NAND闪存对ECC（纠错码）纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持最新的多层单元（MLC）架构和每单元存储三位数据（three-bit-per-cell）技术所需的ECC纠错能力让系统人员越来越难以应付。

自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的ECC纠错能力让系统人员越来越难以应付。 　　过去，ECC一直被用于提高NAND闪存子系统的整体数据可靠性。但是，随着NAND单元不断缩小，每个浮栅内贮存的电子数量越来越少。因此，为弥补更小的存储单元所产生的更高的位误码率，我们必须大幅提高ECC纠错能力，以维持所需的系统可靠性。 　　随着系统对ECC