硅片键合技术是指通过化学和物理作用将硅片与硅片、氧化层、玻璃或其它材料紧密连接在一起形成一个整体。硅片键合技术经过几十年的发展，已经形成了适合不同领域的键合技术，按照硅片之间有无中间层，硅片键合技术分为两大类：无中间层键合技术和有中间层键合技术，如图1.1所示。无中间层键合技术主要有阳极键合技术（也称硅-玻璃静电键合技术）和硅-硅直接键合技术。有中间层键合技术按照中间层的不同可分为：金-硅共熔键合技术、焊料键合技术、玻璃釉料键合技术、粘合剂键合技术、共晶键合技术和阳极键合技术。下面主要介绍分析金

静电键合又称场助键合、阳极键合[2]，它是Walis和Pomeranta于1969年提出[3]，现在已经是一项成熟的工艺技术，可以将玻璃与金属、合金或半导体等材料键合在一起，不需要任何粘合剂，而且键合温度低，键合界面牢固，长期稳定相好，大量应用于MEMS工艺中的密封腔制备过程，可以制备压力传感器，密封器件的密封腔等。 静电键合装置非常简单，如图1.3所示，主要是带有温度控制的加热器和外加电场的直流电源和电极。硅片接直流电源的正极，玻璃接直流电源的负极，电压在500V~1000V之间，温度为300