当模拟芯片设计师在其器件中采用绝 缘体上硅（SOI）衬底时，常常是为了扩充这些器件的高速性能。当您在位于（通常是）硅氧化物的某一深层之上的硅层中，而不是直接在晶圆的块硅上制造硅电路时，就可以减少或去除许多寄生元件，这些寄生元件是后一工艺的必然结果。凭借其面向运算放大器的VIP50工艺，NS正在另一个领域中利用上述好处，即采用SOI结构来制造精密放大器。该公司对“精密”一词的经验型定义是：在规定温度范围内的失调电压低于1mV。VIP50具有互补的4GHz PNP和NPN晶体管；一条直达SOI晶圆