新日本无线(NJR)近日开发出设有旁通电路的低噪声放大器GaAs MMIC NJG1138HA8，并开始发放样品。该产品针对欧洲市场而设计，最适用于900MHz频段W-CDMA模式手机。 　　NJG1138HA8是由低噪声放大电路、旁通电路、控制用逻辑电路构成的低噪声放大器。具有内建的高线性度、低消耗电流、ESD保护电路等特色，并且防止离基地台较近地区产生强磁场输入所造成的放大器失真，设置了不经过放大电路的旁通模式(Low gain模式)。 　　NJG1138HA8透过使用高性能HJ FET

新日本无线已研发成功适用于采用CMOS RF IC的800MHz CDMA手机的带有旁通电路的低噪声放大器GaAs MMIC NJG1127HB6，并开始样品供货。 　　利用CMOS技术实现高频RF电路的CMOS RF IC很难内置低噪声放大器，所以需要高性能的低噪声放大器(LNA: low noise amplifier)。 NJG1127HB6正是为了满足这样的要求而开发的，主要用于800MHz的CDMA手机的设有旁通电路的低噪声放大器。 　　NJG1127HB6由低噪声放大器、旁通电路、控