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  1. DirectFET MT设计笔记

  2. DirectFET MT设计笔记 DirectFET® 封装技术 电路板安装应用笔记 IRF6618PbF

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-10-13
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：d031023

  1. IR推出大罐式DirectFET MOSFET系列

  2. 导读：全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 推出大罐式DirectFET MOSFET系列。 　　该系列适用于要求极低导通电阻 （RDS（on）） 的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变器，以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。 　　全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封装器件提供卓越的导通电阻性能，从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：135kb
    • 提供者：weixin_38553275

  1. PCB技术中的DirectFET封装技术电路板安装应用笔记

  2. 目录 　　页码 　　器件结构.............................................................................. 2 　　设计考虑.............................................................................. 3 　　安装考虑..........................................................

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：40kb
    • 提供者：weixin_38630139

  1. 元器件应用中的IR发布二款DirectFET MOSFET芯片组

  2. 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片组，为 12V 输入同步降压应用 (包括服务器、台式电脑和笔记本电脑) 提供最佳效率。 　　IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片组不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技术，还具有业界领先的性能指数 (FOM) 及 DirectFET 封装卓越的开关和热特性，成为一个为高频率 DC/DC

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：100kb
    • 提供者：weixin_38626943

  1. 电源技术中的IR推出25V同步降压转换器DirectFET MOSFET芯片组

  2. 国际整流器公司(International Rectifier，IR)针对高频和高效率DC-DC应用，推出25V同步降压转换器DirectFET MOSFET芯片组，适用于负载点(POL)转换器设计、伺服器、高端台式电脑和笔记本电脑应用。 　　新25V芯片组结合IR新的HEXFET MOSFET硅技术与DirectFET封装技术，整合高密度、单一控制和单一同步MOSFET解决方案在SO-8元件，并采用了0.7mm轻薄设计。新的IRF6710S、IRF6795M和IRF6797M元件导通电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：39kb
    • 提供者：weixin_38596267

  1. 电源技术中的IR推出为高频和高效DC-DC应用优化的25V DirectFET芯片组

  2. 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 推出25V同步降压式转换器DirectFET MOSFET芯片组，适用于负载点 (POL) 转换器设计，以及服务器、高端台式和笔记本电脑应用。 　　新25V芯片组结合了IR最新的HEXFET MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，在SO-8占位面积及0.7mm纤薄设计中实现了高密度、单控制和单同步MOSFET解决方案。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M器件的特点包括：非常低

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：49kb
    • 提供者：weixin_38651365

  1. 元器件应用中的IR60V DirectFET功率最大导通电阻7.0mΩ

  2. 国际整流器公司(International Rectifier，简称为IR)推出一款新型60V DirectFET功率MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10V)，据称导电损耗可比同类解决方案减少30%。　　单个采用SO-8封装的IRF6648，其性能与两个并联的同类增强型SO-8器件相似。IRF6648适用于电信及网络系统的隔离式DC-DC转换器。该器件的封装技术具有的良好散热设计和双面冷却能力。如果将IRF6648用于48V输入、12V输出的240W隔离

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：48kb
    • 提供者：weixin_38544075

  1. 元器件应用中的IR推出适合CPU电源应用的30V DirectFET MOSFET系列

  2. 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形，以及内存稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30V DirectFET MOSFET系列。 　　新器件系列结合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，比标准SO-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。新一代30V器件的导通电阻 (RDS(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (Qg) 和栅漏极电荷 (Q

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38517095

  1. 显示/光电技术中的IR推出20V DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组

  2. 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出新款20V DirectFET MOSFET同步降转换器芯片组——IRF6610和IRF6636。IR表示，这款小型罐式DirectFET MOSFET对性能相当于一对SO-8 MOSFET，但体积却减少了40%，最适用于对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(Point-of-load，简称POL)设计。      IR台湾分公司总经理朱文义表示：“在12V计算机运算系统中，IRF6610和IRF6636芯片组最

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：49kb
    • 提供者：weixin_38624519

  1. 通信与网络中的IR推出高效率150V DirectFET MOSFET

  2. 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) ， 推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF，适用于36V至75V通用电信输入及48V固定输入系统等多种运行环境的隔离式DC-DC转换器。新型DirectFET器件采用IR先进的DirectFET封装技术及新一代HEXFET功率MOSFET硅，额定电流可达35A，其散热表现更加卓越且效率更高，而占板面积则只相当于扁平型SO-8封装。      IR

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：82kb
    • 提供者：weixin_38678550

  1. 电源技术中的IR推出新型低导电损耗的DirectFET MOSFET

  2. 国际整流器公司(International Rectifier，简称为IR)近日推出一款新型60V DirectFET功率MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10V)，据称导电损耗可比同类解决方案减少30%。  　　单个采用SO-8封装的IRF6648，其性能与两个并联的同类增强型SO-8器件相似。IRF6648适用于电信及网络系统的隔离式DC-DC转换器。该器件的封装技术具有的良好散热设计和双面冷却能力。如果将IRF6648用于48V输入、12V输出的24

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：51kb
    • 提供者：weixin_38644599

  1. 电源技术中的IR授权英飞凌科技使用DirectFET封装技术

  2. 际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 与英飞凌科技股份有限公司 (Infineon Technologies) 共同宣布，后者将获授权使用IR的DirectFET先进功率管理封装专利技术。 　　DirectFET 功率封装是业界首个在SO-8或更小占位面积，提供高效上部散热的表面贴装功率MOSFET封装技术，适用于计算机、笔记本电脑、电信和消费电子设备的AC-DC及DC-DC功率转换应用。与标准塑料分立封装相比，DirectFET的金属罐构造具有双面散热功

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：54kb
    • 提供者：weixin_38550146

  1. 模拟技术中的IR推出针对高效率高性能放大器的D类音频DirectFET™ MOSFET（图）

  2. 功率管理领导厂商国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）为中等功率的D类音频放大器推出IRF6665 DirectFET:trade_mark: MOSFET。此款设计旨在改进音频器件的效率、总谐波失真（THD）、功率密度等性能。D类放大器应用广泛，从电池驱动的便携式产品到高端的专业级放大器，从乐器到汽车和家庭多媒体系统均能适用。   在针对应用专门优化的硅片上，IR的DirectFET:trade_mark:封装技术通过降低引线电感提高了D类音频放大器的性能，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38706197

  1. IR DirectFET MOSFET芯片组

  2. 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出两款新型的30V DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于安装了最新款Intel和AMD处理器的笔记本电脑设计，满足其更小体积、更高效率和良好散热的要求。 新品的每一款芯片组都包含一个控制MOSFET和一个同步MOSFET，而每个器件都经过特别设计，在同步DC-DC降压转换器电路中发挥最佳性能。控制MOSFET具有更低的开关损耗，同步MOSFET的传导损耗更低（低导通电阻），逆向恢复

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38691199

  1. PCB技术中的IR推出新型DirectFET MOSFET

  2. 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10V)，导电损耗可比同类解决方案减少30%。 单个采用SO-8封装的IRF6648，性能可与两个并联的同类增强型SO-8器件相媲美。IRF6648最适用于电信及网络系统的隔离式DC-DC转换器。 如果将IRF6648用于48V输入、12V输出的240W隔离式转换器的次级，功率密度可由每平方英寸72W

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：57kb
    • 提供者：weixin_38670420

  1. 电源技术中的用小型散热器对DirectFET封装功率MOSFET进行双面散热

  2. 引言使用生产厂封装的功率MOSFET器件，可以大幅度地提高多相稳压器组件(VRM)的功率密度。电流密度的提高是由两个因素决定的：1. 封装的寄生阻抗降低了；2. 功率器件的半导体结和外界环境之间的热阻大幅度地减少了。要充分地发挥生产厂提供的封装的优点，很大程度上取决于系统设计人员所采用的热管理方案。本文将探讨可以用于生产厂封装好的器件的各种热管理方案，并且引用了国际整流器公司测试的数据，来评估使用小型散热器改善这些器件散热性能的优点。本文也研究了在进行通电循环的情况下，在器件上直接安装散热器时，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：85kb
    • 提供者：weixin_38575536

  1. IR推出新型DirectFET MOSFET芯片组

  2. 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型的DirectFET MOSFET芯片组。新品可配合IR近期发布的IR2086S全桥总线转换器集成电路，使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案，在比四分之一砖转换器还要小29%的电路板面积上，实现效率高达97%的336W功率。      全新的IRF6646及IRF6635适用于隔离式DC-DC转换器总线转换器的固定48V及36V到60V输入桥式电路拓扑、同步降压非隔离式D

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：42kb
    • 提供者：weixin_38586942

  1. IR推出大罐式DirectFET MOSFET系列

  2. 导读：功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 推出大罐式DirectFET MOSFET系列。 　　该系列适用于要求极低导通电阻 （RDS（on）） 的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变器，以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。 　　全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封装器件提供卓越的导通电阻性能，从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器件相似，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：141kb
    • 提供者：weixin_38637764

  1. IR推出新型DirectFET MOSFET

  2. 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。该器件的导通电阻为7.0 mΩ(VGS=10V)，导电损耗可比同类解决方案减少30%。 单个采用SO-8封装的IRF6648，性能可与两个并联的同类增强型SO-8器件相媲美。IRF6648适用于电信及网络系统的隔离式DC-DC转换器。 如果将IRF6648用于48V输入、12V输出的240W隔离式转换器的次级，功率密度可由每平方英寸72W增加1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：56kb
    • 提供者：weixin_38604653

  1. DirectFET封装技术电路板安装应用笔记

  2. 目录 　　页码 　　器件结构.............................................................................. 2 　　设计考虑.............................................................................. 3 　　安装考虑..........................................................

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：38kb
    • 提供者：weixin_38611388
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