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  1. “超软赝势（ultrasoft pseudopotential）”最原始文章

  2. 学习vasp必备资料。 vasp的主要技术就是利用了超软赝势的概念和方法。这一篇文献是引入超软赝势的最原始文献。

  3. 所属分类：C#

    • 发布日期：2009-07-28
    • 文件大小：595kb
    • 提供者：mazuju028

  1. VASP ----

  2. VASP是使用赝势和平面波基组，进行第一定律分子动力学计算的软件包。VASP中的方法基于有限温度下的局域密度近似（用自由能作为变量）以及对每一MD步骤用有效矩阵对角方案和有效Pulay混合求解瞬时电子基态。这些技术可以避免原始的Car-Parrinello方法存在的一切问题，而后者是基于电子、离子运动方程同时积分的方法。离子和电子的相互作用超缓Vanderbilt赝势(US-PP)或投影扩充波(PAW)方法描述。两种技术都可以相当程度地减少过渡金属或第一行元素的每个原子所必需的平面波数量。力与

  3. 所属分类：C#

    • 发布日期：2008-05-09
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：uuuuuuu

  1. vasp5.3.5.tar

  2. 程序亮点 1. VASP使用PAW方法或超软赝势，因此基组尺寸非常小，描述体材料一般需要每原子不超过100个平面波，大多数情况下甚至每原子50个平面波就能得到可靠结果。 2. 在平面波程序中，某些部分代码的执行是三次标度。在VASP中，三次标度部分的前因子足可忽略，导致关于体系尺寸的高效标度。因此可以在实空间求解势的非局域贡献，并使正交化的次数最少。当体系具有大约2000个电子能带时，三次标度部分与其它部分可比，因此VASP可用于直到4000个价电子的体系。 3. VASP使用传统的自洽场循环

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2018-01-23
    • 文件大小：14mb
    • 提供者：weixin_41668539

  1. 单斜晶相HfO2电子结构与光学性质的第一性原理计算

  2. 单斜晶相HfO2电子结构与光学性质的第一性原理计算，冯丽萍，刘正堂，利用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法计算了单斜晶相二氧化铪(m-HfO2)的电子结构，得到了m-HfO2的总态密度、分波态�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-10
    • 文件大小：485kb
    • 提供者：weixin_38629362

  1. 电子、原子理论计算在高碳合金钢合金设计中的应用

  2. 电子、原子理论计算在高碳合金钢合金设计中的应用，戴玉梅，马永庆，利用量子化学从头计算方法、密度泛函理论的超软赝势方法与半经验原子间相互作用对势相结合，计算出高碳合金钢DM8A钢和DM8钢马氏体�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-04
    • 文件大小：383kb
    • 提供者：weixin_38639237

  1. 氧化钽及其空位缺陷带隙结构的理论计算

  2. 氧化钽及其空位缺陷带隙结构的理论计算，王吉飞，许程，采用第一性原理平面波超软赝势方法分别计算了单斜相Ta2O5的能带结构，考虑到通常情况下Ta2O5用于薄膜材料，所以对非晶态的Ta2O5也进行

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-07
    • 文件大小：458kb
    • 提供者：weixin_38703277

  1. potUSPP_LDA.tar.gz

  2. vasp计算中用到的三种赝势：模守恒赝势，超软赝势，PAW赝势(按产生顺序。 按方法不同分为USPP和PAW（两种方法都可以相当程度地减少过渡金属或第一行元素的每个原子 所必需的平面波数量） 按交换关联函数不同分为LDA和GGA（又分为PW91和PBE）  //求解K-S方程时电子之间的交换关联泛函取局域密度泛函LDA（Rc处电子结构当成是密度相同的均匀电子气体来算） 或 广义梯度泛函GGA（考虑了密度的梯度变化），但泛函的不同也会引起贋势的不同。

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：5mb
    • 提供者：lawryanzzz

  1. 立方型Ti-B-N的光学性质的计算

  2. 立方型TiBN材料的光学性质对于深刻理解TiBN薄膜材料的光学性质,以及监测和控制TiBN薄膜材料的生长过程起着重要作用。使用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法计算了立方型TiBN的电子结构和光学性质,给出了电子态密度、介电常数、吸收系数、反射力、折射系数、消光系数等计算结果,并对计算结果作了分析。态密度图显示,存在源于B的2p态的态密度峰,分析认为这对立方型TiBN的光学吸收造成了明显影响。同时还计算了立方型TiBN的色度坐标,并根据计算结果对工艺参量与TiBN薄膜材料色度坐标之间的联系作出

  3. 所属分类：其它

  1. Cu吸附GaN(0001)表面的第一性原理计算

  2. 采用基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)的平面波超软赝势方法(PWP)分别对GaN和Cu吸附在GaN(0001)2×2表面atop、H3、T4不同位置的体系进行了几何结构优化，分别计算了GaN和Cu吸附GaN的两个体系的吸附能、能带结构和电子态密度。计算结果表明，在Cu吸附的GaN(0001)表面体系中，相比于Ga和N原子的上面位置，孤立的Cu原子最优先吸附在3倍原子层下的面心位置。Cu吸附的GaN(0001)表面体系呈现出半金属性，并且呈n型导电特征，这表明了Cu作为GaN器件电

  3. 所属分类：其它

  1. p型ZnO纳米线及其表面H钝化的理论分析

  2. 采用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势方法的DMol3软件，对ZnO纳米线表面在非H钝化和H钝化两种情况，及N原子掺入位置不同的情况进行了理论计算，并系统地分析了其结构参数、掺杂形成能及电子结构。研究结果表明，这两种表面的情况下，ZnO纳米线在生长方向［ 0 0 0 1 ］面的晶格参数发生了较大变化，同时，H的钝化使Zn-O键键长增加，并导致掺杂时N原子更加容易在表面富集。此外，在这两种表面的情况下，掺杂的N原子越靠近表面，其固溶度越高，导电性越强，越容易形成良好的p型ZnO纳米线。

  3. 所属分类：其它

  1. ZnO氧缺陷的电子结构和光学性质(英文)

  2. 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对ZnO0.875的电子结构和光学性质进行了计算.用第一性原理对含氧空位的ZnO晶体进行了结构优化处理,计算了完整的和含氧空位的ZnO晶体的电子态密度.结合精确计算的电子态密度分析了带间跃迁占主导地位的ZnO0.875材料的介电函数、吸收系数、折射系数、湮灭系数和反射系数,并对光学性质和极化之间的联系做了详细讨论.结果表明ZnO0.875晶体是单轴晶体,并且在低能区域存在因氧缺陷而造成的一些特性.我们的研究结果为ZnO的发光特性提供新的视野,同时为ZnO的

  3. 所属分类：其它

  1. N-Cu共掺杂金红石相TiO

  2. TiO2是一种广泛应用的无机金属氧化物半导体材料，利用掺入杂质来改善TiO2的光催化和光电转换性能已成为近年来研究的热点。采用密度泛函理论体系下第一性原理的平面波超软赝势方法研究了单N 掺杂、单Cu掺杂和N-Cu共掺杂金红石相TiO2的电子结构和光学性质。结果表明：N与Cu共掺杂后，由于N2p电子与Cu3d电子协同作用，在TiO2禁带中产生了新的杂质能级。其中一条处于稳态，另一条处于亚稳态，电子跃迁能有效减小，更有利于光生电子-空穴对有效分离，大大改善了TiO2的光催化性能。N 与Cu 共掺杂使

  3. 所属分类：其它

  1. ZnO电子结构与光学性质的第一性原理计算

  2. 计算了ZnO电子结构和光学线性响应函数,从理论上给出了ZnO材料电子结构与光学性质的关系。所有计算都是基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法。利用精确计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的ZnO材料的介电函数、反射谱、反射率以及消光率,理论结果与实验符合甚佳,为ZnO光电材料的设计与应用提供了理论依据。同时,计算结果也为精确监测和控制ZnO材料的生长过程提供了可能性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：643kb
    • 提供者：weixin_38733245

  1. 含氧空位锐钛矿TiO

  2. 为了研究锐钛矿TiO2晶体中氧空位对光学性质的影响,利用基于局域密度泛函理论框架下的广义梯度近似平面波超软赝势方法, 用第一性原理对含氧空位锐钛矿TiO2晶体进行了结构优化处理,计算了完整的和含氧空位锐钛矿TiO2晶体的电子态密度、复数折射率、介电函数及吸收光谱的偏振特性。二者比较发现,引入氧空位后,锐钛矿TiO2的电子结构发生了变化,电子总态密度的费米面进入了导带,引起了莫特相变 ; 含氧空位的锐钛矿TiO2晶体的Ti 3d态大约在-6.097 eV处出现了新的劈裂峰值。两种模型的介电函数虚部

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-10
    • 文件大小：945kb
    • 提供者：weixin_38603936

  1. 空位缺陷对CdS电子结构和光学性质的影响

  2. 采用基于密度泛函理论(DFT)第一性原理的平面波超软赝势方法,对空位缺陷体系的几何结构进行优化计算,发现空位引起周围原子的弛豫,晶格结构发生畸变。在此基础上研究了空位缺陷对闪锌矿结构CdS体系电子结构(能带结构、电子态密度)的影响,结果表明,S空位使得能带变窄,而Cd空位使带隙变宽,但二者仍为直接带隙半导体。对光学性质的研究发现,由于空位的介入使其邻近原子电子结构发生变化,使得空位缺陷体系光学性质的变化主要集中在低能量区。

  3. 所属分类：其它

  1. First-principle study of vacancy-induced cubic boron nitride electronic structure and optical propertiy changes∗

  2. 对立方氮化硼的空位进行了基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法的研究.通过对总能量、能带结构、态密度及电子密度分布图的分析发现, B空位相比起N空位更加稳定.并且空位仅影响最近邻原子的电子分布,空位浓度的增加使禁带宽度逐渐变窄.从复介电函数和光学吸收谱分析中发现,随着空位浓度的增加,立方氮化硼在深紫外区的吸收逐渐减弱.并且B空位还导致在可见光区域出现明显的吸收带.

  3. 所属分类：其它

  1. 非金属杂质C, N, S共掺金红石相TiO

  2. 非金属掺杂金红石相TiO2使它的光学性质发生改变，拓展其在光催化和光电转换领域的应用是近年来的一个热点。基于密度泛函理论的平面超软赝势方法对C单掺杂、N单掺杂、S单掺杂以及C-N共掺、C-S共掺、N-S共掺TiO2的超晶胞进行电子性质和光学性质的计算，包括能带结构、电子态密度、介电常数、吸收光谱和反射光谱等。非金属元素的掺杂都使得TiO2禁带宽度减小，吸收光谱和反射光谱发生红移，在一定程度上改善了TiO2对可见光的利用，但非金属双掺杂比单掺杂对可见光的利用率更高。研究表明：在可见光高能区400~

  3. 所属分类：其它

  1. 单斜相HfO

  2. 用电子束蒸发沉积在K9玻璃基底上镀制HfO2薄膜，沉积温度为200 ℃，蒸发速率为0.03 nm/s。由X射线衍射谱可知薄膜出现明显结晶，且为单斜相和正交相混合结构，其中单斜相占明显优势。用Jade5软件分析得到单斜相HfO2的晶格常数a,b,c以及晶格矢量a和c之间的夹角β。基于得到的晶格常数建立了单斜相HfO2薄膜的晶体结构模型。同时建立固态单斜相HfO2的晶体结构模型进行对比。通过密度泛函理论（DFT）框架下的平面超软赝势法，采用两种不同的交换关联函数：局域密度近似(LDA)中的CA-PZ

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-06
    • 文件大小：1001kb
    • 提供者：weixin_38711041

  1. 氮与铂族金属（Ru,Rh,Pd）共掺杂金红石相TiO

  2. 通过非金属与金属共掺杂二氧化钛(TiO2)来改变TiO2光学性质以拓展其在光催化和光电转化领域的应用是近年来研究的热点。采用基于密度泛函理论(DFT)体系下的第一性原理平面波超软赝势方法，模拟计算了氮与铂族金属(Ru,Rh,Pd)共掺杂金红石相TiO2的几何结构、能带结构、态密度、光学性质以及缺陷形成能。计算结果表明：单掺N以及N-Ru、N-Rh、N-Pd共掺杂金红石相TiO2都在一定程度上改善了对可见光的利用效率，其缺陷形成能大小顺序依次为N-Pd、N-Rh、N-Ru，这说明共掺条件下N-Ru

  3. 所属分类：其它

  1. 金红石相TiO

  2. 光学气敏材料吸附气体分子后导致光学性质发生变化，运用这一原理来检测环境中的气体成分，称为光学气敏效应。采用基于密度泛函理论(DFT)体系下的第一性原理平面波超软赝势方法，研究了光学气敏材料金红石相TiO2(110)表面吸附H2S分子的微观特性，计算了TiO2(110)表面吸附能、电荷密度、态密度和光学性质的变化。结果表明，TiO2最稳定的表面是终止于二配位O原子的(110)面，只有含有氧空位的表面才能稳定吸附H2S，且氧空位比例越高，越有助于H2S吸附于表面；表面吸附H2S以水平吸附方式为主，在

  3. 所属分类：其它

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