极紫外投影光刻用14 nm波长的电磁辐射，可以在实现高分辨率的同时保持相对较大的焦深，有希望成为制造超大规模集成电路的下一代光刻技术。极紫外投影光刻工作于步进扫描方式，采用全反射、无遮拦、缩小的环形视场投影系统。无遮拦投影系统的初始结构设计困难且重要。介绍了一种近轴搜索方法，该方法引入了像方远心、物方准远心、固定放大率、Petzval 条件和物像共轭关系等约束，通过计算确定第一面反射镜、最后一面反射镜、光阑所在反射镜的曲率，以及物距和像距。编写了近轴搜索程序，搜索出初始结构。从初始结构出发，优化

极紫外光刻技术（EUVL）是半导体制造实现22 nm及以下节点的下一代光刻技术，高分辨投影物镜的设计是实现高分辨光刻的关键技术。为设计满足22 nm产业化光刻机需求的极紫外光刻投影物镜，采用6枚高次非球面反射镜，像方数值孔径达到0.3，像方视场宽度达到1.5 mm。整个曝光视场内的平均波像差均方根值（RMS）为0.0228λ，不采用任何分辨率增强技术的情况下，75 nm光学成像的焦深内，25 nm分辨力的光学调制传递函数（MTF）大于45%。在部分相干因子为0.5～0.8的照明条件下，畸变小于1

极紫外光刻技术（EUVL）是半导体制造实现22 nm及其以下节点的下一代光刻技术。在曝光过程中，EUVL物镜的每一面反射镜吸收35%～40%的入射极紫外（EUV）能量，使反射镜发生热和结构变形，影响投影物镜系统的成像性能。基于数值孔径为0.3，满足22 nm技术节点的产业化EUV投影物镜，采用有限元分析(FEA)的方法研究反射镜变形分布，再将变形导入光学设计软件CODE V中，研究反射镜变形其对成像特性的影响。研究结果表明：当达到硅片的EUV能量为321 mW，产量为每小时100片时，反射镜最高