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  1. PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响.pdf

  2. 在等离子增强化学气相沉积法（PECVD）沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中， 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化， 同时在p

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：732kb
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 微晶硅沉积的射频等离子体辉光发射谱

  2. 微晶硅沉积的射频等离子体辉光发射谱，朱锋，赵颖，采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术在高沉积功率、低衬底温度的条件下沉积微晶硅薄膜材料。光发射谱（OES）测量技术�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-01
    • 文件大小：446kb
    • 提供者：weixin_38551837

  1. VHF—PECVD系统能量馈入模式对薄膜均匀性的影响

  2. 为了解决甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备薄膜的非均匀性问题,采用准平面电路模型计算,给出了平板电极间电势的非均匀分布规律。在计算模型中,射频源采用面馈入的模式取代了点馈入的模式,使计算结果更贴近实际。研究表明,在60 MHz甚高频作用下,如果方形平板电极的边长超过1.3 m,电势分布非均匀度将超过10%。此外,研究还发现:如果射频源功率馈入端圆形接触面的半径从1 mm增加到22 mm,电势分布非均匀度相对降低了45%,将大大的提高薄膜的均匀性。同时,计算结果还表明:在条件

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-23
    • 文件大小：233kb
    • 提供者：weixin_38518722

  1. 薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）

  2. 薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。对于CVD工艺，这包括原子层沉积（ALD）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。PVD沉积技术包括溅射，电子束和热蒸发。CVD工艺包括使用等离子体将源材料与一种或多种挥发性前驱物混合以化学相互作用并使源材料分解。该工艺使用较高压力的热量，从而产生了更可再现的薄膜，其中薄膜厚度可以通过时间/功率来控制。这些薄膜的化学计量性更高，密度更高，并且能够生长更高品质的绝缘体薄膜。PVD处理使用通过某种电能气化的固体前驱体金属。然后将气

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-01-07
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 等离子体增强化学气相沉积-PECVD

  2. 用于制造微电子器件的薄膜都是使用某种沉积技术形成的，该术语是指在基板上形成沉积物。在半导体器件制造中，以下沉积技术（及其常用的缩写）为：

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-01-06
    • 文件大小：721kb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 用于纳米光子应用的PEVVD SiNx：H薄膜的机械应变

  2. 通过高频等离子体增强化学气相沉积（HF PECVD）在低温下沉积氢化非晶硅氮化物膜（SiNx：H）。 主要工作是研究等离子体频率和等离子体功率密度在确定薄膜特性（尤其是应力）中的作用。 通过傅立叶变换红外光谱（FTIR）获得有关膜中化学键的信息。 SiNx：H膜中的应力由衬底曲率测量确定。 结果表明，等离子体频率在控制SiNx：H薄膜的应力中起着重要作用。 对于以40.68MHz的等离子体频率生长的氮化硅层，观察到初始拉伸应力在400MPa-700MPa的范围内。 氮化硅膜的固有应力的测量结果表

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：620kb
    • 提供者：weixin_38506713

  1. 具有超低反射率的折射率渐变封装结构

  2. 采用电感耦合等离子体增强化学气相沉积(ICP-PECVD)技术, 在室温下制备了具有折射率渐变特性的SiO2材料, 并对制备工艺与SiO2材料光学特性之间的关联性进行研究。结合椭圆偏振光谱仪拟合得到的结果, 对基于折射率渐变SiO2材料膜系封装的钙钛矿电池表面的抗反射特性进行模拟后发现, 其抗反射特性优异, 在550 nm处反射率可低至0.5%。本研究为兼顾光学特性的低温钙钛矿电池封装提供了一种可参考的技术方案。

  3. 所属分类：其它

  1. 太阳能电池光管理用异型分布布拉格反射镜设计与制作技术

  2. 根据多光束干涉原理，基于迭代算法，设计出用于异质结太阳能电池的异型分布布拉格反射（IDBR）结构。通过优化设计S1（500 nm+800 nm）、S2（500 nm+900 nm）、S3（500 nm+1000 nm）、S4（500 nm+800 nm+1000 nm）4种不同中心波长组合的异型布拉格背反射结构，发现S3具有最佳宽频带高反射效果，该异质结由两对非晶硅(32 nm)/氮化硅(61.78 nm)分布式布拉格反射（DBR）结构与三对非晶硅(64 nm)/氮化硅(123.57 nm) D

  3. 所属分类：其它

  1. PECVD技术在微结构表面沉积薄膜的复形性

  2. 采用光刻技术、刻蚀技术和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术，在线阵掩模微结构表面沉积了SiO2和Si3N4薄膜，研究了线阵掩模的宽度和厚度,以及薄膜的厚度和沉积速率对SiO2和Si3N4薄膜复形性的影响，制备得到了具有良好微结构形貌的微结构滤光片阵列。结果表明，薄膜沉积速率越大，薄膜的复形性越好；掩模厚度和薄膜沉积厚度的增加会导致薄膜的复形性变差；SiO2薄膜的复形性优于Si3N4薄膜的。

  3. 所属分类：其它

  1. 三层氮化硅减反射膜在单晶硅太阳电池中的应用

  2. 对比了具有双层和三层氮化硅减反射膜的单晶硅太阳电池的反射率、内外量子效率、少子寿命及电学特性, 模拟了双层和三层氮化硅减反射膜的光学特性, 结果表明, 三层氮化硅减反射膜具有更好的减反射效果和输出特性。通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在P型单晶硅上分别制作了双层和三层氮化硅减反射膜, 对其减反射效果和钝化效果的分析结果表明, 与双层氮化硅减反射膜相比, 三层氮化硅减反射膜具有较小的反射率和较好的钝化效果。对具有双层和三层氮化硅减反射膜的单晶硅太阳电池的电学测试结果表明, 具有三层氮

  3. 所属分类：其它

  1. 多晶硅太阳电池组件电位诱导衰减效应分析

  2. 电位诱导衰减(PID)能够导致晶体硅太阳电池组件功率大幅衰减，使太阳电池组件的大规模应用受到了限制。实验分析了由不同等离子体增强化学气相沉积(PECVD)镀膜工艺多晶硅太阳电池制作的组件功率衰减问题。结果表明，相比标准工艺多晶硅太阳电池组件(折射率为2.06)，防PID 工艺多晶硅太阳电池(折射率为2.16)制作的组件功率仅有1.65%的衰减，衰减幅度在5%以内，具有一定的耐高压、高温和湿热环境的能力。分析可知，在满足光学薄膜厚度的情况下，制作具有较高折射率SiNx膜的多晶硅太阳电池组件能够更好

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-25
    • 文件大小：843kb
    • 提供者：weixin_38605967

  1. 热退火对非晶碳氧硅薄膜蓝光的影响

  2. 在250°C的温度下使用超高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）制备了呈现蓝色发光的非晶碳氧化硅（a-SiCxOy）膜。 研究了热退火对光致发光（PL）的影响。 在600°C的温度下进行的热退火导致蓝色PL显着增强，而在明亮的房间中用肉眼可以清楚地观察到蓝色PL。 蓝色PL具有在纳秒级时域上独立于激发波长的重组动态。 如通过透射电子显微镜所揭示的，在退火膜中既不存在Si也不存在SiC量子点。 PL结果结合对薄膜中化学键的分析表明，蓝色PL的起源很大程度上是由于通过Si相关的中性氧空位

  3. 所属分类：其它