硅片键合技术是指通过化学和物理作用将硅片与硅片、氧化层、玻璃或其它材料紧密连接在一起形成一个整体。硅片键合技术经过几十年的发展，已经形成了适合不同领域的键合技术，按照硅片之间有无中间层，硅片键合技术分为两大类：无中间层键合技术和有中间层键合技术，如图1.1所示。无中间层键合技术主要有阳极键合技术（也称硅-玻璃静电键合技术）和硅-硅直接键合技术。有中间层键合技术按照中间层的不同可分为：金-硅共熔键合技术、焊料键合技术、玻璃釉料键合技术、粘合剂键合技术、共晶键合技术和阳极键合技术。下面主要介绍分析金

金-硅共熔键合常用于微电子器件的封装中，用金-硅焊料将管芯烧结在管底座上，1979年这一技术用在了压力变送器上。金硅-焊料是金-硅二相系（硅的含量为19at.%），熔点为365℃，比硅或金的熔点低得多，如图1.2所示。在工艺上，金-硅焊料一般用作中间过渡层，置于欲键合的两键合片之间，将它们加热到稍高于金-硅共熔点温度，金-硅混合物将从与其键合的硅片中夺取硅原子以达到硅在金-硅二相系中的饱和状态，冷却后形成良好的键合，利用这种技术可以实现硅片之间的键合。而且，利用半导体材料Ge代替金，在高温下两个