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  1. 单个砷原子在砷化镓富砷表面的迁移行为

  2. 单个砷原子在砷化镓富砷表面的迁移行为，李坤，杨雯，采用分子动力学方法计算了单个砷原子在砷化镓(001)β2(2×4)富砷表面迁移的势能面，研究了砷原子在该表面上的迁移行为。结果表面，在�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-12
    • 文件大小：327kb
    • 提供者：weixin_38677505

  1. Cz法砷化镓熔体流动与传热传质数值模拟

  2. Cz法砷化镓熔体流动与传热传质数值模拟，王正乾，李明伟，采用低雷诺数k-ε湍流模型，模拟了Cz法砷化镓熔体的流动与传热传质。分析了不同晶体和坩埚转速、不同温差条件下的砷化镓熔体流动与

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-27
    • 文件大小：404kb
    • 提供者：weixin_38576811

  1. 基础电子中的VGA应用中硅器件注定要改变砷化镓一统的局面？

  2. 硅器件弥补性能差距　　尽管砷化镓有上述公认的缺点，但与硅器件相比其卓越的噪声系数和三阶截取（IP3）线性度会胜过这些不足。然而，随着当今新技术发展的优势逐渐克服传统的局限，硅器件已经是GaAs较强的竞争对手，可以提供更经济和更可靠的解决方案。　　IDT公司的F2912等新一代RF开关采用SOI技术，可以在或靠近PA装配线的非常高的温度环境下可靠地工作。这些新的硅基开关在温度高达+120℃时仍具有卓越的性能（0.4dB插入损耗，+65dBm IP3，60dB隔离度）。 　　类似于IDT F1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：154kb
    • 提供者：weixin_38621150

  1. 元器件应用中的HSJ型砷化镓霍尔元件特性参数

  2. HSJ型砷化镓霍尔元件具有灵敏度高、使用温度范围宽、输出电压大、温漂小、线性度好、稳定性好、体积小、抗干扰和抗辐射能力强等特点。它广泛用于精密测量、自动化控制、通信、航空航天等领域。HSJ型砷化镓霍尔元件的特性参数见表。　　                                                           表：HSJ型砷化镓霍尔元件特性参数     

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：84kb
    • 提供者：weixin_38679276

  1. NEC电子推出业界小型薄型砷化镓（GaAs）开关IC

  2. NEC电子日前完成了用于进行高速无线通信的便携式设备、笔记本电脑、终端设备（terminal）的小型薄型高频砷化镓(GaAs)开关IC--“μPG2176T5N”的开发，并将于即日起开始发售该产品的样品。       新产品是建立无线通信规格—移动WiMAX系统时必不可缺的切换开关芯片，它主要负责收发数据切换及天线切换。该产品被封装在长1.5mm、宽1.5mm、高0.37mm的业界最小的超小型?薄型封装内，其封装面积约为与NEC电子现有产品的25%，厚度约为50%，实现了小型、薄型化。此外，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：57kb
    • 提供者：weixin_38645133

  1. NEC电子推出业界最小的小型薄型砷化镓（GaAs）开关IC

  2. NEC电子日前完成了用于进行高速无线通信的便携式设备、笔记本电脑、终端设备（terminal）的小型薄型高频砷化镓(GaAs)开关IC--“μPG2176T5N”的开发，并将于即日起开始发售该产品的样品。     新产品是建立无线通信规格—移动WiMAX系统时必不可缺的切换开关芯片，它主要负责收发数据切换及天线切换。该产品被封装在长1.5mm、宽1.5mm、高0.37mm的业界最小的超小型?薄型封装内，其封装面积约为与NEC电子现有产品的25%，厚度约为50%，实现了小型、薄型化。此外，新产

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：57kb
    • 提供者：weixin_38706294

  1. NEC推出小型薄型高频砷化镓开关IC

  2. NEC电子完成了用于进行高速无线通信的便携式设备、笔记本电脑、终端设备(terminal)的小型薄型高频砷化镓(GaAs)开关IC——“μPG2176T5N”的开发，并将于即日起开始发售该产品的样品。 　　新产品是建立无线通信规格—移动WiMAX系统时必不可缺的切换开关芯片，它主要负责收发数据切换及天线切换。该产品被封装在长1.5mm、宽1.5mm、高0.37mm的业界最小的超小型薄型封装内，其封装面积约为与NEC电子现有产品的25%，厚度约为50%，实现了小型、薄型化。此外，新产品还具有高频信

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：45kb
    • 提供者：weixin_38654944

  1. 通信与网络中的NEC小型薄型高频砷化镓开关IC用于高速无线通信

  2. NEC电子完成了用于进行高速无线通信的便携式设备、笔记本电脑、终端设备(terminal)的小型薄型高频砷化镓(GaAs)开关IC——“μPG2176T5N”的开发，并将于即日起开始发售该产品的样品。     新产品是建立无线通信规格—移动WiMAX系统时必不可缺的切换开关芯片，它主要负责收发数据切换及天线切换。该产品被封装在长1.5mm、宽1.5mm、高0.37mm的业界最小的超小型薄型封装内，其封装面积约为与NEC电子现有产品的25%，厚度约为50%，实现了小型、薄型化。此外，新产品还具

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：54kb
    • 提供者：weixin_38516270

  1. 砷化镓

  2. 一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。化学式GaAs，分子量144.63，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-12-30
    • 文件大小：55kb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 同轴异质砷化镓单纳米线太阳能电池的宽带增强

  2. 同轴异质砷化镓单纳米线太阳能电池的宽带增强

  3. 所属分类：其它

  1. 砷化镓激光器具有众多应用

  2. 砷化镓激光器具有众多应用

  3. 所属分类：其它

  1. 砷化镓内皮秒脉冲的啁啾产生

  2. 研究了砷化镓内光生自由载流子引起的非线性折射率所导致的脉冲啁啾行为，并给出解释性实验结果.

  3. 所属分类：其它

  1. 以砷化镓为锁模元件的被动锁模Nd:YAG激光器

  2. 报道以厚400μm、(100)向的砷化镓替代染料为锁模元件的全固态被动锁模Nd:YAG激光器。锁模脉冲宽度为16ps,单脉冲平均能量10μJ,锁模几率大于90％。

  3. 所属分类：其它

  1. 模拟太阳光与高空自然光条件下航天用三结砷化镓太阳电池光电性能测量对比

  2. 针对航天用三结砷化镓太阳电池的光电性能测量,介绍了太阳模拟器法和高空气球法两种方法。阐述了太阳模拟器法的测量原理和关键量值的溯源路径,基于双光源稳态太阳模拟器和光谱失配分析技术,对航天用三结砷化镓太阳电池的光电性能进行了测量,获得了短路电流、开路电压和最大发电功率等关键参数及相应的温度系数。介绍了高空气球法测量技术,高空氦气球将三结砷化镓太阳电池搭载至海拔35 km以上的高空中,在高空自然太阳光下进行光电性能测量,采集了伏安特性数据及实时温度数据。对高空自然太阳光条件下测得的数据执行温度修正后,

  3. 所属分类：其它

  1. 低温生长砷化镓光电导天线产生太赫兹波

  2. 宽频太赫兹(THz)技术在国防、科研等领域有着广阔的应用前景，光电导天线是产生宽频THz波的重要手段。分析了低温生长和高温退火对光电导天线材料载流子寿命和电阻率的影响。在生长温度为230 ℃和250 ℃,退火温度为475 ℃的低温生长砷化镓(LTG-GaAs)上制备了领结(BowTie)和偶极子(Dipole)两种电极结构的小孔径光电导天线。实验给出， 在250 ℃生长的LTG-GaAs上制备的光电导天线产生的太赫兹波辐射强度和频谱宽度较好，谱宽达到了3.6 THz，BowTie天线的辐射强度优

  3. 所属分类：其它

  1. 砷化镓晶体在连续CO

  2. 用千瓦级连续CO2激光作光源,得到复合型砷化镓材料的三阶非线性系数为8.3×10~(-7)esu,同时根据这种材料的杂质能级对其三阶非线性系数进行计算,所得结果与实验相符。

  3. 所属分类：其它

  1. 砷化镓光阴极量子产率曲线的变化

  2. 砷化镓光阴极量子产率曲线的变化

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-23
    • 文件大小：125kb
    • 提供者：weixin_38739744

  1. 砷化镓石墨点阵柱状光子晶体传感器的应力特性

  2. 利用时域有限差分(FDTD)程序计算了二维砷化镓石墨点阵柱状光子晶体的能带。结果表明, 这种二维石墨点阵柱状光子晶体在0.53～0.58的归一化频率区间有一个完全光子带隙。基于此, 构造了一种二维砷化镓石墨点阵柱状光子晶体应力传感器的模型, 利用FDTD方法, 计算了传感器共振腔TEy模的共振峰波长沿x轴方向和y轴方向应力变化的情况, 以及共振峰波长随应力环境变化的情况。计算结果表明, 传感器共振峰波长随应力环境变化具有很好的线性特性, 其应力响应灵敏度为0.0111 nm/MPa; 这种石墨点

  3. 所属分类：其它

  1. 低温生长砷化镓光电导天线产生太赫兹波的辐射特性

  2. 研究了低温生长砷化镓光电导天线(LT-GaAs PCA)产生太赫兹(THz)波的辐射特性。利用太赫兹时域光谱(TDS)技术测量了光电导发射极在飞秒激光作用下辐射的太赫兹脉冲,得到了时域发射光谱,并通过快速傅里叶变换(FFT)得到相应的频域光谱。结果表明,低温砷化镓光电导天线产生的太赫兹波信号比飞秒激光激发半导体表面产生的太赫兹波信号具有更高的强度和信噪比; 太赫兹波信号与光电导天线的偏置电压成线性关系; 随着抽运激光功率的增强,太赫兹波信号增大并出现饱和。

  3. 所属分类：其它

  1. 作光参量振荡器用的砷化镓波导

  2. 作光参量振荡器用的砷化镓波导

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：723kb
    • 提供者：weixin_38668672
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