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  1. 计算材料的相关理论资料

  2. 关于分子动力学理论的基本介绍,平面波,赝势的构建,同时对第一性原理和密度泛函也作了相关介绍,是材料计算的初学者较好的学习资料。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2010-04-12
    • 文件大小:579kb
    • 提供者:lx61a
  1. 材料计算第一性原理,广义梯度,基函数

  2. 材料计算第一性原理guangyitidu
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2010-09-18
    • 文件大小:971kb
    • 提供者:dpf608
  1. 第一性原理的葵花宝典.pdf

  2. 第一性原理讲义
  3. 所属分类:讲义

    • 发布日期:2017-06-08
    • 文件大小:1mb
    • 提供者:qq_37537834
  1. vasp.5.lib.tar.gz

  2. vasp.5.3.5 安装时候所需的赝势库,给所有需要安装vasp 的材料计算的同学们
  3. 所属分类:制造

    • 发布日期:2017-10-10
    • 文件大小:705kb
    • 提供者:u011377946
  1. 铁碲材料间隙位铁原子对于体系磁性的影响

  2. 铁碲材料间隙位铁原子对于体系磁性的影响,汤山昌,张宇钟,我们运用了第一性原理计算的方法研究了Fe1+ySexTe1-x的磁性,发现间隙位铁原子的浓度和高度可以很好地调控体系的磁性。在Fe1+yTe中,随�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-10
    • 文件大小:884kb
    • 提供者:weixin_38686658
  1. 氧化钽及其缺陷态能带结构的第一性原理计算

  2. 氧化钽及其缺陷态能带结构的第一性原理计算,马浩,许程,Ta2O5是一种在薄膜材料中具有重要用途的晶体材料。本文采用第一性原理平面波赝势法,分别计算了本征态Ta2O5晶体以及存在O空位(Vo)�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-26
    • 文件大小:347kb
    • 提供者:weixin_38624628
  1. 高锰硅化物Mn4Si7能带结构的第一性原理计算

  2. 高锰硅化物Mn4Si7能带结构的第一性原理计算,杨文昭,师春生,热电材料的热电性能与其电子结构密切相关,研究热电材料的电子结构可为开发高性能热电材料提供理论指导。本文利用基于密度泛函理�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-19
    • 文件大小:482kb
    • 提供者:weixin_38565480
  1. Ni-Mn-Ga-Ti合金的相稳定性和磁性能的第一性原理计算

  2. Ni-Mn-Ga-Ti合金的相稳定性和磁性能的第一性原理计算,杨禛,白静,以Ni-Mn-Ga合金为代表的铁磁形状记忆合金是新型的智能材料,具有高达10 %的磁诱导应变以及kHz级别的响应频率。适量Ti掺杂可以析出Ni3Ti�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-17
    • 文件大小:448kb
    • 提供者:weixin_38556668
  1. 氧化钽及其空位缺陷带隙结构的理论计算

  2. 氧化钽及其空位缺陷带隙结构的理论计算,王吉飞,许程,采用第一性原理平面波超软赝势方法分别计算了单斜相Ta2O5的能带结构,考虑到通常情况下Ta2O5用于薄膜材料,所以对非晶态的Ta2O5也进行
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-07
    • 文件大小:458kb
    • 提供者:weixin_38703277
  1. 基于第一性原理计算ReB2的点阵动力学

  2. 为了研究新型超硬材料ReB2的低温超导特性,利用基于密度泛函理论平面波赝势法的第一性原理计算,研究了过渡金属化合物ReB2的点阵动力学性质,并分析了不同原子对电声耦合作用的贡献。计算结果表明,对于相同原子振动模式的频率,沿c方向振动的频率总是大于在a-b平面内振动的频率。轻原子B对电声耦合作用的贡献最大,而总的电声耦合作用较弱,说明ReB2是弱的电声耦合超导体。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-06-23
    • 文件大小:298kb
    • 提供者:weixin_38500444
  1. 计算材料学—第一性原理.ppt

  2. 入门指导及实例演示,很详细,内有原理,公式等基础知识,理论基础分析,linux系统下的计算输入文件,还有相关操作流程配图,适合新手入门指导
  3. 所属分类:专业指导

  1. 第一性原理材料模拟.pdf

  2. 内容从基础到进阶共十九个专题模块,包括各类材料模型构建、参数设置、结构优化、收敛性测试、吸附与催化反应、电荷分析、表面催化反应计算等;
  3. 所属分类:Linux

    • 发布日期:2021-03-10
    • 文件大小:467kb
    • 提供者:qq_45834355
  1. Fe,S共掺杂SnO_2材料第一性原理分析

  2. 本文采用基于第一性原理的全电势线性缀加平面波(FP-LAPW)法,计算了Fe,S两种元素共掺杂SnO_2材料的电子结构和光学性质.结果表明:材料仍为直接禁带半导体,体系呈现半金属性;Fe,S共掺可以窄化带隙,且随S浓度增加,态密度向低能方向移动,带隙减小;共掺体系电荷密度重新分布,随S浓度增加,Fe原子极化程度增强,原子间键合能力增强.共掺后介电函数虚部谱与光学吸收谱各峰随S浓度增加而发生红移,光学吸收边减小.
  3. 所属分类:其它

  1. Pbca-BN的弹性和电子性质:第一性原理计算

  2. 具有正交结构(Pbca-BN,空间)的完全四面结合的氮化硼(BN)同素异形体组:Pbca)通过第一性原理计算进行了研究。 在这项工作中,我们调查了密度泛函理论研究Pbca-BN的结构,弹性,电子性质和弹性各向异性局部密度逼近框架中采用超软伪势方法的三维方法(LDA)和广义梯度近似(GGA)。 根据我们的计算,我们发现Pbca- BN的体积模量为344 GPa,剪切模量为316 GPa,大的德拜温度为1734 K, 较小的位置比率0.14和60.1 GPa的硬度,从而使其成为具有以下特性的超硬材料
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-05
    • 文件大小:578kb
    • 提供者:weixin_38595528
  1. 从第一性原理计算得出的半氟化GaN片材的磁性能

  2. 基于第一原理自旋极化密度泛函理论计算,研究了半氟化氮化镓(GaN)片材的相对稳定性,电子结构和磁性能。 最稳定的构型显示出铁磁(FM)基态,每个氟的磁矩约为1.0μB。 半金属铁磁性主要归因于电荷从N原子转移到F原子。 氟化导致N-2pz态和不饱和F-2p轨道不成对的自旋。 空穴介导的双交换负责GaN片中的铁磁性。 此外,仅氟化Ga边缘的GaN纳米带(GaNNRs)为FM。 这开辟了一条通往无金属磁性材料的道路,这种材料具有制造自旋电子器件和纳米磁铁的巨大可能性。
  3. 所属分类:其它

  1. 锰掺杂二硅化铬电子结构和光学性质的第一性原理计算

  2. 采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了锰掺杂二硅化铬(CrSi2)体系的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明未掺杂CrSi2属于间接带隙半导体,间接带隙宽度ΔEg=0.35 eV;Mn掺杂后费米能级进入导带,带隙变窄,且间接带隙宽度ΔEg=0.24 eV,CrSi2转变为n型半导体。光学参数发生改变,静态介电常数由掺杂前的ε1(0)=32变为掺杂后的ε1(0)=58;进一步分析了掺杂对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质的影响,为CrSi2材料掺杂改性的研究提供了理
  3. 所属分类:其它

  1. ZnO电子结构与光学性质的第一性原理计算

  2. 计算了ZnO电子结构和光学线性响应函数,从理论上给出了ZnO材料电子结构与光学性质的关系。所有计算都是基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法。利用精确计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的ZnO材料的介电函数、反射谱、反射率以及消光率,理论结果与实验符合甚佳,为ZnO光电材料的设计与应用提供了理论依据。同时,计算结果也为精确监测和控制ZnO材料的生长过程提供了可能性。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-10
    • 文件大小:643kb
    • 提供者:weixin_38733245
  1. AZO(ZnO:Al)电子结构与光学性质的第一性原理计算

  2. 计算了不同Al掺杂浓度下ZnO体系电子结构和光学属性。分析了掺杂对AZO(ZnO:Al)晶体结构、能带、态密度、光学性质的影响, 所有计算都是基于密度泛函理论框架下的第一原理平面波赝势方法。计算结果表明:Al掺杂ZnO在导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子, 明显提高了体系的电导率, 费米能级进入导带。同时, 光学性质的计算表明光学带隙明显展宽, 且向低能方向漂移; AZO透明导电材料的光学透过率在可见光范围内高达85%, 紫外吸收限随着掺杂浓度的增加而发生蓝移。所有计算表明AZO材料可作
  3. 所属分类:其它

  1. lsms:LSMS是用于使用多重散射理论对材料进行可伸缩的第一性原理计算的代码-源码

  2. 最小二乘 LSMS是用于使用多重散射理论对材料进行可伸缩的第一性原理计算的代码。 引用LSMS 如果您发布使用LSMS获得的结果,我们要求您引用以下出版物: Y. Wang,通用汽车股票公司,华盛顿谢尔顿,DMC Nicholson,WM Temmerman和Z. Szotek。 电子结构计算的n阶多重散射方法。 物理牧师75,2867(1995)。 如果使用了GPU加速版本,请另外引用: 艾森巴赫(M. Eisenbach),拉尔金(J. Larkin),卢琴斯(Ltjens),雷尼希
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-10
    • 文件大小:24mb
    • 提供者:weixin_42134878
  1. 高压下LaBr3电子结构与光学性质的 第一性原理

  2. 在局域密度近似下,采用第一性原理方法系统地研究了高压对LaBr3晶体结构、电子结构与光学性质的影响。计算的晶格参数和体弹模量均与报道的实验结果吻合。能带结构计算表明,无压强作用时LaBr3为直隙绝缘体,其价带和导带分别主要由Br 4p态和La 5d态电子构成;施加压强后,其逐渐转变为间隙绝缘体,且带隙随压强增大而线性减小。分析光学性质发现在可见光和红外区域LaBr3的透射率均达到80%,表明其为理想透明闪烁材料。随着压强的增大,介电函数虚部两个峰值较高的峰位、光学吸收边及透射边均发生红移,且静态
  3. 所属分类:其它

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