ARM公司新近发布了其Artisan物理IP系列中的ARMVelocity DDR1和DDR2(1/2)存储器接口，支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的90纳米、可即量产的IP。 　　TSMC设计服务市场代理总监Kuo Wu表示：“在我们对IP认证的严格要求下，ARM Velocity DDR1/2存储器接口在我们的90纳米工艺取得了首次投片成功。” 　　ARM 90纳米Velocity DDR1/2存储器接口解

ARM公司（伦敦证交所：ARM；纳斯达克：ARMHY）今天发布了其Artisan 物理IP系列中的ARM VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存储器接口，支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的90纳米、可即量产的IP。 　　TSMC设计服务市场代理总监Kuo Wu表示：“我们一贯致力于同我们的IP合作伙伴共同努力，将高质量的IP以最短的时间整合到我们客户的领先的设计中。在我们对IP认证的严格要求下，A

ARM公司发布了其Artisan 物理IP系列中的ARM Velocity DDR1和DDR2（1/2）存储器接口，支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的90纳米、可即量产的IP。 　　ARM 90纳米Velocity DDR1/2存储器接口解决方案包括多组可编程ODT（ on-die termination）和输出驱动阻抗控制（output driver impedance control），所有的端头在使用