在本文中，我们研究了在HfO2捕获层中间具有2 nm Al2O3界面层的MAHAHOS存储设备。 我们探索静电力显微镜（EFM）技术，以确认陷阱层结构中的Al2O3界面层通过引入界面来改善电荷陷阱能力。 通过研究改变插入的Al2O3层位置对电学特性的影响，可以证明对俘获电荷分布的调制。 带隙工程的结果是，MAHAHOS（HAH 5/2/5）器件显示出9.2 V存储器窗口的最佳性能，改进的高温保持性和高达105个周期的平坦耐久性。