英寸项目中，得到了采购方的高度赞赏，该设备首次填补了国内半导体大生产线高端晶圆清洗设备的空白，对国内的半导体设备制造企业起到了带头作用，为中国半导体制造企业争得了荣誉。        　　 该研究课题在没有政府资金支持的情况下，完全由企业自主研发，自筹资金顶住压力，并由CTO亲自带队考察市场，立项，同时也得到了总经理的高度重视，从实际使用情况来看，设备的相关指标完全

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-07
    • 文件大小：43kb
    • 提供者：weixin_38536267

  1. 一文带你了解半导体硅晶片

  2. 硅片是生产集成电路的主要原材料。硅片尺寸越大则每片硅片上可以制造的芯片数量就越多，从而制造成本就越低。硅片尺寸的扩大和芯片线宽的减小是集成电路行业技术进步的两条主线。目前12寸硅片的出货量占比超过60％，是目前主流的硅片尺寸。 　　半导体硅片通常由高纯度的多晶硅锭釆用查克洛斯法（CZ Method）为主拉成不同电阻率的硅单晶锭，然而经过晶体定向→外圆滚磨→加工主、副参考面→切片→倒角→热处理→研磨→化学腐蚀→抛光→清洗→检测→包装等工序。 　　根据硅纯度的不同要求，可分为太阳能等级99，99

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：188kb
    • 提供者：weixin_38731145

  1. LED生产工艺及封装技术

  2. 一、生产工艺 　　1.工艺： 　　a)清洗：采用超声波清洗pcb或led支架，并烘干。 　　b)装架：在LED管芯（大圆片）底部电极备上银胶后进行扩张，将扩张后的管芯（大圆片）安置在刺晶台上，在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCB或LED支架相应的焊盘上，随后进行烧结使银胶固化。 　　c)压焊：用铝丝或金丝焊机将电极连接到LED管芯上，以作电流注入的引线。LED直接安装在PCB上的，一般采用铝丝焊机。（制作白光TOP-LED需要金线焊机） 　　d)封装：通过点胶，用环氧

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：95kb
    • 提供者：weixin_38502510

  1. LED芯片的制造工艺流程简介

  2. LED 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）、测试工序（Initial Test andFinal Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。 　　1、晶圆处理工序 　　本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：142kb
    • 提供者：weixin_38562026

  1. DScreen研制出晶圆端面的高蚀刻清洗技术

  2. 据报道，日本DAINIPPON SCREEN MFG的半导体设备公司开发出了高精度清除附着于晶圆斜面（端面及其邻接倾斜部分）的金属膜的蚀刻清洗技术“Bevel Etching Chamber（BEC）”。通过采用新的晶圆夹紧装置和处理方法等，改进了斜面部分的蚀刻工艺。       通过提高晶圆定位的度，可以在距离端面1～3mm的范围内以0.1mm单位控制蚀刻宽度。由于蚀刻的宽度便于更改，因此还能够灵活应对规格所容许的晶圆直径偏差。同时，通过进一步追求晶圆处理的均匀性，可提高每片晶圆的生产效率以及

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：51kb
    • 提供者：weixin_38531630

  1. 半导体制造在很大程度上是一种与化学有关的工艺过程

  2. 半导体制造在很大程度上是一种与化学有关的工艺过程，高达20%工艺步骤是清洗和晶圆表面的处理：

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-01-12
    • 文件大小：115kb
    • 提供者：jfkj2021