1）静态特性及参数 　　（1）输出特性：MOSFET的输出特性如图所示，其特点是栅一源电压UGS控制漏极电流ID。 　　（2）漏极（额定）电流ID：MOSFET的电流容量（幅值）（如DGS=10V）。 　　（3）漏一源击穿电压BUDS是指该型号MOSFET或该管最大瞬时电压的耐压，当漏一源电压UDS超过BUDS时，漏一源极之间雪崩效应电流激增9瞬间 局部过热损坏。BUDS为正愠度系数，结温每升高10℃，BUDS约增大1％。 　　（4）开启电压UGS（th），又称为阈值电压，如3.2V、1