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  1. 现代直流伺服控制技术及其系统设计

  2. 现代直流伺服控制技术及其系统设计 目 录 代序言 前 言 第1章 绪论 1直流伺服控制技术的发展 2现代直流PWM伺服驱动技术的发展 2.1国内外发展概况 2.2直流PWM伺服驱动装置的工作 原理和特点 2.3功率控制元件的应用及控制 电路集成化 2.4PWM系统发展中待研究的 问题 3现代伺服控制技术展望 第2章 不可逆直流PWM系统 1无制动状态的不可逆PWM系统 1.1电流连续时PWM系统控制特 性 分析 1.2电流断续时PWM系统控制特性 分析 2带制动回路的不可逆PWM 系统 第3章
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2009-10-14
    • 文件大小:13mb
    • 提供者:fdcp123
  1. 稳恒电路模拟软件:可执行文件,使用说明,实例文件

  2. 本软件是专为物理电学教学设计的, 电路不仅仅是串并电路,是您用导线连接的任意电路。 对于正在学习或讲授物理电学的学生和教师比较实用。
  3. 所属分类:教育

    • 发布日期:2011-11-22
    • 文件大小:538kb
    • 提供者:wm3418925
  1. 嵌入式硬件系统接口电路设计

  2. 《嵌入式硬件系统接口电路设计》详细介绍了嵌入式硬件系统及其接口电路应用技术,重点讲解了嵌入式系统开发基础、键盘接口电路设计、显示接口电路设计、模拟量输出传感器及其接口电路设计、数字量输出传感器及其接口电路设计、过程通道与人机接口电路设计、常用电信接口电路设计、控制接口电路设计、数据通信及其接口电路设计、常用电源变换及其监控接口电路设计、逆变器接口电路设计、检测接口电路设计、电磁兼容及其可靠性设计等内容。 第1章 嵌入式系统开发基础1 1.1 嵌入式系统的基本概念1 1.1.1 硬件层2 1.1
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2014-06-24
    • 文件大小:44mb
    • 提供者:u013404299
  1. 罗克韦尔-1336 PLUS II 无速度传感器矢量控制.pdf

  2. 罗克韦尔-1336 PLUS II 无速度传感器矢量控制pdf,目录 第一 一般介绍和注意事项 三册日的 软什兼容 般性注意事项 三册中采用的规定 日录号说明 铭牌位置 笫二章 安装/接线 装配 安装指南 交流三源 个半衡配电系统 不接地配电系统 输入三源要求 输入保殓丝知空气开关 哏据 安装 安装 输入器件 起动和停什电机 输入电源的重复使用断开 旁接鯉 电气接口 抗干扰性 辐射 滤波器 致性 接地 敏感电路 电机电缆 编码器机通训电缆 离散控制和信号接线 屏蔽湍子 安全地 潺波器 电源三缆
  3. 所属分类:其它

  1. MOTEC α系列交流伺服(选型手册).pdf

  2. MOTEC α系列交流伺服(选型手册)pdf,MOTEC α系列交流伺服(选型手册)MOTEC MOTEC"a交流伺服系统 MOTECα交流伺服系统概述 MOTECα交流伺服系统概述 g系列交流伺服系统包合SED伺服驱动和SEM伺服电机。驱动器采用最新的 MOTEC览 伺服专用32位数字处理器(DSP)为核心,配以高速数字逻辑芯片,高品质功率模块 而组成。与SEM伺服电忛匹配具有集成度高、体枳凑、响应速度快、保护完、接线 α系列交流伺服系统包含SED伺服驱动和SEM伺服电饥。驱动 简洁明了、可靠
  3. 所属分类:其它

  1. 电源技术中的LED电源老化测试用的缓启动恒流电子负载

  2. 摘要:设计实用于LED电源的,具有缓启动功能的恒流电子负载,利用负载接入端子V+.V-输入电压,经过稳压输出电路稳压后用于控制经典的模拟恒流负载电路,配合上简单的由RC 延时网络构成的上电延时启动电路.能使负载电流从0 mA缓慢上升至额定电流,再配合由双三极管及电阻电容构成的掉电快速放电电路,保证了下次启动时的延时效果.该设计的具有缓启动功能的恒流电子负载,无需外部供电,直接取电于负载接入电压,无需软件延时和其他硬件延时,实现无源软缓启动,成本低,可以串联和并联使用.在LED电源的老化测试中,替
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:138kb
    • 提供者:weixin_38535132
  1. 新型大功率LED恒流驱动芯片设计

  2. 设计了一款基于BUCK电路的大功率LED恒流驱动芯片,芯片集成了带隙基准源模块、LDO模块、偏置电流产生模块、数字调光模块、过温保护模块、逻辑控制模块和驱动模块等。对带隙参考源、高压LDO和过热保护3个子模块电路的设计做了重点研究,通过Cadence软件对子电路和系统的各项参数进行了模拟仿真和优化,对整体电路的版图进行了设计和验证,芯片面积为1 680 μm×1 210 μm。采用VIS公司的0.35 μm 40 V BCD工艺进行了流片。测试结果表明,芯片基于控制导通时间的控制方式实现了高精度
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:544kb
    • 提供者:weixin_38616033