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  1. 模拟技术中的LTC4444-5:MOSFET驱动器

  2. 描述   LTC:registered:4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。   LTC4444-5 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。   LTC4444-5 包含欠压闭锁电路,用于在器件启动时停用外部 MOSFET。LTC4
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-03
    • 文件大小:106kb
    • 提供者:weixin_38714162
  1. 模拟技术中的利用MOSFET降低传导和开关损耗

  2. 金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。   监管机构与终端客户对DC/DC电源效率的要求越来越高,也要求更低的导通阻抗,同时不能影响非钳位电感性开关(UIS)能力或者不增加开关损耗。屏蔽栅极MOSFET可为30~200V范围的DC/DC电源设计人员提供相关解决方
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-03
    • 文件大小:141kb
    • 提供者:weixin_38630697