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  1. Zeiss Auriga FIB软件操作说明书

  2. 用于Zeiss Auriga 场发射聚焦离子束电子束双束显微镜的软件操作说明书

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2015-04-22
    • 文件大小：8mb
    • 提供者：xiahuibsb

  1. 聚焦离子束法制备金属材料的TEM试样

  2. 聚焦离子束法制备金属材料的TEM试样，申华海，向霞，制备制备高质量的透射电镜试样是获得材料完整结构信息的基础，聚焦离子束技术已被有效地应用于制备各种材料的透射电镜试样。对于

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：685kb
    • 提供者：weixin_38694355

  1. 聚焦离子束加工

  2. 聚焦离子束加工ppt,1:加工原理及装置2:离子束加工工艺特点 3:离子束加工的应用

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-05-08
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：yhq0814

  1. 专用芯片技术中的芯片反向技术干货：FIB芯片电路修改

  2. 在各类应用中，以线路修补和布局验证这一类的工作具有最大经济效益，局部的线路修改可省略重作光罩和初次试作的研发成本，这样的运作模式对缩短研发到量产的时程绝对有效，同时节省大量研发费用。封装后的芯片，经测试需将两条线路连接进行功能测试，此时可利用聚焦离子束系统将器件上层的钝化层打开，露出需要连接的两个金属导线，利用离子束沉积Pt材料，从而将两条导线连接在一起，由此可大大缩短芯片的开发时间。这也是芯片解密常用到手法。 　　利用聚焦离子束进行线路修改，（A）、（B）将欲连接线路上的钝化层打开

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：350kb
    • 提供者：weixin_38687505

  1. 多孔硅上制备大光子带隙的单量子点与半导体微腔的强耦合三维光子...

  2. 三维光子晶体由于存在完全的三维光子带隙而日益引起人们的兴趣。虽然人们已经能够制备出光子晶体，但是制备出带隙在近红外或者可见光波段的光子晶体结构还是很困难的。美国加利福尼亚技术研究所的J. Schilling等人用光电化学方法和聚焦离子束技术相结合，用聚焦离子束在已经制备出一个方向上光子晶体结构的多孔硅上制备了另外一个维度的光子晶体结构，形成六方格子正交结构的光子晶体，并进行了光学性能方面的测试。光致发光数据显示的强关联也显示了被激发的量子点和腔体模式下的散射效应是不同的。该成果发表在APL.,

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：32kb
    • 提供者：weixin_38595473

  1. 聚焦离子束曝光技术

  2. （1、中国科学院电工研究所，北京100080；2、中国科学院研究生院 北京100039） 摘要：聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。它大大提高了微电子工业上材料、工艺、器件分析及修补的精度和速度，目前已经成为微电子技术领域必不可少的关键技术之一。对聚焦离子束曝光技术作了介绍。 关键词：聚焦离子束，液态金属离子源，曝光 中图分类号：TN305.7 文献标识码：A 文章编号：1004－4507（2005）12－0056－03 聚焦离

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：92kb
    • 提供者：weixin_38732463

  1. 通过聚焦离子束的精确大面积纳米线操作制备各向异性纳米材料

  2. 通过聚焦离子束的精确大面积纳米线操作制备各向异性纳米材料

  3. 所属分类：其它

  1. 由Au膜上的亚波长大小的Kong阵列组成的等离子滤色片的偏振特性

  2. 由金属膜组成的等离子滤色片可以轻松调节。 使用聚焦离子束在200 nm厚的Au膜上制作出具有圆形，方形和矩形形状的亚波长尺寸的Kong的周期性阵列。 该结构用作等离激元彩色滤光片，用于在不同偏振方向的白光照射下表现出颜色变化。 我们发现，对于矩形Kong阵列，透射光的颜色会随着偏振方向发生很大变化。 但是，对于圆Kong和方Kong的阵列，透射光的颜色对入射光的偏振方向不敏感。 我们得出的结论是，围绕单个Kong的局部表面等离激元是影响透射光颜色的关键因素，而不是周期性阵列感应的表面等离激元极化

  3. 所属分类：其它

  1. La0.67Ca0.33MnO3纳米桥的聚焦离子束制备和磁电传输性能

  2. 使用脉冲电子沉积技术在单晶硅衬底上生长平均粒径接近150 nm的La0.67Ca0.33MnO3颗粒膜，然后将聚焦离子束引入以在该颗粒上制备尺寸为300 x 900 nm的纳米桥电影。 研究了两个样品的磁传输性质。 对于薄膜，在与温度相关的电阻（RT）曲线中，只有一个电阻峰值位于182 K，远低于250 K的铁磁-顺磁转变温度（T（C））。在纳米曲线的RT曲线和取决于温度（MR-T）曲线的磁阻中都观察到一个峰，一个峰在186 K，非常接近薄膜的金属-绝缘体转变温度（T（P）），另一个峰一个是在2

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：718kb
    • 提供者：weixin_38699613

  1. 机械剥落制成的薄膜状BSCCO单晶

  2. 机械剥落已被证明是一种有效的技术，可以生产一层至多层的强各向异性材料，例如石墨，NbSe2和Bi2Te3。 使用这种技术，成功地生产了典型厚度为几纳米到几十纳米的薄膜状BSCCO（Bi2Sr2CaCu2O8 +δ和Bi2Sr2Ca2Cu3O8 +δ）单晶。 最薄的晶体在c轴上只有0.5个晶胞。 测得的30 nm厚晶体的电阻率-温度特性显示出极好的超导性。 观察到，剥落的薄膜状单晶的拓扑结构可以在AFM和轮廓仪测量中复制基板的结构。 借助双束聚焦离子束，在横截面图中可以看到薄膜状BSCCO单晶与阶

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-24
    • 文件大小：810kb
    • 提供者：weixin_38589812

  1. 软X射线相位型聚焦波带片的研制

  2. 软X射线波带片是软X射线光学中聚焦、色散和成像的重要元件。以激光全息离子束刻蚀技术制作金的振幅型软X射线聚焦波带片,以此为掩模,利用接触式同步辐射光刻和离子束刻蚀技术在聚酰亚胺衬底上,分别制作出了镍和锗的软X射线相位型聚焦波带片。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：390kb
    • 提供者：weixin_38550722

  1. 计算机光学元件的制作及新应用

  2. 论述计算机光学元件制作的方法,着重介绍了灰度掩模技术,反应离子束刻蚀法和激光直写技术,并且说明了其在空间聚焦器上和激光雷达上的新应用。

  3. 所属分类：其它

  1. 金膜上亚波长周期性孔阵的模拟与研制

  2. 分析了980 nm波长的光在透过制作在金膜上的亚波长周期性孔阵时的透射增强现象。通过建立中心带缺陷孔的三角晶格的孔阵模型, 并采用三维时域有限差分方法对该模型的透射情况进行模拟分析。结果表明通过优化孔阵周期参数可以对特定波长的光实现一定程度的选择透过性。当孔阵周期为450 nm, 中心缺陷孔径为400 nm, 孔阵中单个孔孔径为150 nm时, 980 nm波长光透过该孔阵时具有明显的透射增强效应, 并且距孔阵表面3 μm的远场光斑尺寸被局限在亚波长尺度(880 nm)。研究了使用聚焦离子束在金

  3. 所属分类：其它

  1. 金属纳米线栅在光纤传感器中的应用

  2. 利用聚焦离子束技术将金属线栅结构加工到一个工作在1550 nm波段的标准单模光纤的端面。金属线栅选用的金属是金，周期为 200 nm，尺寸远小于入射光的波长。根据有效介质理论，通过金属线栅结构的透射光为偏振光。TE模式和TM模式的反射率对比度为13.7 dB，其对比度和灵敏度可满足弹光效应和法拉第磁光效应引起的偏振性变化的检测要求。基于金属线栅结构，得到了灵敏度为0.237 rad/N的压力传感器和灵敏度为0.06022°/A的电流传感器。

  3. 所属分类：其它

  1. PECVD法制备SiO

  2. 应用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备SiO2薄膜, 并用折射率来表征致密性。研究了SiO2薄膜致密性与射频(RF)功率、基板温度、腔内压强、N2O/SiH4流量比的关系。通过Filmetrics薄膜测厚仪F20测量了薄膜的折射率, 用聚焦离子束扫描电镜(FIB-SEM)测量了表面微结构。利用能量弥散X射线(EDX)分析薄膜中Si、O、N元素含量随工艺参数变化对致密性的影响。进行多因子实验设计(DOE), 得出了各种条件下最优的折射率与结构的生长条件, 并研究了SiO2薄膜致密性随工艺

  3. 所属分类：其它

  1. Raith_GDSII：用于Raith电子束光刻（EBL）和聚焦离子束（FIB）工具的MATLAB工具-源码

  2. Raith_GDSII：用于Raith电子束光刻（EBL）和聚焦离子束（FIB）工具的MATLAB工具

  3. 所属分类：其它

  1. 集成Ag基反射镜的GaN基LED薄膜芯片的静电失效演变

  2. 对集成Ag基反射镜的垂直结构GaN基发光二极管(LED)薄膜芯片施加ESD(electro-static discharge)冲击,观察其静电失效的现象并对失效演变的过程进行研究。结果表明,LED芯片经过ESD冲击后,内部会随机出现ESD黑点。随着ESD电压逐渐增大,此ESD黑点逐渐演变成为静电孔。通过聚焦离子束刻蚀等手段,得出ESD黑点产生的原因,即静电击穿产生的瞬间高温将LED芯片中的p-GaN及Ag基反射镜熔化,从而使得Ag反射镜的反射率降低。在LED薄膜芯片静电失效的演变过程中,ESD黑

  3. 所属分类：其它