为了在高空穴迁移率Ge p-MOSFET应用中实现高质量的高k / Ge接口，引入了一种简单的化学清洗和表面钝化方案，并且有效沟道空穴迁移率高达665 cm2 / V s的Ge p-MOSFETs在Ge（111）衬底上进行了演示。此外，提出了一个物理模型，通过分析HCl和（NH4）2S钝化样品的电学特性来解释MOS界面上的偶极层形成。