采用发射波长为980nm的InGaAs/GaAs应变量子阱,在垂直腔面发射结构中共设计生长3组、每组3个量子阱,形成9个量子阱的周期性增益结构,并使每组均位于腔场极大处,以获得最好的增益匹配。为提高激光器的输出功率及获得较好的光束质量,采用大台面直径和由衬底面出射激光的结构。每个单元器件的P面台面直径为400~600μm,经湿氮气氛下40min的侧氧化后在有源区形成直径300~500μm的电流限制孔。而N面出光孔的直径仍为相应的400~600μm。在室温连续工作下器件的最大输出功率达到1.4W。

为了研究温度对980 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)输出特性的影响,理论计算模拟了温度为365 K和400 K时980 nm VCSEL的功率-电流特性(P-I)曲线,计算了器件的特征温度。实验结果验证了理论计算结果,依据实验结果分析了温度变化对器件输出特性的影响。

为了研究温度对980 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)输出特性的影响,理论计算模拟了温度为365 K和400 K时980 nm VCSEL 的功率-电流特性(P-I)曲线,计算了器件的特征温度。实验结果验证了理论计算结果,依据实验结果分析了温度变化对器件输出特性的影响。