SiNx / SiOx钝化和双面P扩散吸杂处理已用于制造c-Si太阳能电池。 经二次P扩散处理后，制成的太阳能电池具有较高的开路电压和短路电流。 除了更好的表面钝化效果，SiNx / SiOx层在长波长范围内的反射率比传统的SiNx膜低。 结果，与常规的c-Si太阳能电池相比，这种太阳能电池表现出更高的转换效率和更好的内部量子效率。