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  1. 电子束蒸发与铝的性能分析研究

  2. 磁控溅射镀 电子束蒸发与铝的性能分析研究
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2009-08-31
    • 文件大小:383kb
    • 提供者:wwftrueman
  1. android 电子束阅读器

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  3. 所属分类:Android

    • 发布日期:2011-09-19
    • 文件大小:1mb
    • 提供者:c001863
  1. 在电子束转储设备中探测亲油性暗区

  2. 中能电子束转储实验提供了次级μ子的强烈来源。 这些粒子可用于搜索可解释(g-2)μ异常的介子耦合浅暗标量。 我们将此想法应用于推导新排除限值的SLAC E137实验,并评估了计划中的Jefferson Lab BDX实验的预期灵敏度(如果结果报告为空)。 该计算基于数值模拟,其中包括对堆中次级μ子的产生,暗标量产生,传播和衰减以及最终与检测器相互作用的衰减产物(电子,正电子或光子)相互作用的现实描述。 对于这两个实验,将排除限扩大到标量-μ子耦合与标量质量参数空间中的更宽范围。 这项研究表明,在
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-04-16
    • 文件大小:685kb
    • 提供者:weixin_38655682
  1. 莫勒和康普顿电子束旋光仪的新颖比较

  2. 我们在基于Müller和Compton散射的电子束旋光仪之间进行了新颖的比较。 序列的电子束极化测量是在杰斐逊实验室的霍尔C在Qweak实验期间在低束流电流(<5μA)。 这些低电流测量由康普顿旋光仪的常规大电流(180μA)操作括起来。 发现所有测量值在1%或更少的实验不确定性范围内都是一致的,这表明电子极化与束流的关系不大。 这一结果使人们对将在低电子束电流下进行的穆勒测量结果应用于在更高电子束电流下进行的物理实验的常规做法充满信心。 两种基于独立物理过程的极化技术之间的协议为将来需要
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-04-16
    • 文件大小:443kb
    • 提供者:weixin_38571759
  1. 在LHeC上搜索带有极化电子束的异常FCNC顶-希格斯耦合

  2. 我们研究了LHeC的顶部希格斯FCNC耦合中单顶部和希格斯相关的生产ep→νet-→νehq-(h→bb-),电子束能量为Ee = 60 GeV和Ee = 120 GeV,并且 7 TeV和50 TeV质子束 由于电子束极化的可能性(pe = 0,±0.6),我们区分了基于剪切的方法和基于多元分析(MVA)的方法,并与当前的实验和理论极限进行了比较。 结果表明,基于切割的(基于MVA的),支化率Br(t→uh)可以探测到0.113(0.093%),0.071(0.057%),0.030(0.02
  3. 所属分类:其它

  1. 正电子束转储实验中暗光子的共振产生

  2. 正电子束倾卸实验具有独特的功能,可以搜索超弱耦合到e + e-对的非常窄的共振。 由于来自软光子致辐射的能量不断损失,在堆的前几个辐射长度中,正电子束可以通过靶中原子e-的e + an灭连续扫描新共振的共振产生。 在暗光子A'与光子动态混合的情况下,该产生模式在电磁耦合α中处于第一级,因此相对于O(α2)e + e-→γA'产生模式和 到目前为止,考虑了电子核子散射中的O(α3)A'A致辐射。 如果寿命足够长以允许A'离开堆放场,则A'→e + e-衰减可以很容易地检测到并与背景区分开。 我们使
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-04-08
    • 文件大小:389kb
    • 提供者:weixin_38617604
  1. 使用强激光束与μ子/电子束相互作用来探测非交换QED

  2. 已知线偏振光子可以在诸如外部磁场或非交换时空的背景下通过正向康普顿散射而部分地转变为圆偏振光子。 基于这一事实,我们探索了NC背景对强带电轻子束中线性偏振激光束的散射的影响。 我们表明,对于μ/电子束通量εμ,e〜1 0 12/10 10 $$ {\ overline {\ varepsilon}} _ {\ mu,e} \ sim 1 {0} ^ {12} / {10} ^ {10} $$ TeV cm -2 sec -1和线偏振激光束,能量k 0〜1 eV,平均功率P激光\ 1 0 3 $
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-24
    • 文件大小:440kb
    • 提供者:weixin_38577378
  1. 电子束蒸发工艺制备HfO2薄膜的非均质性

  2. 电子束蒸发工艺制备HfO2薄膜的非均质性,鲍刚华,程鑫彬,采用电子束蒸发(EB)工艺在不同的沉积温度和氧分压参数下制备了HfO2单层膜。光谱测试表明沉积工艺是影响HfO2薄膜非均质性的重要因�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-10
    • 文件大小:420kb
    • 提供者:weixin_38713450
  1. 电子束辐照对二氧化锡纳米晶生长的影响

  2. 电子束辐照对二氧化锡纳米晶生长的影响,汪文峰,侯凌癸,二氧化锡是一种独特的功能材料。通过溶胶凝胶法制备二氧化锡纳米晶,然后利用电子束辐照技术对其进行辐照。与未辐照样品对比表明
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-05
    • 文件大小:976kb
    • 提供者:weixin_38653155
  1. Mg73Zn26Y准晶合金强流脉冲电子束表面改性

  2. Mg73Zn26Y准晶合金强流脉冲电子束表面改性,高波,郝仪,利用强流脉冲电子束法(HCPEB)对Mg73Zn 26Y准晶合金进行表面处理。通过X射线衍射、扫描电镜和透射电镜检测方法对电子束处理前后样品�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-04
    • 文件大小:921kb
    • 提供者:weixin_38680393
  1. 基于应变石墨烯的谷电子束分离器

  2. 基于应变石墨烯的谷电子束分离器,马艳玲,翟峰,我们从理论上研究了在石墨烯中未极化的电子束经过应变区域后的侧位移。在正常(没有应变)区和有应变的区域界面,发生谷的双折射
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-03-03
    • 文件大小:505kb
    • 提供者:weixin_38731979
  1. 回旋波保护放大器电子束绝热降噪分析与模拟

  2. 回旋波保护放大器电子束绝热降噪分析与模拟,陈绳乾,王秩雄,文章描述了回旋波保护放大器电子束绝热降噪的机理,推导了噪声与磁场的关系和二阶微分方程的四阶精度龙格-库塔法求解电子运动方
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-25
    • 文件大小:357kb
    • 提供者:weixin_38556394
  1. 电子束横波器件介绍

  2. 电子束横波器件介绍,王秩雄,陈绳乾,几十年前俄国成功地研制了一系列电子束横波器件。其主要优点是线性、高效率和自保护。已在微波输电、雷达和通信中获得应用。本文
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-19
    • 文件大小:969kb
    • 提供者:weixin_38620734
  1. 镁合金AZ31强流脉冲电子束表面处理

  2. 镁合金AZ31强流脉冲电子束表面处理,李刚,况军,本文研究了强流脉冲电子束对镁合金AZ31表面组织形貌,截面成分及耐腐蚀性能的影响。结果表明:随脉冲次数变化,表面出现起伏状形�
  3. 所属分类:其它

  1. 电子束辐照对WS2纳米管的影响

  2. 电子束辐照对WS2纳米管的影响,丁克望,凤仪,用电子显微镜产生的电子束辐照WS2纳米管。研究WS2纳米管在电子辐照下的变化。结果显示WS2纳米管从外层向内层破坏。离位原子通过溅射
  3. 所属分类:其它

  1. 强流脉冲电子束处理对Mg67Zn30Y3准晶合金微观组织和性能的影响

  2. 强流脉冲电子束处理对Mg67Zn30Y3准晶合金微观组织和性能的影响,高波,江飞,本文中,利用强流脉冲电子束对Mg67Zn30Y3准晶合金进行表面改性处理。通过SEM和TEM对处理前后样品的表层微观组织进行分析,并测量改性�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-02-08
    • 文件大小:956kb
    • 提供者:weixin_38595689
  1. 铺放条件对低能电子束原位固化复合材料层间剪切强度的影响

  2. 铺放条件对低能电子束原位固化复合材料层间剪切强度的影响,张静静,段玉岗,碳纤维增强树脂基复合材料的低能电子束固化工艺中,采用低能电子束辐照碳纤维/环氧树脂预浸带,辐照过后的预浸带分层铺放并通过�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-29
    • 文件大小:805kb
    • 提供者:weixin_38684806
  1. 镁合金ZA31强流脉冲电子束表面渗铝及其耐蚀性

  2. 镁合金ZA31强流脉冲电子束表面渗铝及其耐蚀性,李刚,况军,利用强流脉冲电子束对镁合金AZ31表面进行快速铝合金化,将精细铝粉预涂在基体表面后采用强流脉冲电子束对其进行后处理。电子束的�
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-08
    • 文件大小:815kb
    • 提供者:weixin_38706782
  1. 强流脉冲电子束处理纯Ti表层性能

  2. 强流脉冲电子束处理纯Ti表层性能,李刚,缑玥,利用“Nadezhda-2”型强流脉冲电子束装置,以纯钛为实验材料,采用加速电压为25.2kV,脉冲次数分别为5次、15次和25次的强流脉冲电子束轰
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-08
    • 文件大小:571kb
    • 提供者:weixin_38635975
  1. 原位观察电子束辐照下双壁碳纳米管的不稳定性

  2. 原位观察电子束辐照下双壁碳纳米管的不稳定性,公会敏,朱贤方,室温下利用高分辨透射电子显微镜原位观察了两端固定和一端固定一端自由的双壁碳纳米管在电子束辐照下的结构不稳定性。实验发现:
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-01-07
    • 文件大小:452kb
    • 提供者:weixin_38631197
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