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  1. 集成电路工艺原理课件——复旦 仇志军

  2. vlsi工艺原理的课件 基于《硅超大规模集成电路工艺技术——理论实践与模型》（silicon visi technology——fundamentals，practice and modeling）的很好的参考资料 共三卷，这是第一卷

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-11-08
    • 文件大小：18mb
    • 提供者：jyang8498

  1. 硅集成电路工艺 期末考试题 答案（完整整理版）

  2. 化学气相沉积 物理气相沉积溅射镀膜蒸发镀膜2、扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么? 3、简述离子注入工艺中退火的主要作用。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-12-31
    • 文件大小：105kb
    • 提供者：shupl1988

  1. CMOS集成电路(IC)制造工艺

  2. 主要介绍硅衬底上的CMOS集成电路制造的工艺过程

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2010-02-08
    • 文件大小：442kb
    • 提供者：grh2001

  1. 超大规模集成电路--系统和电路的设计原理.pdf

  2. 序言 1.集成电路的发展与意义 2.超大规模集成电路的优点 3.集成电路工艺分类 4.集成电路的规模 5.ASIC技术的发展 MOS器件和电路 1.MOS晶体管 2.nMOS晶体管的伏安特性 3.CMOS基本电路 集成电路的制造 1.概述 2.集成电路的基本工艺 3.nMOS集成电路加工过程 4.CMOS加工过程 5.成品率 6.集成电路经济分析 MOS电路基本特性和性能分析 4.1电阻估算 2.MOS器件的电容 3.延迟时间 4.反相器延时 5.多晶硅长线的影响 6.导电层的选用 7.大电容

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2010-04-21
    • 文件大小：6mb
    • 提供者：yangshuyin520

  1. 硅集成电路工艺的发展

  2. 描述了集成电路技术近几十年来发展及分别详细介绍7种工艺技术的发展

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-21
    • 文件大小：731kb
    • 提供者：asklsdgh

  1. 硅超大规模集成电路工艺技术——理论、实践与模型(英文版)

  2. 硅超大规模集成电路工艺技术——理论、实践与模型(英文版)

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2015-09-07
    • 文件大小：33mb
    • 提供者：u013527299

  1. 集成电路制造工艺原理

  2. 集成电路制造工艺原理 第一章 外延及CAD－－ －－－－4学时 第二章 氧化、扩散及离子注入－8学时 第三章 光刻－－－－－－－－－4学时 第四章 刻蚀－－－－－－－－－2学时 第五章 金属化、封装与可靠性－2学时 第六章 N阱CMOS工艺流程－－2学时 第七章 硅器件制造的关键工艺－4学时

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2008-12-21
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：jucaiju

  1. 硅集成工艺基础

  2. 《硅集成工艺技术》PPT，内容涵盖集成电路的所有基础知识，深入浅出，理论与实验基础相结合。

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2018-06-12
    • 文件大小：43mb
    • 提供者：weixin_32033251

  1. 硅集成电路工艺基础 关旭东

  2. 里面包括了硅工艺的过程。主要有硅的简介，硅中的扩散方法等

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2018-12-28
    • 文件大小：22mb
    • 提供者：qq_40235597

  1. 什么是版图？集成电路版图设计的资料详解.rar

  2. 什么是版图？ 根据逻辑与电路功能和性能要求以及工艺水平要求来设计光刻用的掩膜版图，实现IC设计的最终输出。   版图是一组相互套合的图形，各层版图相应于不同的工艺步骤，每一层版图用不同的图案来表示。 版图与所采用的制备工艺紧密相关。   版图设计就是按照线路的要求和一定的工艺参数，设计出元件的图形并进行排列互连，以设计出一套供IC制造工艺中使用的光刻掩膜版的图形，称为版图或工艺复合图。   版图设计是制造IC的基本条件，版图设计是否合理对成品率、电路性能、可靠性影响很大，版图设计错了，就一个电

  3. 所属分类：其它

  1. 半导体硅工艺课件.zip

  2. 《硅集成电路工艺基础》课程课件。可以学习集成电路的生产步骤。如有侵权请通知我删除。

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-08-15
    • 文件大小：19mb
    • 提供者：qq_37662064

  1. 集成电路工艺技术.pdf

  2. 1、集成电路发展历程回顾 2、描述天然硅原料如何加工提炼成半导体级硅(semiconductor-grade silicon, SGS)。 3、解释晶体结构与单晶硅的生长技术。 4、讨论硅晶体的主要缺陷。 5、简单敘述由硅晶锭加工成为硅晶圆的基本步骤。 6、说明并讨论晶圆供应商所需进行的7项品质测量项目。 7、外延层及其重要性。

  3. 所属分类：其它

  1. CMOS集成电路制造工艺

  2. 主要介绍硅衬底上的CMOS集成电路制造的工艺过程。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-06-04
    • 文件大小：442kb
    • 提供者：shenkaijie

  1. CMOS集成电路工艺.rar

  2. 生长一层薄氧化层 淀积一层氮化硅 光刻场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来 反应离子刻蚀氮化硅 场区离子注入 热生长厚的场氧化层 去掉氮化硅层、薄氧化层

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-07-08
    • 文件大小：22mb
    • 提供者：weixin_42576437

  1. 集成电路制造技术——原理与工艺---第七章化学气相淀积

  2. 集成电路制造技术——原理与工艺---第七章化学气相淀积 7.1 CVD概述 7.2 CVD工艺原理 7.3 CVD工艺方法 7.4 二氧化硅薄膜的淀积 7.5 氮化硅薄膜淀积 7.6 多晶硅薄膜的淀积 7.7 CVD金属及金属化合物薄膜

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-08-24
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：zhifj86

  1. 元器件应用中的硅基光电子集成回路（OEIC）概述

  2. 硅基光电子集成回路是将光发射器、光波导/调制器、光电探测器及驱动电路和接收器电路进行单片集成。所有 器件均采用标准集成电路工艺制各，或是仅仅对工艺进行微小的修改，从而实现全光互连与超大规模集成电路的 单片集成，易于大规模生产。研究单片硅基光电子集成回路的目的是要实现光通信互连系统或集成电路芯片内的 信号传输。因此，硅基单片光电子集成回路是一种电输入、光传输、电输出的互连系统，如图所示。 图1 写标准微电子工艺兼容的硅基光电子集成回路示意图 　　其中，驱动电路将输入的小信号转变为硅基光发射器件

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：139kb
    • 提供者：weixin_38747025

  1. 显示/光电技术中的基于硅基双极型工艺的光电探测器

  2. 目前，长距离通信用的光接收器探测器都是用III-V族化合物材料制作的，其传输速率已经超过了40 Gb/s，然而，Ill-V族材料的光接收器和OEIC价格昂贵，对于短距离数据传输的应用，例如局域网、光纤入户和板级光互连等并不适合。随着信息技术的不断进步，对于光信息存储、光数据传输等应用，需要有大量低成本的光电集成电路（OEIC）投入使用。利用普通的硅基集成电路生产技术，在对这些工艺几乎不作改动或者是仅仅作微小调整的基础上，将光电子器件与电信号处理电路集成在一起，无疑是最为理想的光电集成方式。目前硅

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：40kb
    • 提供者：weixin_38627826

  1. 模拟技术中的LSI推出前置放大器集成电路 TrueStore PA8800

  2. LSI 公司推出专为 2.5 英寸和 3.5 英寸台式机和企业级硬盘驱动器 (HDD) 设计的最新高性能、低功耗前置放大器集成电路 (IC) -- TrueStore PA8800。　　这款全新的 PA8800 前置放大器采用 LSI 第二代硅锗 (Si-Ge) 工艺制造而成，不仅可提供 3.3Gbps 的业界最高运行速度，而且其功耗比面向同一市场领域的前代产品降低了近30%。PA8800 独具创新的节能特性有助于降低供电、冷却等相关运营成本，同时随着散热量的减少，驱动器的可靠性也得到了提高。　

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-21
    • 文件大小：49kb
    • 提供者：weixin_38688380

  1. 模拟技术中的LSI推出新一代高性能低功耗前置放大器集成电路

  2. LSI 公司宣布推出专为 2.5 英寸和 3.5 英寸台式机和企业级硬盘驱动器 (HDD) 设计的最新高性能、低功耗前置放大器集成电路 (IC) —— TrueStore:registered: PA8800。 　　这款全新的 PA8800 前置放大器采用 LSI 第二代硅锗 (Si-Ge) 工艺制造而成，不仅可提供 3.3Gbps 的业界最高运行速度，而且其功耗比面向同一市场领域的前代产品降低了近 30%。PA8800 独具创新的节能特性有助于降低供电、冷却等相关运营成本，同时随着散热量的减

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-20
    • 文件大小：48kb
    • 提供者：weixin_38506138

  1. CMOS集成电路工艺体硅CMOS工艺设计中阱工艺的选择

  2. (1) p阱工艺 实现CMOS电路的工艺技术有多种。CMOS是在PMOS工艺技术基础上于1963年 发展起来的，因此采用在n型衬底上的p阱制备NMOS器件是很自然的选择。由于氧化层中正电荷的作用以及负的金属(铝)栅与衬底的功函数差，使得在没有沟道离子注入技术的条件下，制备低阈值电压(绝对值)的PMOS器件和增强型NMOS器件相当困难。于是，采用轻掺杂的n型衬底制备PMOS器件，采用较高掺杂浓度扩散的p阱做NMOS器件，在当时成为最佳的工艺组合。 考虑到

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：86kb
    • 提供者：weixin_38712092
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