NAND闪存对ECC（纠错码）纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持最新的多层单元（MLC）架构和每单元存储三位数据（three-bit-per-cell）技术所需的ECC纠错能力让系统人员越来越难以应付。

美光公司的增强型ClearNAND闪存为系统设计人员提供更高的性能和更多的功能，同时缓解了NAND闪存对ECC纠错能力的日益严格的要求。增强型ClearNAND闪存支持与标准100-Ball BGA NAND闪存相似的焊球排列，用户可以设计出同时支持这两种封装的产品。例如，该产品将使SSD主控制器拥有充足的ECC纠错能力来直接支持SLC NAND闪存，选择增强型ClearNAND闪存还能满足ECC面临更大挑战的多级单元需求。

自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的ECC纠错能力让系统人员越来越难以应付。 　　过去，ECC一直被用于提高NAND闪存子系统的整体数据可靠性。但是，随着NAND单元不断缩小，每个浮栅内贮存的电子数量越来越少。因此，为弥补更小的存储单元所产生的更高的位误码率，我们必须大幅提高ECC纠错能力，以维持所需的系统可靠性。 　　随着系统对ECC