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搜索资源列表

  1. 两室型离子刻蚀微调机运行流程示意图-测试(含部分源码)

  2. 本程序用于测试两室型离子刻蚀微调机的运行流程示意图。 该运行流程示意图的程序封装为一个DLL，测试程序在运行时会自动注册该DLL。 注意：测试时也需要按照真实操作流程顺序来测，否则，流程示意图可能无效果或逻辑异常。比如：如果预抽室抽了真空，后面没有放气的话，则直接送料就会无反应。 测试程序仅实现了部分功能的测试，也可通过DLL本身的调试界面进行测试。DLL调试界面中，基本上每个基本操作都有对应的按钮。 by freebird (557039@qq.com)

  3. 所属分类：VB

    • 发布日期：2013-04-10
    • 文件大小：94kb
    • 提供者：sszh001

  1. MEMS_制造中反应离子刻蚀工艺的模型及仿真

  2. MEMS_制造中反应离子刻蚀工艺的模型及仿真,反应离子刻蚀(RIE)的二维物理模型,包括各向同性和各向异性 两部分.该速率公式的参数由实验提取,随RIE工艺参数而变化

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-10-23
    • 文件大小：280kb
    • 提供者：duanyu1992

  1. 氧刻蚀超薄碳膜在硬盘保护中的应用

  2. 氧刻蚀超薄碳膜在硬盘保护中的应用 ，薛沛东，杨雷，本文采用电子回旋共振技术（ECR）溅射沉积超薄碳保护膜，并在沉积过程后，分别使用氩离子和氧离子对碳膜进行刻蚀后处理，为实现硬

  3. 所属分类：其它

  1. 基于硫醇-烯的微光学元件低收缩紫外压印工艺

  2. 基于硫醇-烯的微光学元件低收缩紫外压印工艺，刘楠，金鹏，应用紫外纳米压印技术结合反应离子刻蚀技术制作石英玻璃基底上微结构光学元件是一种低成本、高效率、高分辨力的加工方法。光刻胶

  3. 所属分类：其它

  1. 铜离子注入铌酸锂的离子束增强刻蚀

  2. 铜离子注入铌酸锂的离子束增强刻蚀，王磊，项炳锡，采用MeV铜离子注入的方法注入铌酸锂单晶样品，研究了铜离子注入铌酸锂的增强刻蚀特性。利用湿法刻蚀、金相显微镜、扫描电子显微镜

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-08
    • 文件大小：358kb
    • 提供者：weixin_38750644

  1. 离子注入与飞秒激光刻蚀相结合制备的Nd:YAG陶瓷脊型波导激光

  2. 离子注入与飞秒激光刻蚀相结合制备的Nd:YAG陶瓷脊型波导激光，贾曰辰，陈峰，我们报道了用氦离子注入和飞秒激光刻蚀技术制备Nd:YAG陶瓷脊型光波导的方法。在室温下，实现了用波长为808 nm激光泵浦的1064 nm连续波�

  3. 所属分类：其它

  1. 具有深高宽比的SiO2/GaAs纳米图形衬底的制作工艺

  2. 具有深高宽比的SiO2/GaAs纳米图形衬底的制作工艺，李玉斌，王琦，本文采用电子束光刻技术及反应离子刻蚀技术在GaAs（100）衬底上制作了深宽比>1的（深宽比=槽深/槽宽）周期性的SiO2纳米槽。这种纳米图

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-28
    • 文件大小：229kb
    • 提供者：weixin_38721119

  1. 超薄MgB2薄膜的临界电流密度随温度和磁场的变化

  2. 超薄MgB2薄膜的临界电流密度随温度和磁场的变化，张辰，王达，利用紫外曝光配合Ar离子刻蚀、FIB后续加工的方法，在10 nm厚的MgB2薄膜上制备了宽度在微米到亚微米不等的超导微桥。通过对这些微桥的�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-12-28
    • 文件大小：748kb
    • 提供者：weixin_38588394

  1. CMOS集成电路工艺.rar

  2. 生长一层薄氧化层 淀积一层氮化硅 光刻场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来 反应离子刻蚀氮化硅 场区离子注入 热生长厚的场氧化层 去掉氮化硅层、薄氧化层

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-07-08
    • 文件大小：22mb
    • 提供者：weixin_42576437

  1. 图形刻蚀技术 (Etching Technology)

  2. 虽然，光刻和刻蚀是两个不同的加工工艺，但因为这两个工艺只有连续进行，才能完成真正意义上的图形转移。在工艺线上，这两个工艺是放在同一工序，因此，有时也将这两个工艺步骤统称为光刻。 湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：43kb
    • 提供者：weixin_38499349

  1. 常见湿法蚀刻技术

  2. 一般清洗技术 干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。它是硅片表面物理和化学两种过程平衡的结果。在半导体刻蚀工艺中，存在着两个极端：离子铣是一种纯物理刻蚀，可以做到各向异性刻蚀，但不能进行选择性刻蚀；而湿法刻蚀如前面所述则恰恰相反。人们对这两种极端过程进行折中，得到目前广泛应用的一些干法刻蚀技术。例如；反应离子刻蚀(RIE --Reactive Ion Etching)和高密度等离子体刻蚀(HDP)。这些工艺都具有各向异性刻蚀和选择性刻蚀的特点。反应离子刻蚀通过活性离子对

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：36kb
    • 提供者：weixin_38725119

  1. 光学材料的干法刻蚀研究

  2. 摘 要：本文对化学材料二氧化硅的干法刻蚀工艺进行研究，运用反应离子刻蚀设备对二氧化硅进行了刻蚀实验，通过对不同工艺条件下二氧化硅的刻蚀速 率、均匀性等参数对比，最终得出了二氧化硅等同类光学材料最佳的干法刻蚀 工艺条件。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-12-22
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 三维锂离子电池阳极中的镀镍Si微通道板电极

  2. 三维（3D）阳极，包括镀镍的硅微通道板（Si-MCP）作为基质通过光辅助电化学刻蚀和化学沉积制备活性材料。 镀镍Si-MCP电极的形貌通过扫描电子显微镜表征（SEM）和X射线衍射（XRD）。 使用锂箔作为对电极，代表半电池被制造和测试。 恒电流充放电（C–D）测量在两次之间进行0.05和1.5 V，Ni / Si-MCP阳极的库仑电荷容量为3520 mAh g-1 初始循环中的效率接近95.8％，第二循环中的效率超过97％。 当C–D电流为每10个周期增加25 mAh g-1，容量始终达到设计的

  3. 所属分类：其它

  1. 使用电子束光刻和干法刻蚀的双重图案化Craft.io对10 nm T形栅极进行纳米加工

  2. 报道了一种使用双重图案化Craft.io制造尺寸降至10 nm的T形栅极的Craft.io。 此过程的关键之一是将覆盖区的定义与栅头的覆盖区分开，从而使由抗蚀剂中电子正向散射产生的邻近效应显着最小化，使我们能够缩小至10- nm英尺宽度。 此外，与报告的抗蚀剂中10 nm T形轮廓技术相反，该Craft.io利用具有纳米缝隙的金属膜作为蚀刻掩模，在SiNx层中形成清晰的10 nm宽脚通过React离子蚀刻。 这样的双重图案化Craft.io已经显示出增强的可靠性。 详细描述了详细的过程，并讨论了

  3. 所属分类：其它

  1. 提高离子束刻蚀亚微米光栅侧壁陡直度的方法

  2. 现代亚微米光栅的应用通常要求栅脊侧壁陡直。通过比较两种配备不同离子源的刻蚀机的反应离子束刻蚀结果,认为影响亚微米光栅侧壁陡直度的一个重要因素是离子束发散角(束散角),且小束散角有利于获得陡直的光栅侧壁。国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大(大于13°),致使用常规方法获得的熔石英光栅的侧壁倾角仅为77°。针对此刻蚀机,尝试了三种提高侧壁陡直度的方法：旋转倾斜刻蚀法、交替倾斜刻蚀法和二次金属掩模法,分别把侧壁倾角提高到86°、86°和82°。最后从掩模侧壁收缩速率和槽底部与顶部离子通量的差异

  3. 所属分类：其它

  1. 无驱动结构硅微机械陀螺芯片的离子刻蚀技术

  2. 利用等离子体刻蚀理论和实验相结合的方法,实现了离子刻蚀无驱动结构硅微机械陀螺芯片技术。实验表明:离子刻蚀55μm硅的均匀性U=0.63%,选择比P=90∶1,刻蚀速率V=7.25μm/min,侧壁垂直度为90°±1°。应用该技术刻蚀出的芯片表面平整、光滑,解决了湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题,并提高了刻蚀速率。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：580kb
    • 提供者：weixin_38721252

  1. 通过感应耦合等离子体React离子刻蚀制造具有22°底切侧壁的GaN基LED

  2. 通过感应耦合等离子体React离子刻蚀制造具有22°底切侧壁的GaN基LED

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：128kb
    • 提供者：weixin_38502762

  1. 微透镜列阵的离子束刻蚀及衍射效率测量

  2. 采用Kaufman离子刻蚀微透镜列阵并采用实时检测系统对刻蚀深度进行了控制.提出了测量微透镜列阵衍射效率的一种方法,对测量误差进行了讨论.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：519kb
    • 提供者：weixin_38711333

  1. 刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性

  2. 为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响, 采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AlGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀了约95 nm。通过光致发光(PL)特性表征发现,干法刻蚀后量子阱光致发光强度较未刻蚀量子阱光致发光强度提高了近3倍。干法刻蚀后, 量子阱表面呈现高低起伏状形貌, 粗糙度提高, 出射光在起伏状粗糙形貌表面反复散射, 从而逃逸概率增大, 有助于光致发光强度增强。理论计算结果得出表面形貌变化引起的量子阱光致发光

  3. 所属分类：其它

  1. 掺镁铌酸锂晶体的ICP刻蚀性能

  2. 掺镁铌酸锂晶体(MgLiNbO3)是一种相对难刻蚀的晶体，MgLiNbO3的干法刻蚀速率和刻蚀形貌控制是铌酸锂光电子器件加工中的关键技术之一。采用牛津仪器公司的Plasmalab System 100以SF6/Ar为刻蚀气体，具体研究MgLiNbO3的刻蚀速率随着感应耦合等离子体(ICP)功率、反应离子刻蚀(RIE)功率、气室压强和气体流量配比等刻蚀参数的变化，同时研究发现SF6/(Ar+SF6)气体流量配比还会影响刻蚀表面的粗糙度。实验结果表明：在ICP功率为1000 W，RIE功率为150

  3. 所属分类：其它

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