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  1. 霍尔传感器原理及在车速传感器中的应用

  2. 自从1879年24岁的研究生霍尔（Edwin H. Hall）在发现霍尔效，随着半导体物理学的迅猛发展，霍尔系数和电导率的测量已经称为研究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测得霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料的杂质电离能等参数。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-07-18
    • 文件大小：119kb
    • 提供者：xiaolin0303

  1. 霍尔传感器的原理及其应用实例

  2. 霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。…………

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2011-03-26
    • 文件大小：45kb
    • 提供者：buaaable

  1. APL_PAPER的论文

  2. 基于第一性原理，近似计算载流子迁移率！很好的工作，值得借鉴！

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2014-06-26
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：qq_16924583

  1. 显示/光电技术中的光生载流子的扩散

  2. 在远离本征区所产生的光生载流子由于没有外电场作用，要通过扩散才能到达外电极，而扩散时间通常比漂移时间长得多，因此严重限制了光电探测器工作速率，所以有必要详细讨论载流子扩散过程。如图1所示的pn结二极管，存在区域1和区域2两个扩散区域。第一个扩散区域位于重掺杂表面通常很薄。而第二个扩散区域则位于空间电荷区SCR（Space－Charge Region）的下面，这个扩散区域较厚，载流子需要较长时间扩散才能到达空间电荷区，因此这个扩散区域会对光电探测器产生不利影响。 　　图1  PN光电二极管中

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：96kb
    • 提供者：weixin_38725450

  1. 载流子迁移率

  2. 在2.5.6节提到过，在半导体材料中移动一个电子比空穴要容易。在电路中，我们对载流子（空穴和电子）移动所需能量和其移动的速度都感兴趣。移动的速度叫做载流子迁移率，空穴比电子迁移率低。在为电路选择特定半导体材料时，这是个非常值得考虑的重要因素 。 分类 电子 例子 导电率 1．导体 ====移动 金、铜、银 2．绝缘体 无法移动 玻璃、塑料 3．半导体a．本征的 有些可以移动 锗、硅、3到5族元素 B．掺杂的 受控的部分可以移动 N型半导体P型半导体 图2.12 材料的电分类 N型 P型 1．导电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：28kb
    • 提供者：weixin_38623000

  1. OTS处理提高有机TFT载流子迁移率

  2. 韩国庆熙大学日前通过将有机TFT面板的PVP栅绝缘膜进行OTS（Octadecyltrichlorosilane，十八烷基三氯硅烷）涂布处理，提高了载流子的迁移率。据说导通和截止时的电流比超过了10的8次方。 　　庆熙大学信息显示器/高级显示器研究中心负责人Jin Jang将在10月20～22日在日本横滨召开的“FPD International 2004”研讨会上，发表最新的开发进展情况。此次的演讲将就保护膜相关课题、电子墨显示器及主动阵距液晶等在柔性显示器方面的应用进行阐述。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：31kb
    • 提供者：weixin_38678022

  1. 什么是载流子迁移率及迁移率影响芯片的那些性能

  2. 迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，轻参杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。 迁移率主要影响到晶体管的两个性能： 一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：31kb
    • 提供者：weixin_38552305

  1. 4H_SiC PIN二极管的各向异性迁移率效应

  2. 对制造的单mesa终端4H-SiC PIN二极管,采用数值仿真和测试结果比对的方法,分析了各向异性迁移率效应对4H-SiC PIN二极管正向直流特性的影响.详细阐述了器件的正向直流仿真物理模型和参数选取,其中,迁移率的各向异性关系是在各向同性迁移率模型的基础上引入的,载流子寿命采用空间赋值的方法代入模型进行计算.对比结果显示,采用各向同性迁移率模型的仿真结果与实验值偏差较大,对迁移率模型进行各向异性修正后,仿真结果与实验结果符合得较好.研究表明,实际制造的4H-SiC PIN二极管在直流开态下,

  3. 所属分类：其它

  1. 直流磁控溅射ZnO：Al2O3陶瓷靶材制备Al-N-掺杂P型ZnO薄膜中高载流子迁移率的实现

  2. 在这项研究中，Al-N共掺杂型氧化锌（ZnO）薄膜在N2和O2气体与陶瓷ZnO：（2 wt％Al2O3）的溅射靶中使用DC-沉积在Si和均质缓冲层模板上磁控溅射。 双θ衍射的X射线衍射光谱表明，所有膜均具有ZnO纤锌矿结构的主要（002）峰。 随着N2和O2混合气体中N2含量的增加，场发射二次电子显微镜显示出Si上共掺杂膜的表面外观从光滑结构到纹理结构变化。 所述p型ZnO薄膜显示该rangeof载流子浓度1.5×10 15 -2.93×10 17 cm -3时，resistivityin的13

  3. 所属分类：其它

  1. 通过氧离子注入对Selenium化铅进行光电导敏化，增强了光吸收和载流子迁移率

  2. 通过氧离子注入对Selenium化铅进行光电导敏化，增强了光吸收和载流子迁移率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：799kb
    • 提供者：weixin_38564003

  1. 复合氧化物异质界面上光生载流子的动态演化

  2. 由于一系列新兴特性，两个绝缘体之间的异质界面在氧化物电子学的研究中起着核心作用。 用光操纵界面的传输可导致基态的显着调制并激发局部状态。 然而，它们的动力学和光生载流子的机理仍不清楚。 在这里，这项研究提出了随着时间的推移，在霍尔效应作用下光照后和光照后载流子密度和迁移率的动力学。 发现光照射后的密度和迁移率服从拉伸的指数表达，进一步表明由电子-电子散射引起的迁移率变化除了降低载流子密度外，在恢复过程中也起着重要作用。同时，在低温下在360 nm激光照射下，在LaAlO3 / SrTiO3界面处

  3. 所属分类：其它

  1. 新型二维二氧化锗单层：力学性能，空穴迁移率值和载流子迁移率

  2. 新型二维二氧化锗单层：力学性能，空穴迁移率值和载流子迁移率

  3. 所属分类：其它

  1. 低表面能界面衍生的有机薄膜的低温重结晶行为，以提高载流子迁移率

  2. 低表面能界面衍生的有机薄膜的低温重结晶行为，以提高载流子迁移率

  3. 所属分类：其它

  1. 有机体异质结太阳能电池中电荷载流子迁移率效应的建模

  2. 有机体异质结太阳能电池中电荷载流子迁移率效应的建模

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：237kb
    • 提供者：weixin_38626075

  1. 直接测量磁场对三（8-羟基喹啉）-铝发光二极管中载流子迁移率和复合的影响

  2. 磁场对载流子迁移率和基于三（8-羟基喹啉）铝（Alq（3））的发光二极管复合的影响已通过瞬态电致发光方法进行了测量。 可以确认，磁场对Alq（3）层中的电子和空穴迁移率没有影响，并且可以降低电子-空穴复合系数。 结果表明，在基于Alq（3）的发光二极管中，磁场效应的主要机制是当驱动电压大于发光二极管的起始电压时，单重eh对和三重eh对之间的相互转换，该互变是由磁场调制的。电致发光。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：376kb
    • 提供者：weixin_38537050

  1. 共轭聚合物中载流子迁移率的变温飞行时间检测

  2. 载流子迁移率是标定共轭聚合物光电器件性能的重要参数，在数值上其大小远小于传统半导体材料，所以常常用飞行时间方法来测量。利用自行搭建的变温飞行时间检测系统，能够准确地测量聚合物中载流子的迁移率。从原理和实践上，讨论了影响检测结果的限制因素和关键参数，其中包括光生载流子数量、薄膜样品厚度、激发光脉冲宽度、检测外电路的响应时间、载流子在电介质中的弛豫时间和对放大器探测器频率的限制等。只有选取恰当的实验参数才能够获得准确可靠的检测结果。

  3. 所属分类：其它

  1. 基于Photo-CELIV测量载流子迁移率实验系统

  2. 搭建了一套基于Photo-CELIV测量载流子迁移率的实验系统。采用Nd3+YAG脉冲激光器作为诱导光源，在1~20 Hz的工作频率下，实验系统可输出波长为532 nm、脉宽为10 ns的激光脉冲，其能量在0.1~1 mJ范围内可调，光斑直径小于2 mm，激光器持续工作5 h后的能量不稳定度为±8%。该研究为半导体材料载流子迁移率的测量提供了一定的参考。

  3. 所属分类：其它

  1. 不同频率高功率微波对高电子迁移率晶体管的损伤效应

  2. 针对典型的GaAs 高电子迁移率晶体管（HEMT），研究了不同频率高功率微波从栅极注入HEMT后的影响。利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二维电热模型，考虑了高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应，通过分析器件内部电场强度，电流密度，温度分布随信号作用时间的变化来探索其损伤过程及机理，获得了其在不同频率高功率微波作用下的烧毁时间，烧毁位置处的电场强度，电流密度以及温度的变化。研究结果表明，随着注入HPM频率的增大，烧毁时间不断减小， 烧毁部位在栅极下方靠源侧

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-26
    • 文件大小：953kb
    • 提供者：weixin_38713167

  1. 载流子迁移率测量方法总结

  2. 0 引言 　　迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数，它决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重要性进行研究，但对其测量方法却少有提到。本文对载流子测量方法进行了小结。 　　1 迁移率μ的相关概念 　　在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型决定。在电场下，载流子的平均漂移速度v与电场强度E成正比为： 　　式中

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：100kb
    • 提供者：weixin_38518518

  1. 石墨烯纳米带的磁电子性质和载流子迁移率：理论预测

  2. 石墨烯纳米带的磁电子性质和载流子迁移率：理论预测

  3. 所属分类：其它

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