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    • 发布日期:2020-03-09
    • 文件大小:875kb
    • 提供者:weixin_38517095
  1. 两种等离子体活化水对红茶溶液色素降解作用的比较

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    • 发布日期:2019-12-31
    • 文件大小:776kb
    • 提供者:weixin_38545959
  1. 直流脉冲等离子体CVD制备碳氮薄膜的Ar离子原位应力抑制

  2. 直流脉冲等离子体CVD制备碳氮薄膜的Ar离子原位应力抑制,王琦,贺德衍,研究了不同Ar气流量下制备的含氢碳氮膜的结构和机械性能,并探讨了不同Ar气流量下对微结构和和相应机械性能的影响关系。实验发现�
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    • 发布日期:2019-12-28
    • 文件大小:825kb
    • 提供者:weixin_38747946
  1. 施耐德XMLG电子式压力传感器样本.pdf

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    • 发布日期:2019-10-13
    • 文件大小:10mb
    • 提供者:weixin_38744435
  1. 德恩科直线电机与执行器ST系列产品手册.pdf

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  1. 汇川-长春汇通-工业领域可靠合作伙伴-L6210047-V1.0.pdf

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  1. 反激式高频变压器的分析与设计.pdf

  2. 反激式高频变压器的分析与设计pdf,P,=P(1/+1) 当原边无中心抽头,副边有中心抽头时: P=P(1/n+√2) 6) 当原边与副边均有中心抽头时 P=P。(1/y+1)v2 对于图1的拓扑结构,Pt的表达式适用于式(5)。 工作磁通密度变化量△Ba则根据不同的电路结构和磁芯饱和磁通密度确定,若变换器 为单端电路,磁芯磁通的变化曲线如图2(a)所示,因此△Bac应小于磁芯材料的饱和磁通密 度与剩余磁通密度之差;若变换器为双端电路,由于磁通可在正负双向变化(如图2(3),则 △Bac应小于磁
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  1. 富士电机多功能型变频器FRENIC-MEGALite系列样本.pdf

  2. 富士电机多功能型变频器FRENIC-MEGALite系列样本pdf,本资料是关于富士电机高性能多功能型变频器FRENIC-MEGALite系列样本,更多详细内容请点击下载!FRENID MEGA LiiE ■广泛的用途 简单操作维护保养支持的提高 防止物品滑落的功能 具有利于速度指令工作的功能 搭载UsB接口实现Pc加载器简易信息管理!(选配件)型号:TPE1U 在上下撇运等过程中,提高了制动信号 将脉冲列翰入功能作为标准配置 提高现场作业性能 ●在生产现场,从操作面板上的US日接口可直接向计算
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  1. CO

  2. 利用CO2激光对汽车车身拼焊板进行了焊接实验,并对焊缝进行了显微组织分析和机械性能分析。采用Ar气作为焊接保护气体,能获得比采用N2气时更好的深冲性能;侧吹保护气体的方法能有效地控制焊缝中的锌含量。研究了焊接熔深和焊缝宽度随激光功率和焊接速度变化的规律。实验结果表明,在优化的工艺参数下,激光焊接车身拼焊板的焊缝中没有出现气孔、裂纹和热影响区(HAZ)软化等缺陷,拼焊板的深冲性能优良;拼焊板的成形性能取决于两种材料的强度比和厚度比, 焊缝易于向高强度镀锌钢板一侧偏移;普通钢板越薄,焊缝的偏移量越大
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  1. 基于柔性显示器件的氧化铝介电层室温制备

  2. 在室温环境下采用射频磁控溅射方法制备了氧化铝(Al2O3)薄膜, 通过调节溅射气压实现了对薄膜特性的优化控制。当溅射功率为120 W、Ar气压强为0.13 Pa时, 制备的Al2O3薄膜具有最好的厚度均匀性, 薄膜中Al和O的原子比为1∶1.67, 密度为3.21 g/cm3, 粗糙度为0.62 nm。这种平滑、致密的薄膜结构能够有效地减少缺陷的形成, 获得高击穿电压、高相对介电常数和低漏电等性能。利用优化后的Al2O3薄膜作为栅极绝缘层, 在聚酰亚胺树脂(PI)基板上室温制备了柔性非晶态铟镓锌
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  1. 355 nm Nd:YAG激光在H

  2. 对脉冲Nd:YAG激光(355 nm)在H2和H2: He-Ar混合气体中的受激拉曼散射(SRS)进行了研究。在0.5 MPa的氢气中,同时测量到从二级反斯托克斯到三级斯托克斯的多波长输出,其总转化效率达88%;而高压下只剩下一级和二级斯托克斯输出,其中二级斯托克斯最大能量转化效率达44%(对应量子效率为63%)。由于高级斯托克斯的竞争,纯氢气中一级斯托克斯的最大能量转换效率不超过43%。通过向3 MPa氢气中掺入2 MPa Ar气后,很好地抑制了二级斯托克斯的产生,从而获得了能量转换效率高达7
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    • 发布日期:2021-02-11
    • 文件大小:467kb
    • 提供者:weixin_38536716
  1. 2 kW横流连续CO

  2. 对管板式低气压放电结构、横流连续2 kW CO2激光器以Ar气取代部分He气进行了研究。He气的取代量(掺Ar量)从20%增加到60%, 工作气压在2.93~4.26 kPa, 放电电流在3~11 A的范围, 激光器放电稳定, 运转正常, 可获得良好的输出特性, 如输出功率为1.7 kW, 电光转换效率为16%。
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    • 发布日期:2021-02-11
    • 文件大小:756kb
    • 提供者:weixin_38656374
  1. Ni基钎料激光钎焊金刚石磨粒界面显微结构及形成机理

  2. 采用Ni基合金钎料,在Ar气保护条件下,对金刚石磨粒进行了激光钎焊试验研究。采用扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)及X射线衍射仪(XRD)分析金刚石磨粒与Ni基钎料结合界面的组织结构与物相组成,并探讨了钎料与金刚石界面处碳化物的形成机理。测试结果表明,激光钎焊过程中在金刚石表面附近形成的富Cr层与金刚石表面的C元素反应生成碳化物Cr3C2,通过反应热力学与动力学分析显示界面反应产物可以依靠置换反应形成,使金刚石磨粒与钎料实现了牢固结合。
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  1. Ar气对

  2. 实验测量了缓冲气体Ar气对~(39)K_2分子C~1Π_u(v′=O,J′=53)→X~1∑_g~+(v″=5,6,J″=52,54)LIF光谱的碰撞猝灭效应.用稳态碰撞模型推导出LIF光谱强度I对气体压强P=P_(Ar)+P_K的函数关系.用上述模型拟合出的I-P曲线和实验数据的符合,对拟合所得参数C_1的进一步分析指出:热管炉后向探测LIF光谱方法比非增益荧光探测法的灵敏度可提高2倍以上.
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  1. 激光诱导气相热化学光刻的阈值及速率变化特性

  2. 采用Ar+激光对Ge等半导体材料进行了光刻研究。实验发现存在两种阈值, 表面扫描光刻具有较低的阈值, 刻穿则要求更高的光强。刻蚀速率随着深度的增加而减小, 高掺杂半导体的光刻速率大于低掺杂样品。
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  1. Si/Pd/GaAs欧姆接触的激光退火

  2. 利用连续Ar+激光对淀积在砷化镓上的Si/Pd进行退火,形成Si/Pd2Si/GaAs(6.9×1017cm-3)接触,得到了比接触电阻率为2.75×10-6Ω·cm2的非合金欧姆接触。经410℃,8小时,形成气中退火后表明:激光退火形成的欧姆接触具有良好的热稳定性。
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  1. 保护气对微合金C-Mn钢激光焊接接头组织和性能的影响

  2. 通过微合金C-Mn钢的焊接试验, 研究了不同保护气对激光焊接接头组织和性能的影响。结果表明, 在相同的激光焊接热输入条件下, N2、Ar、空气三种保护气焊接均可获得全熔透焊缝, 但N2气保护条件下焊缝区凹陷最为明显。焊缝区组织均以板条马氏体为主。空气环境下焊缝区形成少量针状铁素体, 夹杂物数量明显多于N2和Ar气保护下焊缝的, 且大尺寸的夹杂物比例较高。三种情况下, 焊接接头的平均显微硬度和强度均高于母材的, 但是空气环境下焊缝的平均硬度略小于N2或Ar气保护下焊缝的。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-02-04
    • 文件大小:21mb
    • 提供者:weixin_38741950
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