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  1. 电源技术中的IR最新MOSFET芯片组提升两相DC-DC降压转换器效率

  2. 国际整流器公司(IR)近日推出两款新型30V HEXFET功率MOSFET,可将30V/45A两相同步降压转换器MOSFET解决方案的轻负载效率提升2%,用来驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的Intel和AMD最新型处理器。    这两款新型无铅器件分别是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF,通过优化传导、开关和体二极管损耗,可实现最佳的效率和功率密度。两款器件可用作每相需要一个控制和2个同步MOSFET的两相同步降压转换器电路芯片组。这组新型SO-8 MOSFET 还适用于其他
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-12-02
    • 文件大小:48kb
    • 提供者:weixin_38704156