硅-硅直接键合工艺是一个复杂的过程，受许多客观的工艺条件和工艺水平的限制。硅-硅直接键合工艺还没有象IC工艺发展的那样成熟，对工艺的各项单项工艺的结果进行计算模拟，为设计工艺条件提供可靠的依据。本章主要工作是建立硅-硅直接键合单项工艺的物理数学模型，根据实际的工艺条件推导出它们的理论结果，对硅片键合的结果进行预测，并且与实际其它测量设备的测量结果进行比较，改进和完善工艺的物理数学模型，建立一套完整的键合工艺IP库，使键合工艺象IC工艺一样可以直接模拟。目前，主要进行了三方面的工作：（1）硅-硅直

根据§3.1.2界面氧化层模型给出的非化学计量比的SiOw给出的杂质扩散系数D(w)和分凝系数m(w)，把它们带入§3.1.4硅-硅直接键合杂质分布模型，可以得出通过界面本征氧化层后杂质在各区的分布： 硅-硅直接键合的硅片中间存在一层很薄的氧化层，其化学成分是非化学计量比的氧化物SiOw（0 < w < 2）。杂质在界面氧化层SiOw中的扩散系数与其化学组成成分有关，即与w有关。利用杂质在硅和二氧化硅中扩散的激活能的线性近似，推导出杂质在